资讯
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型(2023-09-12)
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型;1. 简介
电机控制器的功率模块，即IGBT器件和续流二极管，在开关和导通电流会产生损耗，损失的能量会转化成热能，表现为功率模块发热。电机控制器功率模块的可靠性和寿命极大地受到工作结温......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算;与大多数功率半导体相比， 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 和二极管芯片。为了......
新能源汽车电机控制器技术及趋势(2024-02-09)
况恶劣的情况下，很危险。
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基于NTC的IGBT结温估算
根据工作参数，如电压电流频率，做精确的热仿真，提取热流参数，计算校正，提前预估IGBT结温。经过测试、仿真与软件模型互相校验，最终结温估算误差±3......
基于汽车IGBT模块功率循环寿命的研究(2023-08-09)
尔兹曼常数；Tjm 为平均结温；EA 为激活能；β1, β2, β3 为计算值，与功率器件结构及材料有关，无实际物理意义。
对于功率IGBT模块，式中的激活能EA通常取0.168eV 。上述......
汽车IGBT模块功率循环试验设计(2024-01-15)
：Nf 为模块寿命；K 为玻尔兹曼常数；Tjm 为平均结温；EA 为激活能；β1, β2, β3 为计算值，与功率器件结构及材料有关，无实际物理意义。
对于功率IGBT模块，式中的激活能EA通常......
OBC PFC车规功率器件结温波动与功率循环寿命分析(2023-11-01)
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以上述应用笔记中IGBT模块的PC曲线及其PC寿命计算为例，如图3所示，典型IGBT功率模块的PC曲线，及其Ton时间的折算曲线，通过实际应用中IGBT的结温Tvj波动(Tvjmax和ΔTvj......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
功率电能变换领域，SiC 模块替代IGBT 模块成为了可能，因此对SiC 与IGBT 模块开展的对比研究很有现实意义。
针对SiC 模块的应用研究，目前主要集中在动态性能、功率损耗计算......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
MOSFET与硅IGBT的对比测试，结果显示，在许多关键参数方面，650V SIC MOSFET远胜硅IGBT。这个三相逆变器模块采用双极性PWM控制拓扑，具有同步整流模式。两种器件都是按照结温小于绝对最大额定结温......
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点(2024-09-18)
)。我们为N-FET选择 50 ns开/关，为IGBT选择200 ns。
N-FET结温：对于表面贴装封装(无散热器)的(T j) 由 T j = P DISS x R θJA + Ambient 计算......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
LDO参数指标浅谈(2023-03-29)
越高内核耐热性越好，其中ƟJA和ƟJC越小越好。
在使用中要确保芯片的内核温度TJ不会超过芯片标定的正常运行最大结温。元器件结温计算：TJ=TA+θJA·PH。
5. 纹波/噪声
PSRR衡量......
不会设计降压转换电路？一定不要错过这一文，工作原理+设计步骤(2024-11-20 12:53:06)
– 器件的最高结温
Tamax – 最高工作环境温度
Rthjc – 结到外壳的热阻
如果需要计算器件的实际结温......
选购电子体温计需注意哪些问题(2024-01-24)
选购电子体温计需注意哪些问题;下面就以问答的形式，说说选购体温计产品时，应该要知道的必备常识。
Q：体温计常用的有哪些呢？
A：水银体温计：水银体温计依然是目前最常用的体温计，既可以测腋下体温，也可......
首轮融资数亿元，又一家功率半导体器件厂商获资本青睐(2022-03-30)
管、TSS等防护产品，产品被广泛应用于通信系统，计算机、消费类电子产品、智能家电、照明、汽车电源管理、智能安防等市场领域。
里阳半导体拥有低漏电、低压台面玻璃钝化工艺和超低漏电、低压......
英飞凌推出基于TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK的兆瓦级T型三电平桥臂模块(2023-01-24)
电极双管
*有带预导热材料型号
新的PrimePACK™ 2300V IGBT模块主要是为1500V逆变器开发的。它的特点是在1500V工作......
红外高温计的原理构造、测量优点和应用分析(2023-06-02)
红外高温计的原理构造、测量优点和应用分析;一、红外测温仪温度测量的优点
通过接收被测体辐射的红外线而进行的非接触温度测量有很多的优点。这样那些难以接触到或运动着的物体就可毫无问题的进行温度测量，如传......
电子体温计中NTC热敏电阻应用介绍(2023-03-22)
电子体温计中NTC热敏电阻应用介绍;热敏电阻
天气骤冷开始降温，再加上放开，许多人都开始中招了。冬天是感冒高发期，大家一定要注意保暖不要着凉。但许多人疑似感冒发烧不知道体温多少怎么办？
正常......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪，基于国际标准的静态实验方法JESD51-1，测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
车规级 | 功率半导体模块封装可靠性试验-热阻测试(2024-07-05)
变化。
5.和未升温前的环境温度相计算结温差，配合功率即可算出结环热阻。
6.热阻等于温升除以功率，Rthjc=△T/△P
双界......
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4(2023-10-12 15:05)
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4;
PrimePACK™ 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP™ IGBT4......
简述功率MOSFET电流额定值和热设计(2022-12-21)
晶体管产生开关损耗。必须通过计算得出这些开关损耗，并将其添加到传导损耗
• 开关模式下功率器件的选择取决于浪涌要求，而非连续直流电流额定值和载流能力
只要第三节描述的第2种情况和第3种情况有效，我们就可以使用基本的热值方程式计算出结温......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
在设计时通过不同的充放电回路来设置不同的Rgon和Rgoff；栅极电阻对IGBT的开关性能影响较大，在调整该值时，除了理论计算外，工程师会结合双脉冲试验的测试数据来验证并调整，以达......
平创半导体与CISSOID共建高功率密度和高温应用中心(2022-10-18)
在几乎所有电力电子领域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于体硅的功率器件，从而进入电动汽车、轨道交通、船舶、太阳能、风能、电网及储能等等应用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率；更为重要的进步，将是充分发挥碳化硅的性能优势，从而......
平创半导体与CISSOID共建高功率密度和高温应用中心(2022-10-17)
及储能等等应用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率；更为重要的进步，将是充分发挥碳化硅的性能优势，从而能够实现原本体硅IGBT难以实现或根本不能做到的应用，为系......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
了关于这一点的详细分析。
由于结构的对称性，仅给出了T1、T3和D1、D3的损耗。导通损耗可按以下公式计算：
然后计算T1和T3的导通损耗，并归一化为T1和T3之和。为简化分析，IGBT的V-I输出特性与FWD相同。从图3......
【慕尼黑华南电子展】蓉矽半导体圆满收官！(2022-11-18)
%，峰值可达97%以上。
在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。
在500W便携......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
低VF，减少开关损耗，可在高达175℃的结温（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场;2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-23)
系列）版本。所有器件都含一个优化的二极管，实现低VF，减少开关损耗，可在高达175℃的结温（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额......
通过使用具有顶部冷却功能的 SMD 封装来提高 DC-DC 转换器的性能(2022-12-11)
功率 (3kW) 的 10%、20%、50%、75% 和
100%。开关损耗、驱动器损耗和二极管损耗是相同的，因为功率损耗模型是在谐振频率下计算它们的。
功率损耗的第一次分析有助于根据结温 (Tj) 找出......
飞兆半导体推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT(2013-12-06)
并联运行（正温度系数） Tj = 175°C（最大结温） 高输入阻抗 符合 RoHS 标准
飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术，可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些......
新能源汽车IGBT功率器件温度测试方案(2024-04-15)
模块对产品性能和质量的要求要明显高于消费和工控领域, 需要通过严格的车规认证, 汽车 IGBT 模块测试标准主要参照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中温度冲击, 功率循环, 温度循环, 结温......
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块(2023-04-26)
集团 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 表示：“此次，赛米控丹佛斯采用的RGA系列产品，其最高结温（Tj，max）高达175℃，是罗姆新设计的弱穿通结构的沟槽栅IGBT。该系列产品在导通、开关......
安森美将在PCIM Asia 2024展示创新的电源技术(2024-08-12)
模块的电动压缩机方案
· 基于最新第七代1200V IGBT的QDual3模块和 NCD57050 IGBT栅极驱动器的商用农用车辆300kW液冷主驱方案
48V系统和车身电子
· 包含......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-22 09:21)
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场;
全新1200 V器件提供领先市场的导通和开关性能领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
。采用并联LED驱动器最大化输入网络的CMTI，减少了共模噪声脉冲转换为正常模式LED驱动信号的危险。
如何计算FOD3120功率МOSFET / IGBT栅极驱动光电耦合器的最大开关频率
为了计算......
AOS推出低导通电阻的30V MOSFET(2022-12-06)
冲宽度10ms,Vds=10V条件下具有强壮的SOA鲁棒性。这款新型30V MOSFET采用紧凑的DFN 5x6封装，在Vgs=10V时，Rd(son)最大值仅为0.58mΩ。此外，AONS30300最大结温......
AOS推出低导通电阻的30V MOSFET(2022-12-06 14:57)
紧凑的DFN 5x6封装，在Vgs=10V时，Rd(son)最大值仅为0.58mΩ。此外，AONS30300最大结温高达175℃。AOS MOSFET产品线总监Peter H. Wilson表示：“可靠......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2024-07-12)
母线电压和 550Arms 功率传输，在相同散热条件下，SiC 模块的 Tvj（结温）(111°C) 比 IGBT (142°C) 低 21%。
■ 与 IGBT 相比，NVXR17S90M2SPB......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您;在高压开关电源应用中，相较传统的硅和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）有明显的优势。使用硅可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(2023-03-21)
一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间......
安森美将在PCIM Asia 2024展示创新的电源技术(2024-08-12)
最新第七代1200V IGBT的QDual3模块和 NCD57050 IGBT栅极驱动器的商用农用车辆300kW液冷主驱方案
48V系统和车身电子
包含电源模块、PowerTrench® T10......
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡(2023-09-15)
汽车中使用 SiC 取代 IGBT 功率模块可显著改进性能，尤其是在主驱逆变器中，因为这有助于显著提高车辆的整体能效。轻型乘用车主要在低负载条件下工作，在低负载下，SiC 的能效优势比 IGBT 更加明显。车载......
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡(2023-09-19)
IGBT 功率模块可显著改进性能，尤其是在主驱逆变器中，因为这有助于显著提高车辆的整体能效。轻型乘用车主要在低负载条件下工作，在低负载下，SiC 的能效优势比 IGBT 更加明显。车载充电器 (OBC......
芯力特Mini LIN SBC SIT1028Q应用方案(2023-10-07)
动/混动汽车中使用 SiC 取代 IGBT 功率模块可显著改进性能，尤其是在主驱逆变器中，因为这有助于显著提高车辆的整体能效。轻型乘用车主要在低负载条件下工作，在低负载下，SiC 的能......
车规级半导体分立器件质量保证要求研究(2024-06-04)
的变化控制加电和断电，并给出了结温变化 100 ℃和 125 ℃两个条件。
对于循环次数，AEC Q101D 版和 AEC Q101E 版规定需要进行的循环次数，同时又提供了计算循环次数的公式。以结温......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2023-10-19)
模块的 Tvj（结温）(111°C) 比 IGBT (142°C) 低 21%。
■ 与 IGBT 相比，NVXR17S90M2SPB 的平均开关损耗降低了 34.5%，NVXR22S90M2SPB......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT......
安森美将在PCIM Asia 2024展示创新的电源技术(2024-08-12)
美将展出多款重磅产品，包括：
基于EliteSiC技术的电动汽车主驱逆变器参考设计
基于EliteSiC技术的车载充电解决方案
基于ASPM功率模块的电动压缩机方案
基于最新第七代1200V IGBT的......
安森美将在PCIM Asia 2024展示创新的电源技术(2024-08-12 11:00)
美将展出多款重磅产品，包括：• 基于EliteSiC技术的电动汽车主驱逆变器参考设计• 基于EliteSiC技术的车载充电解决方案• 基于ASPM功率模块的电动压缩机方案• 基于最新第七代1200V IGBT......
相关企业
;深圳阳泰科技有限公司;;我公司主要生产热敏电阻和温度传感器,现有大量体温计热敏电阻和薄膜的热敏电阻(韩国的晶元)的现货,另代营西门子IGBT和立正全桥硅堆IC等器件.有一定的库存.
;东莞市稳旭五金制品有限公司;;本公司为外商独资企业，引进日本先进的生产设备和生产技术，对不锈钢拉伸件有着多年的生产经验，技术精湛。 本公司专业生产电子体温计系列各种配件，五金配件部分有体温计
;深圳市广益顺光电有限公司;;我公司专业生产LED数码管、点阵、多彩屏、 背光源，LCD 液晶屏，产品广泛用于电磁炉、计算器、电度表、烫发夹 、汽车音响、温控器、数显卡尺、空调遥控器、空调风扇、体温计
;深圳广电子益;;深圳广益电子有限公司专业生产LED数码管、点阵、多彩屏、 背光源，LCD 液晶屏，产品广泛用于电磁炉、计算器、电度表、烫发夹 、汽车音响、温控器、数显卡尺、空调遥控器、空调
;杭州世佳电子有限公司国内部;;我们是杭州世佳电子有限公司，专业生产电子体温计，产品全部销往国外，年产量在200万支以上，在国内我公司属于大型电子体温计生产厂家，“电子体温计能快速、准确
;电子体温计厂;;
;深圳市永盟电子科技;;深圳市永盟电子科技有限公司主要从事红外线耳温计,红外线额温计,红外测温仪， 10S快速电子体温计，电子水温计，手腕式血压计的技术开发及其核心电子零件销售；并为
;深圳市凌杰电子商行;;主营『IR』『TI』『NXP』『VISHAY』『INFINEON』等产品全系列IC,军工、民用、通讯、计算机、游戏机及停产偏冷门IC，兼营三极管、场效应、IGBT、稳压IC
;莆田市超威电子科技有限公司;;莆田市超威电子科技有限公司系香港超能高科技国际（集团）有限公司在国内投资企业。公司成立于2001年，有两个产业部：计算器产业部主要生电子计算器，电子钟表。医疗
;上海耀信电子经营部;;上海耀信电子经营部是品牌医疗三高用品专卖店，主营强生血糖仪及试纸、罗氏血糖仪及试纸、利舒坦血糖仪及试纸、欧姆龙血压计、洁碧冲牙器、松下血压计、瑞宝血压计、百绿血压计、倍尔康体温计