【导读】芯能半导体新推出一款1200V600A C2模块，该模块采用芯能自主研发的基于MPT工艺的IGBT芯片以及发射极控制技术的FRD芯片。封装兼容62mm。该产品具有超低的饱和压降、超低开关损耗的特点，内置全电流正温度系数续流二极管，利于多并联使用，主要应用在光伏、储能、电机控制器等领域。

芯能半导体新推出一款1200V600A C2模块，该模块采用芯能自主研发的基于MPT工艺的IGBT芯片以及发射极控制技术的FRD芯片。封装兼容62mm。该产品具有超低的饱和压降、超低开关损耗的特点，内置全电流正温度系数续流二极管，利于多并联使用，主要应用在光伏、储能、电机控制器等领域。

该C2模块由芯能半导体自建的自动化封装制造专线生产，可以实现模块的常温、高温动静态测试筛选，以及器件参数的分档，满足模块并联使用和高可靠性的要求。

竞品参数对比

产品特点

1、C2系列封装（兼容62mm）

2、IGBT采用MPT芯片技术，超低开关损耗，超低Vcesat

3、FRD采用正温度系数，利于多并联使用

4、低寄生电感

5、成本比ME4产品低20%

应用领域

拓扑结构

测试波形对比

1、2.5倍电流波形@150℃

2、短路波形@150℃

自动化封装线

芯能半导体有一条专门生产C2的模块的专线，全制程、全工序生产作业配备有先进的工艺自动化上下料系统： 以实现高效的生产和一致的产品质量。

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