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集成起来的研究,导致了IGBT的发明。 1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)。自此以后, IGBT主要经历了6代技术及工艺改进。 而经过这么多年的发展,我们......
迅猛,研究生产的 IGBT 性能优良,所以人们认同了 IGBT 的称谓。 至今,IGBT经历了六代技术的发展演变,面对的是大量的结构设计调整和工艺上的难题。回顾IGBT的发展历程,其主......
华虹半导体携手斯达半导,车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT实现规模量产;2021年6月24日,特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”)与中国IGBT企业——嘉兴......
集成起来的研究,导致了IGBT的发明。 1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)。自此以后, IGBT主要经历了6代技术及工艺......
在深圳国际会展中心(宝安新馆)成功召开。ZESTRON全球总裁Dr. Harald Wack和多名业内专家出席论坛并发表演讲。本文引用地址:活动围绕IGBT市场发展方向趋势、IGBT晶圆制造工艺IGBT烧结......
是在高压的IGBT等功率器件方面,更是基本依赖进口,这与我国全力打造自主可控的半导体产业链是相悖的。为了助推中国功率器件的崛起,作为一个以走差异化道路、发展特色工艺著称的公司,华虹......
半导是国内本土功率半导体产品的重要提供商之一,且长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造和测试。主要产品为功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD......
产品和识别软件相结合来开发汽车雷达解决方案,这将有助于雷达系统的设计并有助于早期发展。 瑞萨新一代IGBT功率损耗减少10% 与此同时,瑞萨在8月30日推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件。据悉,该晶体管采用新一代工艺......
不同开关组合的快速开断,来改变电流的流出方向和频率,从而输出得到我们想要的交流电。   03       IGBT模块的生产流程 IGBT行业的门槛非常高。除了芯片的设计和生产,IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺......
正式签约落户嘉善,2020年6月赛晶IGBT生产基地动工建设,同年9月赛晶首款IGBT芯片和模块产品正式推出。 根据此前信息,赛晶IGBT生产线建设分两期执行,一期占地34亩,规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5......
器件损耗更低,在具体的使用过程中,借助IGBT只需要一个小的控制信号就能够控制很大的电流和电压,在节能的同时也显著提高了系统的效率。目前,IGBT器件依然在借助新工艺和新模块方案来进一步降低系统的能耗。 接下......
升级具体包括第三代高速屏蔽栅中低压 MOSFET 及高鲁棒性中低压 MOSFET 产品的涉及工艺技术提升。 新结构功率器件研发及产业化项目 项目投资10,770.32 万元,本项目拟在未来三年陆续推出高速率 IGBT、超级......
得碳化硅功率器件在新能源汽车中能够实现更高的能效和更好的驾驶性能。 成本方面:目前,硅基IGBT的生产工艺已经相当成熟,成本相对较低。而碳化硅功率器件的生产工艺尚处于不断发展和完善阶段,成本相对较高。然而,随着......
凌Primepack IGBT模块 图片来源,"耿博士电力电子技术"公众号 3、IGBT模块的生产流程?图:IGBT 标准封装结构横切面 图片来源,翠展微 如上图所示,可以看到IGBT模块横切面的界面,目前壳封工艺......
系统的整体效率。 高可靠性 :IGBT的结构设计和制造工艺使其具有较高的抗冲击能力和热稳定性,能够......
这家IGBT龙头企业净利润大涨120.54%,未来将发力碳化硅芯片研发与产业化;近日,斯达半导公布2021年度业绩快报。 2021年斯达半导营业收入为17.07亿元,同比增长77.22%;净利......
地助推汽车电气化的实现。 产品采用了士兰微 Trench-Field-Stop 五代IGBT工艺,同时匹配EMCON5发射极控制FRD,可以......
上。制造工艺方面,英飞凌等几家头部公司已经实现第七代微沟槽栅型IGBT的量产。相比之下,本土厂商的车规级IGBT产品尚存在代差。 图片来源:盖世汽车 从装机量来看,比亚迪半导体、斯达半导、中车......
半导体已与斯达半导体联手实现了12英寸车规级IGBT的量产,并且相关产能还在持续扩张。 为加强其在晶圆代工领域特色工艺的市场地位,6月29日,华虹半导体还在港股公告,将向其子公司华虹无锡增资1.78亿元。此外,据无......
x 1.6 x 0.5 mm 特性和MELF-R/T曲线相吻合 适用烧结和键合工艺 如需了解该产品的更多信息,请访问 . 责编:Johnson Zhang   L860非常适合集成到IGBT模块......
流等大功率场景。 Coolsemi的IGBT采用目前业内最新的trench FS工艺,依托于国内成熟且工艺领先的8寸/12寸晶圆生产线,拥有更低的导通压降和开关损耗,以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品......
IGBT芯片背面工艺生产线,5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能将达到200万件IGBT模块产品。该公司IGBT产品应用将涵盖600V至1700V的中低压领域,面向电动汽车、光伏风电、工业......
封装结构横切面 图片来源,翠展微 如上图所示,可以看到IGBT模块横切面的界面,目前壳封工艺的模块基本结构都相差不大。IGBT模块封装的流程大致如下: 贴片→真空回流焊接→超声波清洗→X-ray缺陷检测→引线......
为三大主流应用类型。其中,IGBT经历七次技术演进,主要在器件纵向结构、栅极结构、硅片加工工艺三大方面突破技术瓶颈,解决了结构设计调整和工艺上的难题。目前,IGBT器件可承受电压能力从第四代的3000V跃升......
,其中,MOSFET和IGBT为最重要的两个分支,适用范围最广,合计的市场规模占到功率器件整体的50%以上。 功率器件的分类及对比 通过多年的工艺积累、大力投入,在传统的二极管、晶闸......
解决的有散热结构设计、系统稳定性、生产工艺成熟度等问题,对消费者来说,后期维修成本也是一大问题。所以具体怎样选用多合一电驱系统还需要综合。 3、IGBT模块究竟如何工作? 在电控模块中,IGBT模块......
键合是IGBT功率器件内部实现电气互连的主要方式之一。随着制造工艺的快速发展,许多金属键合线被广泛的应用到IGBT功率模块互连技术中。目前,常用的键合线有铝线、金线、银线、铜线、铝带、铜片和铝包铜线等。表1......
解决的有散热结构设计、系统稳定性、生产工艺成熟度等问题,对消费者来说,后期维修成本也是一大问题。所以具体怎样选用多合一电驱系统还需要综合。 3、IGBT模块究竟如何工作? 在电控模块中,IGBT模块......
目一期竣工投产。该项目计划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能达200万件IGBT模块产品,产值预计突破20亿元。 目前,随着第一条生产线的投产,第二......
以赛晶半导体自研i20芯片组为核心,采用“直线型”优化设计、Al2O3陶瓷基板等优质原材料。此外,赛晶半导体的全自动智能生产线和成熟工艺实力,保证了ED封装IGBT模块极佳的可靠性、一致性。 赛晶......
IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度,还较大程度上依赖进口,国产化率低,未来进口替代空间巨大。 全球功率分立器件市场规模(左);全球功率器件各细分领域市场规模(右): 资料......
(硬开关)和300kHz(软开关)。 从上世纪80年代至今,IGBT经历了六代技术的发展演变,这个过程是很艰苦的,面对的是大量的结构设计调整和工艺上的难题。 IGBT的技......
出高电压、高效率、高功率密度和高可靠性的发展趋势。 3.1 专用的汽车级 IGBT 芯片 无论是芯片技术、生产工艺、测试流程都是为汽车级应用量身定制的。芯片最高工作节温由150 ℃ 提升至 175 ℃,相同......
高端功率器件半导体公司超致半导体完成数千万元A轮融资;近日,超致半导体完成数千万元A轮融资,据悉本轮融资完成后将主要用于开发全系列600V Trench FS IGBT和SJ IGBT、开发第3代多......
不同开关组合的快速开断,来改变电流的流出方向和频率,从而输出得到我们想要的交流电。 IGBT模块的生产流程 IGBT行业的门槛非常高。除了芯片的设计和生产,IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺......
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列; 【导读】金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案,基于自主电路平台、IC平台、工艺平台,升级......
导入12英寸生产线,通过不到一年的研发在12英寸生产线上成功建立了IGBT晶圆生产工艺,产品顺利通过了客户认证,成为全球首家同时在8英寸和12英寸生产线量产先进型沟槽栅电场截止型(FS, Field......
中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。 东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低开关损耗(关断损耗),与东......
)、原町工厂(福岛县南相马市/二极管前端工艺)、山梨工厂(山梨县中央市/IGBT后端)工艺),以及美国和亚洲的工厂(还在中国、韩国、泰国、印度)和英国设有销售办事处。员工人数:1054人(截至......
成公司首条全自动IGBT封装测试生产线,目前正在开展产品工艺流程优化相关工作。 国电南瑞此前表示,IGBT业务是公司重点培育的战略新兴产业之一。公司主要开展了1200V、1700V......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片;3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微电子近期宣布,其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。新款......
的3D模块封装结构 下图是另一种3D模块封装结构,该结构通过低温共烧陶瓷工艺,实现了功率芯片和驱动电路的垂直互连,该结构还可以方便地将被动元件集成在低温共烧陶瓷衬底上。 IGBT模块......
IGBT工艺平台的8英寸代工厂。 多年厚积薄发,华虹宏力已在高端功率器件应用市场占据重要地位。比如,在对安全、可靠性要求严苛的汽车电子市场,华虹宏力代工的MOSFET已应用于汽车的油泵、AC/DC转换......
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT;美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated......
突破!晶能车规级IGBT产品流片成功;近日,浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯......
突破!晶能车规级IGBT产品流片成功;近日,浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯......
芯能半导体推出1200V600A C2模块; 【导读】芯能半导体新推出一款1200V600A C2模块,该模块采用芯能自主研发的基于MPT工艺IGBT芯片以及发射极控制技术的FRD芯片......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件;功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们......
黑华南电子生产设备展顺应发展趋势,倾情打造半导体封装及制造展区。主题专区将集中展示SiP系统级封装、FOPLP扇出型面板级封装、IGBT模块封装、mini LED背光模组COB工艺等板块,为电......
;IF(A)(Tc=25℃):20A;IF(A)(Tc=100℃):10A。 FHF20T60A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺......

相关企业

晶川电子公司于1996年率先在中国市场推广西门子/EUPEC IGBT模块,由于西门子/EUPEC IGBT采用NPT工艺,具有最优的性能价格比以及晶川的工程师能提供有效的IGBT应用技术服务,取得
产品为富士电机二极管、叁极管、场效应管、电源管理IC、富士IGBT模块及富士IPM、富士PIM、富士IGBT驱动、功率模块等。 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国代理商 富士IGBT
产品为富士电机IGBT模块,富士电机IPM模块,富士电机PIM功率集成模块,富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国
产品为富士电机IGBT模块,富士电机IPM模块,富士电机PIM功率集成模块,富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国
;威柏电子有限公司;;Westpac Electronics(威柏电子)创办於1992年,为日本富士电机(FUJI ELECTRIC)半导体器件之中国及香港地区独家代理。 主要产品为富士电机IGBT
产品为富士电机IGBT模块,富士电机IPM模块,富士电机PIM功率集成模块,富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国
;山东荣泰IGBT中频电炉,IGBT电炉,IGBT电源;;
产品为FUJI富士电源IC,FUJI富士MOSFET,FUJI富士三极管,FUJI富士超快恢复二极管,FUJI富士肖特基二极管,FUJI富士单管IGBT,FUJI富士Super J-MOS,FUJI富士
产品为富士电机IGBT模块,富士电机IPM模块,富士电机PIM功率集成模块,富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士电机简介: 富士电机早在1923年成立以来,一直致力于技术革新和挑战,为顾
产品为富士电机IGBT模块,富士电机IPM模块,富士电机PIM功率集成模块,富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士电机简介: 富士电机早在1923年成立以来,一直致力于技术革新和挑战,为顾