资讯
有源钳位技术解析(2022-12-15)
骤。
IGBT电路的意义
IGBT有源钳位的核心是检测Vgc压降，通过延缓IGBT关断，限制因为高di/dt引起的电压尖峰。
（1）有源钳位电路设计要点是在正常工作条件下尽量不参与动作，从而减少关断电压......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
介绍了杂散电感的定义及测量方法。寄生电感的存在会IGBT增加关断损耗和关断电压尖峰，引起震荡等诸多问题，所以实际应用中还需要尽可能地减小回路杂散电感。......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
极管反向恢复吸收
开关器件的体二极管的反向恢复特性，在关断电压的上升沿发挥作用，有降低电压尖峰......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
的设计需要格外优化尽可能减小长换流回路的杂散电感以增加功率模组的电流输出能力。图15所示为FF1800R12IE5在I-NPC电路里的双脉冲实测波形，在室温及额定电流条件下，为了降低长换流回路IGBT的关断电压尖峰，使用了更大的门级关断电......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
件出现过流故障的情况下，驱动芯片将会使用较低的电流关断IGBT，将会减慢IGBT的di/dt，避免出现过高的电压尖峰损坏IGBT。软关断的参数通过 ADJA连接的电阻可调。系列中每一款芯片都有16档关断电......
功率器件双脉冲测试(2024-12-13 11:24:34)
Rgon/Rgoff 数值是否合适，是否需要吸收电路等。而且可以考量开关管在实际电路中的实际表现，反向恢复电流，关断电压尖峰，开通关断时间、开关过程是否有不合适的震荡等。
......
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护(2023-03-08)
保护电路的电路图（：IEEE）
软关断功能用于限制由于高杂散电感变化而产生的电压尖峰。R3 电阻和有源 MOSFET 开关实现相同的功能。当故障信号变高时，MOSFET 被触发以使用用于 GaN HEMT 栅极......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供370 ns（典型值）的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 μA......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
电荷积累，一般取值是10k～100k。
GE之间的稳压管一般取值16～18V，防止栅极出现电压尖峰。
三极管Q1、Q2构成驱动功率推挽放大。IGBT开通时，门极正向电压最佳值为15V±10%;IGBT关断时，最好加个负偏电压......
示波器探头在半导体器件动态测量的应用(2023-01-11)
的性能，获取IGBT在开关过程的主要参数,以评估Rgon及Rgoff的数值是否合适，评估是否需要配吸收电路等，最终考量IGBT在变换器中工作时的实际表现。例如二极管的反向恢复电流是否合适，关断时的电压尖峰......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
使外部碳化硅SBD的导通开关损耗(EON)降低，但关断开关损耗(EOFF)没有大的变化，如图10（a）和（b）所示。需要在栅极驱动电路设计上更仔细，并会导致更高的栅极驱动损耗。增加的电压和不可避免的电压尖峰......
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能(2024-11-13 13:02)
和保护功能实现了对外部功率开关管的过载和短路保护，可以使用外部电阻调整功率开关管的关断策略，调整关断速度来最大限度地提高保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。驱动......
工业和汽车浪涌保护电路的原理和设计(2024-04-22)
工业和汽车浪涌保护电路的原理和设计;电涌保护电路是一种被称为交流电网线电压峰值保护器的电路。但是，在交流电网线中没有特别限制。电涌保护器或电涌保护设备是一种提供电涌抑制或电压尖峰抑制的设备，因此......
还搞不懂缓冲电路？看这一文，工作原理+作用+电路设计+使用方法(2024-11-06 21:23:00)
是缓冲器？
缓冲器
是一种
对电压尖峰、振铃和振荡效应的电路保护形式
。缓冲器通过
钳位电压尖峰但不改变振铃频率。
缓冲......
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战(2024-09-25)
）。电子行业对此存在一些担忧。我如何才能让我的设计经得起未来考验，以便能够轻松适应未来几代或替代源晶体管供应商提供的不同最佳导通和关断电压？
图 3：不同 IGBT、SiC 和 GaN 器件的推荐和绝对最大驱动器电压......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
、关断电压尖峰。根据陪测管类型和被测器件的位置，可以得到四种测试电路，根据需求和实际应用情况选择即可。
开关特性受到多方面因素的影响，包括器件参数、外围电路和工况等。这对我们有两点启发：第一是，器件......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
时间、开关能量、开关速度、开通电流尖峰、关断电压尖峰。根据陪测管类型和被测器件的位置，可以得到四种测试电路，根据需求和实际应用情况选择即可。
开关特性受到多方面因素的影响，包括器件参数、外围......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
关断的过程中，IGBT 的电流下降产生较大的 di/dt, 由于回路中存在杂散电感，在IGBT 的上叠加反向电动势，delta V=L*di/dt。 产生较大的电压尖峰，由于......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
流经器件和外部肖特基二极管的电流
关闭感性负载
在输出端发生接地短路或过流故障事件期间，NIV3071 可快速关断以同时保护器件和下游电路。如果电源路径中存在很大的电感（例如电缆），则快速关断将导致电压尖峰超过器件的额定电压......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
在寄生电容中产生大的位移电流Cdv/dt，形成电流尖峰；在MOS关断过程中，通道内产生电流瞬变di/dt， 瞬变电流在寄生电感端产生尖峰电压U=Ldi/dt。
因此，根据公式u=Ldi/dt，在削减尖峰......
速度来最大限度地提高保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。
驱动器集成的米勒钳位架构为外部 N 沟道 MOSFET 提供一个预驱动器。因此，设计......
试一试能快速实现高性价比的电路保护的eFuse(2023-12-18)
）
根据应用要求，设计者可以添加一个外部 N 沟道功率 MOS，用于阻断反向电流；添加一个瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，用于输入瞬态电压保护；添加一个肖特基势垒二极管 (SBD)，用于 eFuse 输出的负电压尖峰......
如何根据额定电压为RS-232、RS-485和CAN选择TVS二极管(2023-03-14)
如何根据额定电压为RS-232、RS-485和CAN选择TVS二极管;在许多工业和汽车应用中，保护接口收发器免受各种电过应力事件的影响是一个主要问题。瞬态电压抑制器 (TVS) 常用于上述用途，因为它们可以通过生成低阻抗电流路径来钳制电压尖峰......
如何根据额定电压为 RS-232、RS-485 和 CAN 选择 TVS 二极管(2023-12-25)
管常用于上述用途，因为它们可以通过生成低阻抗电流路径来钳制电压尖峰。本文引用地址： 二极管的电气特性由几个工艺因素决定。这些参数与 电压、电流和额定功率相关，具有多种多样的数值，以适应各种应用。但通......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
出端发生接地短路或过流故障事件期间，NIV3071 可快速关断以同时保护器件和下游电路。如果电源路径中存在很大的电感（例如电缆），则快速关断将导致电压尖峰超过器件的额定电压。为了缓解这些电压尖峰，可以使用多种选项。可以......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
后可能更具优势。如果不使用额外的电路，当晶体管关断时，电流和漏-源电压将同时变化，会导致类似于硬开关在开通阶段的损耗。然而，快速关断除了减少关断开关损耗，也会在设备漏-源端引入高关断电压尖峰和振铃。控制关断......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
防止寄生电感与电容振荡，限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。
栅极电阻值小——充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作的耐固性，避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰......
单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADuM4136(2023-10-11 14:28)
在开关动作之后提供312 ns（典型值）的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 μA（典型值）电流源可确保很少的器件数量，且如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。
需要......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰......
基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系统(2023-06-20)
极管流入VM。该器件会在OUTx上查找到高于VM的电压尖峰。当负载电流高于FET驱动器发出的下拉电流(IPD_OLA)，可以观察到该电压尖峰。在3个连续再循环开关周期内不存在此电压尖峰......
非常见问题解答第220期：开关模式电源问题分析及其纠正措施：电感器不符合规格要求(2024-08-08)
，为了满足伏特秒平衡，电流变化量将被迫增加。在饱和电流波形中观测到尖峰是电流斜率呈指数增加造成的，如图4所示。该电流尖峰会影响输出电压，从而导致更多噪声和电压尖峰，如图5所示。如果电压尖峰过大，超过下游元件的最大电压......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
，外部和内部栅极电压几乎同时超出阈值（即，对于安森美SiC MOSFET为2V）。存在一个10ns以内的延迟。
当电阻小于等于5Ω时，我们可以看到，在关断期间，只有外部栅极电压会出现电压尖峰......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
电流从下管流过，CE间电压从母线电压降至饱和电压Vcesat。而此时，上管IGBT必须关断，CE间电压从饱和电压跳变到母线电压。上管电压的从低到高跳变，产生很大的电压变化率dv/dt。dv/dt作用......
PCB设计如何减少ESD，9种PCB设计技巧总结，帮你搞定ESD(2024-10-09 20:12:18)
PCB设计如何减少ESD，9种PCB设计技巧总结，帮你搞定ESD;
在电子行业中，保护设备免受ESD损坏是必须要注意的。静电放电（ESD）是一种非常高的电压尖峰......
艾睿满足不同电源应用需求的多样化解决方案(2023-08-23)
（Field Stop Trench Gen4）技术的高速版IGBT，由于想要拥有更快的开关，将导致更高的电压尖峰，竞争对手的高速IGBT需要更高的Rg，由于安森美的FS4高速IGBT的电压尖峰较小，因此......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
C1的存在，降低了开关管漏源电压尖峰值，减小了开关管电压变化率，电源的EMI也就较好。
当绕组中的电流反向时，D1截止，C1充电结束，此时C1通过R1放电，C1吸收的漏感能量通过R1来消耗。
2......
MAX4938数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:30)
/MAX4937具有箝位二极管，保护接收器输入免受传输期间T/R开关漏电流引起的电压尖峰冲击。MAX4938/MAX4939不带箝位二极管，依靠接收器前端的集成箝位二极管进行保护。
所有器件均采用小尺寸、56引脚......
氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案(2024-09-06 14:15)
暴露在高于725 V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误）和电网不稳定导致的线路膨胀可以将这些器件推向极限，导致灾难性故障。
PowiGaN技术......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
规避开关过程中产生的桥臂直通风险，通常SiC MOSFET需要使用正负压驱动，即通过负压关断确保关断过程中即使出现小的电压尖峰，也不会超过阈值电压致使MOSFET开通，如下图10所示。
Figure 10......
必易微 BMS 新品重磅推出(2022-08-19)
在大功率电池应用中，当负载剧烈变化（例如电机启动/急停或者保护快速关断）时会产生高 di/dt ，此时功率线路上的寄生电感会产生电压尖峰，在芯片引脚端可以引起几个 μs 时间的负压。KP620X0......
工业自动化电源困境：工业控制架构(2023-09-06)
师更愿意专注于能够明显区分他的自动化系统与竞争对手的事情。
半导体供应商通过引入将电源的许多关键功能集成到单个器件中的模块来响应工业自动化系统设计人员相互冲突的需求。但是，设计为由工业自动化系统使用的 12、24 或 48VDC 电源供电的模块必须由电压钳保护或使用异步开关技术来承受困扰主电源的电压尖峰......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
会持续几微秒，这会将大量电能注入eFuse和功率开关。
事实上，连接主电池和最终应用控制板的线束因寄生杂散电感而产生高阻抗，这会产生一个持续的电压尖峰，将MOSFET 引向雪崩区域。
在关断时，eFuse......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
将大量电能注入eFuse和功率开关。
事实上，连接主电池和最终应用控制板的线束因寄生杂散电感而产生高阻抗，这会产生一个持续的电压尖峰，将MOSFET 引向雪崩区域。
在关断时，eFuse的失效模式与MOSFET漏源......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
路在做单管并联方案的时候也很好用。
RGext：由工程师设置，包含Rgon（开通电阻）和Rgoff（关断电阻），一般......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
发生任何失效或主要额定参数降低现象。
2. ISO 7637-2 Pulse 2°标准
Pulse 2a标准描述了当与被测电子器件并联的电路电流中断时可能出现的正电压尖峰，如图 8 所示：
图 8. STL325N4LF8AG的......
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度(2023-11-29)
感应电磁炉和功率转换系统等。
英飞凌推出采用62 mm封装的CoolSiC™ MOSFET产品组合
增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰......
麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器MIC4604(2013-10-08)
池供电的电机驱动应用中，不需要将电压提升至超过其他解决方案的典型最小栅极驱动电压9V；MIC4604可在低至5.5V的电源电压下工作。此外，85V工作电压能提供充足的余裕，可承受电机驱动及电源应用中出现的电压尖峰......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
水平，并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。
二、长时间电流过载
由于导通电阻相对较高，高平均电流会在 mos 管中......
为什么我的电源会发出响铃并过热？(2024-12-16 17:44:08)
是由于电流斜率的指数增加而引起的，可以在图4中看到。这种电流尖峰会传递到输出电压中，导致更多的噪音和电压尖峰，如图5所示。如果电压尖峰太高并超过下游元件的最大电压额定值，以及......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
，与较高的驱动电压相 比，其导通损耗将高得多。高导通损耗的结果是导致更 低的效率和发热，从而缩短寿命。一个次要的考虑因素 是栅极驱动架构。SiC MOSFET 和 IGBT 通常使用负电 压轨，以实现更佳的关断......
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来电：13611102462 UPS不间断电源可以有效解决电源断电、电压尖峰、电压浪涌、频率漂移、谐波干扰、过欠压、电压波动及噪声电压等由市电电源质量差对前端通信设备造成的危害，显示
GTR模块双管驱电路 大功率可控模块 . 日本（东芝）IPM模块 东芝模块IPM 6管带驱动保护功能 IPM带控制控关断角. 日本（三菱）IGBT-IPM 三菱PIM模块 功率模块含驱动电路保护 IPM
/240Hz/400Hz等固定模式 输出电压：0--300V 面板可同时显示：电压、电流、频率、功率因数 稳定度：小于或等于正负0.01％ 保护装置：具有过载、过高温、过电流、短路、瞬间断电保护及警告装置。单相
;尖峰;;fgs 发生
;杭州尖峰电子有限公司;;
内置功率MOSFET降压稳压器 特点： 2A输出电流 最高95％效率 4.75～20V输入范围 1.3～18V可调输出 8μA关断电流 410KHz固定频率 具有过流,短路,静电,及过热保护特性 SOP
;深圳市尖峰电子科技有限公司;;专营 NXP、ON、Allegro、MPS、On-Bright；
速度极快! 广东罗定市无线电科技有限公司铁塔牌CWY单相系列交流参数稳压器 主要技术指标： 1， 额定输出电压：220V±2或由用户指定。 2， 源电压标称值：220V（AC）50HZ。 3， 源电压
;深圳宏鑫威电子;;目前公司可为客户提供的主要产品包括： 1．单节锂电保护板。过放保护电压2.5~3.0V,过充保护电压4.2~4.35V,可用于MP3/MP4、手机、数码相机、PDA及小
,锂离子电池保护，充电控制，MOSFET/IGBT驱动，78/79系列，LDO，电压参考，电压监控分立器件：功率晶体管，达林顿管，MOSFET，IGBT，小信号,整流,稳压,肖特基,调谐二极管，可控