igbt半桥模块
宏微科技推出1700V IGBT产品，广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域; 【导读】针对以上两种应用，宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块
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宏微科技推出1700V IGBT产品，广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域; 【导读】针对以上两种应用，宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块...
年产90万套！浙江嘉兴SiC半桥模块制造项目签约;据嘉兴国家高新区视野消息，2月1日，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约仪式举行。 SiC半桥模块制造项目由浙江晶能微电子有限公司（“晶能...
引用地址： XHP3_IGBT XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块...
包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对...
所示，是一个62mm半桥模块的寄生电感，约为20nH。 表1 62mm 半桥模块的寄生电感 当IGBT关断时，变化的电流di/dt会在回路寄生电感上产生电压，这个感应电压会叠加在母线电压上，使得...
模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联并且缩小尺寸。以前，并联模块需要复杂的母线，令设...
包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对...
总投资10亿元，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约;近日嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约仪式举行。据悉，SiC半桥模块制造项目由晶能微电子与星驱技术团队共同出资设立，重点布局车规SiC...
XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块...
IGBT/SiC模块门极驱动器 SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100...
晶能SiC半桥模块试制成功; 近日，晶能首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。 晶能SiC半桥模块 该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合...
门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块...
晶能微电子携手嘉兴国家高新区，10亿元SiC半桥模块制造项目签约;2月1日，嘉兴国家高新区视野消息显示，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约仪式举行。据悉，该项目由浙江晶能微电子有限公司（以下...
IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内...
IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内...
，50A SiC 半桥模块 19...
全桥模块 35 UHB50SC12E1BC3N 1200V，50A SiC 半桥模块 19 UHB100SC12E1BC3N 1200V...
在全球范围内提高产量的投资，特别是在碳化硅方面，进一步使公司能够支持大众快速扩大电动汽车生产。 据了解，EV逆变器解决方案由安森美的EliteSiC 1200V 3x半桥模块组成，该系...
又有三个碳化硅相关项目迎来新动态。 2月1日，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约仪式举行。该项目由浙江晶能微电子有限公司与星驱技术团队共同出资设立，重点布局车规SiC半桥模块。项目总投资约10亿元...
操作区域）评级。 ● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应） 主要是用在传统车上，取代传统的器件。 ● GAN的应用案例（半桥模块） 主要应用在功放，功率电源，DCDC和车...
操作区域）评级。 ● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应） 主要是用在传统车上，取代传统的器件。 ● GAN的应用案例（半桥模块） 主要应用在功放，功率电源，DCDC和车...
900A 1200V IGBT半桥模块而设计。 Power Integrations推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV，为巴士、卡车以及建筑和农用电动汽车提供强大动力 紧凑...
达克股票代号：POWI）今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi...
更大功率的系统，通常采用半桥模块来拼搭三电平电路，在构成I-NPC三电平电路时，主要采用下图所示方案，短换流工况时只涉及一个半桥模块，长换流回路则会涉及所有三个功率模块，因此在功率模组设计中，母排...
功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK™ SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。 工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个...
SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。本文引用地址：工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个 600V超快二极管整流桥、一个 1200V 半桥全波整流模块...
营收同比增长500%，模块产品营收同比增长35%。 并且，扬杰科技还在不断加快SGT-MOSFET、SJ-MOSFET等高端产品布局，攻克IGBT高频系列模块、IGBT变频器系列模块以及相应的半桥模块...
半导体先进的ACEPACK™ SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。 工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个 600V超快二极管整流桥、一个...
的功率密度。 工程师有五款产品可选：两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、一个 600V超快二极管整流桥、一个 1200V 半桥全波整流模块和一个1200V晶闸管半桥整流模块。所有...
动汽车逆变器解决方案由安森美的 EliteSiC 1200 V 3x 半桥模块组成，支持前轴和后轴逆变器，覆盖广泛的功率范围。 ...
动汽车逆变器解决方案由安森美的 EliteSiC 1200 V 3x 半桥模块组成，支持前轴和后轴逆变器，覆盖广泛的功率范围。 ...
美半导体的VE-Trac系列PIM，提供同类最佳的电气和热性能，支持两个主驱逆变器设计平台：VE-Trac™Dual和VE-Trac™Direct。 VE-Trac Dual结合双面散热 （DSC）半桥模块...
IGBT/SiC模块门极驱动器 新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内...
IGBT7半桥模块。 此外，在这一展区展出的英飞凌分立式OptiMOS™和CoolMOS™器件、200kW储能用 EasyPACK 3B三电平模块、功能集成式EiceDRIVER™栅极驱动器IC...
求而开发的62mm封装1200V IGBT7半桥模块。 此外，在这一展区展出的英飞凌分立式OptiMOS™和CoolMOS™器件、200kW储能用 EasyPACK 3B三电平模块、功能...
进行设计。 04 尽可能使用模块 模块是一个完整的预接线 MOSFET 电路，其封装针对尺寸和热性能进行了优化。例如用于驱动三相电机的三相桥模块。它连接其他架构以创建 DC-DC 转换器或三相整流器。模块...
IGBT和SiC MOS的研制与创新，带来了GeePak碳化硅塑封模块亮相北京车展。去年9月，晶能微电子首款SiC半桥模块M1试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。在模块布局方面，今年2月消息，嘉兴...
%，PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品，而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET，是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同，只用...
三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品; 【导读】三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块...
三菱电机开始提供集成SBD的SiC－MOSFET模块样品;三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘...
动汽车逆变器解决方案由安森美的 EliteSiC 1200 V 3x 半桥模块组成，支持前轴和后轴逆变器，覆盖广泛的功率范围。 ...
我们能够更好地支持大众汽车集团快速扩大电动汽车的生产规模。” 该电动汽车逆变器解决方案由安森美的 EliteSiC 1200 V 3x 半桥模块组成，支持前轴和后轴逆变器，覆盖广泛的功率范围。 ...
IGBT7和1200V SiC二极管构成, 能有效降低IGBT的开关损耗；另外还有专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发的62mm封装1200V IGBT7半桥模块...
可用3个半桥的模块来实现150 kW功率，也可把两个这样的模块合在一起来实现300 kW功率。这种总计6个半桥模块的整合，所占用的空间与3个板桥模块没有太大的差异。还需注意，在双面冷却的模块里，其中...
项目签约落地或进行环评公示，这些项目都在进行开工前准备工作。 从投资规模来看，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目、赛达半导体SiC外延项目、连城数控第三代半导体设备研发制造项目、摩珂达SiC项目、江西...
是具有双向充电功能的更优化解决⽅案。DAB变换器具有较少的元器件，且用在⾼功率直流快速充电桩应⽤中无需串联谐振电容，安森美使用NXH010P120M3F1半桥模块开发了25kW 直流快速充电桩参考设计以演示这种拓扑结构。对于...
“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。 全球...
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级 美国 宾夕...
基于纳微半导体GeneSiC芯片建造，GeneSiC凭借着卓越的性能、可靠性和坚固性而广为人知。 其中一个显著的例子是SiCPAK半桥模块，额定为6毫欧、1,200伏...
代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS...
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;联众电子有限公司河南分公司;;联众电子有限公司位于中国电子商场，联众电子有限公司是一家IGBT、IGBT、变频专用功率集成模块、整流桥模块、二极管模块、可控硅模块、IGBT模块
;上海傲兴电子有限公司;;公司主营SEMIKRON西门康、Tyco泰科全系列产品，包括IGBT模块，可控硅模块，整流桥模块，二极管模块，整流桥模块等； 以及DACO大科快恢复二极管、肖特
;深圳市福田区欣和科电子展销部;;代理经销以下著名品牌功率半导体器件A;日本SanRex公司可控硅模块、整流桥；焊机专用可控及快速二极管。B;德国SEMIKRON公司IGBT模块、可控硅模块、单三相整流桥模块
、三社、东芝、西门子、西门康、三垦、摩托罗拉、IR、EUPEC、IXY、IGBT模块、可控硅模块、三相整流桥模块等产品的经销批发的个体经营。西安联众工业模块销售中心经营的三菱、富士、三社、东芝、西门
的服务与多家企业建立了长期的合作关系。深圳市福田区兴荣高科电子商行热诚欢迎各界朋友前来参观、考察、洽谈业务。主营IPM模块;PIM模块;IGBT模块;可控硅模块;快恢复模块;GTO模块;GTR模块;MOSEF模块;IEGT模块;IGCT
、IGBT单管、IGBT驱动电路和驱动板、单三相整流桥模块、IPM模块、PIM模块、GTR达林顿模块快恢复二极管、肖特基二极管等。 品牌：英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、西门康、富士、三菱、新电
;矽电混合器件（深圳）有限公司;;本公司专业经销：Infineon（英飞凌）：IGBT模块、PIM模块、可控硅模块。MIT(三菱)：IGBT模块、IPM模块、整流桥模块、IC。 本公
、单.三相整流桥模块。 C; 德国Eupec公司IGBT模块、PIM模块。 D; 美国IXYS公司快速恢复二极管模块、快速二极管、场效应管、可控硅模块。 E; 日本MITSUBISHI公司IGBT
;北京浩诚嘉泰科技有限公司;;北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业，专业电子元器件代理，.GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二极管，场效
、IGBT模块、IPM模块、PIM模块、可控硅模块、二极管模块、整流桥模块。我公司长期备有大量现货为新老客户提供优质的产品及快捷的供应服务体系。