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能力未必能保护好电机控制器，现实工况很复杂。 01 IGBT结温估算现实意义 结温是判定IGBT处于安全运行的重要条件，IGBT的工作结温限制着控制器的最大输出能力。 IGBT过热损坏影响严重，有很......
“结温”只是一个粗略估算值。结和热系统剩余部分的不同点温度不同。 在很多应用中，结温估算值就已足够。此时，有两种方法可以得出该估算值，具体如下： 瞬态热阻抗瞬态热阻抗（或者更准确地说，叫热......
损耗和分布电容引起的附加损耗，其中主要损耗为导通损耗、开通损耗、关断损耗和反向恢复损耗，以下对这4 种损耗的计算方法进行研究。 1.2.1 导通损耗估算方法 由于SiC 和IGBT 导通过程中存在压降，因此......
ΨJT。这些参数使稳态下的结温估算变得非常简单。本文将讨论热瞬态行为以及热阻抗的相关基本理论。 热参数概述 倒装芯片封装的热特性由参数 θJA、ΨJT 和 ΨJB 表征。θJA 是结至环境热阻（以......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算;与大多数功率半导体相比， 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 和二极管芯片。为了......
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型;1. 简介 电机控制器的功率模块，即IGBT器件和续流二极管，在开关和导通电流会产生损耗，损失的能量会转化成热能，表现为功率模块发热。电机控制器功率模块的可靠性和寿命极大地受到工作结温......
基于汽车IGBT模块功率循环寿命的研究;针对汽车 IGBT 模块的主要失效原理和引线键合寿命短板，结合仿真分析进行了功率循环试验设计，结温差ΔTj 和流经键合线的电流 IC 是影......
汽车IGBT模块功率循环试验设计;摘  要  针对汽车 IGBT 模块的主要失效原理和引线键合寿命短板，结合仿真分析进行了功率循环试验设计，结温差 ΔTj 和流经键合线的电流 IC 是影......
AN 以上述应用笔记中IGBT模块的PC曲线及其PC寿命计算为例，如图3所示，典型IGBT功率模块的PC曲线，及其Ton时间的折算曲线，通过实际应用中IGBT的结温Tvj波动(Tvjmax和ΔTvj......
MOSFET与硅IGBT的对比测试，结果显示，在许多关键参数方面，650V SIC MOSFET远胜硅IGBT。这个三相逆变器模块采用双极性PWM控制拓扑，具有同步整流模式。两种器件都是按照结温小于绝对最大额定结温......
3 × 3 和 5 × 6 封装是一个非常保守的假设。其他封装会有不同的热阻。 估算结温 TJ 下面使用测得的 TCASE 和 MOSFET 的实际功耗来计算 TJ。下一......
电极双管 *有带预导热材料型号 新的PrimePACK™ 2300V IGBT模块主要是为1500V逆变器开发的。它的特点是在1500V工作......
化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4; PrimePACK™ 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP™ IGBT4......
际应用中不用电压霍尔采样电压，而是直接利用电流内环的调节器输出，通过坐标变换得出电机的相电压，或者通过PWM波占空比和母线电压来估算相电压。估算电压代替采样电压，一方面取消了电压采样电路和电压霍尔，降低了硬件成本；另一......
)。我们为N-FET选择 50 ns开/关，为IGBT选择200 ns。 N-FET结温：对于表面贴装封装(无散热器)的(T j) 由 T j = P DISS x R θJA + Ambient 计算......
平面工艺等先进工艺，是生产单芯片工作电压从5V-600V的业内最齐全的器件制造商，在同类工艺比较中，里阳半导体相对同行产品低压漏电流更低，高压浪涌承受能力更强，且平面和台面芯片均可承受150℃结温并且拥有生产175......
在几乎所有电力电子领域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于体硅的功率器件，从而进入电动汽车、轨道交通、船舶、太阳能、风能、电网及储能等等应用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率；更为重要的进步，将是充分发挥碳化硅的性能优势，从而......
及储能等等应用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率；更为重要的进步，将是充分发挥碳化硅的性能优势，从而能够实现原本体硅IGBT难以实现或根本不能做到的应用，为系......
%，峰值可达97%以上。 在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。 在500W便携......
低VF，减少开关损耗，可在高达175℃的结温（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场;2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V......
系列）版本。所有器件都含一个优化的二极管，实现低VF，减少开关损耗，可在高达175℃的结温（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额......
并联运行（正温度系数） Tj = 175°C（最大结温） 高输入阻抗 符合 RoHS 标准 飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术，可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些......
模块对产品性能和质量的要求要明显高于消费和工控领域, 需要通过严格的车规认证, 汽车 IGBT 模块测试标准主要参照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中温度冲击, 功率循环, 温度循环, 结温......
成为降压转换器。 降压转换电路 降压转换器用作电压调节器，同时利用 BJT、MOSFET 或 IGBT 等半导体部件的开关动作。Q1 会不断开关，D1 充当续流二极管，L1 将充电和放电，而 C1 将存......
集团 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 表示：“此次，赛米控丹佛斯采用的RGA系列产品，其最高结温（Tj，max）高达175℃，是罗姆新设计的弱穿通结构的沟槽栅IGBT。该系列产品在导通、开关......
功率半导体器件市场迎来了爆发式的增长。 车规级功率半导体器件由于高工作结温、高功率密度、高开关频率的特性，伴随着车用场景中更严苛的使用环境，对功率器件的可靠性验证提出了更高的要求。 在因......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场; 全新1200 V器件提供领先市场的导通和开关性能领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国......
母线电压和 550Arms 功率传输，在相同散热条件下，SiC 模块的 Tvj（结温）(111°C) 比 IGBT (142°C) 低 21%。 ■ 与 IGBT 相比，NVXR17S90M2SPB......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪，基于国际标准的静态实验方法JESD51-1，测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您;在高压开关电源应用中，相较传统的硅和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）有明显的优势。使用硅可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它......
一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间......
汽车中使用 SiC 取代 IGBT 功率模块可显著改进性能，尤其是在主驱逆变器中，因为这有助于显著提高车辆的整体能效。轻型乘用车主要在低负载条件下工作，在低负载下，SiC 的能效优势比 IGBT 更加明显。车载......
IGBT 功率模块可显著改进性能，尤其是在主驱逆变器中，因为这有助于显著提高车辆的整体能效。轻型乘用车主要在低负载条件下工作，在低负载下，SiC 的能效优势比 IGBT 更加明显。车载充电器 (OBC......
动/混动汽车中使用 SiC 取代 IGBT 功率模块可显著改进性能，尤其是在主驱逆变器中，因为这有助于显著提高车辆的整体能效。轻型乘用车主要在低负载条件下工作，在低负载下，SiC 的能......
源汽车销量约为22万辆。据中金公司估算，比亚迪新能源汽车中，自供IGBT比例应超过70%，中金估算比亚迪车规IGBT模块2019年出货量约为20万套，营收约为6亿元，考虑到工控领域的进展，年营......
模块的 Tvj（结温）(111°C) 比 IGBT (142°C) 低 21%。 ■ 与 IGBT 相比，NVXR17S90M2SPB 的平均开关损耗降低了 34.5%，NVXR22S90M2SPB......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT......
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生;绝缘栅双极电晶体(IGBT)，这种颠覆性的功率电晶体在20世纪80年代早期实现商业化，对电力电子行业产生了巨大的积极影响，它实现了创新的转换器设计、提高......
RDS(ON)与它的结温(TJ)有关。话说回来，TJ又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻(ΘJA)。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们......
以轻松调整以保护线路和负载。这三种检测方法可以通过软件或LIN接口轻松配置。最左边的蓝色检测方法使用结温估计算法来描述跳闸行为。此算法使用电流测量值、环境温度测量值、SiC MOSFET的RDS(on)和热设计特性来估计SiC......
2020年9月，中车时代电气年产能24万片8英寸车规级IGBT芯片生产线下线，是为国内首条、全球第二条。其攻克了高压 IGBT 制造关键技术和成套工艺，是国内唯一自主掌握高铁动力IGBT芯片......
有机会低个位数季增，并正式终止连7季年减，转年增中个位数，Q2看持续往上增温估季增5%左右并年增高个位数，今年全年营收有机会年增低双位数重返1,200亿元......
控丹佛斯采用的RGA系列产品，其最高结温(Tj，max)高达175℃，是罗姆新设计的弱穿通结构的沟槽栅IGBT。该系列产品在导通、开关和热特性方面，均针对最新的中低功率工业驱动应用进行了优化。另外，在电......
ST 隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣; 【导读】意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统......
数使用功率集成模块(PIM)。安森美半导体提供分立的IGBT、碳化硅（SiC）MOSFET和创新的VE-Trac系列PIM，以及IGBT和快速恢复二极管的裸芯片，构建主驱逆变器相。所有......
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块; 【编者按】赛米控丹佛斯与罗姆在IGBT多源供应方面进一步加强合作赛米控丹佛斯(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部......
方案的损耗与结温仿真结果如下。 可以看到在使用推荐的方案，IGBT工作于16kHz，SiC工作于32kHz时，在典型的满载工况下，单管的损耗与结温都有充足的裕量。因此......
市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。 而 大 部 分 的 SiC 都 没 有 标 出 短 路......

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