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意法半导体的 PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路，能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。
不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%，PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品，而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET，是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同，只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计，这让内部MOSFET管没有一个被闲置。新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。
利用意法半导体的高压 BCD6s-Offline制造工艺，PWD13F60集成了功率 MOSFET栅驱动器和上桥臂驱动自举二极管，这样设计的好处是简化电路板设计，精简组装过程，节省外部元器件。栅驱动器经过优化改进，取得了高开关可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能，有助于进一步降低占位面积，同时确保系统安全。
PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的宽工作电压，配置灵活性和设计简易性得到最大限度提升。此外，新系统封装输入引脚还接受 3.3V-15V逻辑信号，连接微控制器(MCU)、数字处理器(DSP)或霍尔传感器十分容易。
PWD13F60即日上市，采用高散热效率的多基岛VFQFPN封装。
按照新摩尔定律(MtM)多元化设想，意法半导体正在推动其BCD (集成双极-CMOS-DMOS)工艺向高电压、高功率和高密度三个方向发展。BCD6s-Offline是一项0.32µm高压制造工艺，另外两个高压技术 是 BCD6s-SOI 和 0.16µm BCD8s-SOI，而BCD8sP和 0.11µm BCD9s是高密度制造工艺。凭借其BCD制造技术组合以及系统封装(SiP)技术专长（另一项MtM技术，在同一个封装内叠放或平铺多颗裸片），意法半导体有能力提升产品性能，缩短新产品研发周期，按照智能功率应用的需求提供特定的功能。高度优化、尺寸紧凑的PWD13F60是意法半导体利用其在 MtM技术上的领先优势开发出来的最新产品。
不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%，PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品，而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET，是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同，只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计，这让内部MOSFET管没有一个被闲置。新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。
利用意法半导体的高压 BCD6s-Offline制造工艺，PWD13F60集成了功率 MOSFET栅驱动器和上桥臂驱动自举二极管，这样设计的好处是简化电路板设计，精简组装过程，节省外部元器件。栅驱动器经过优化改进，取得了高开关可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能，有助于进一步降低占位面积，同时确保系统安全。
PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的宽工作电压，配置灵活性和设计简易性得到最大限度提升。此外，新系统封装输入引脚还接受 3.3V-15V逻辑信号，连接微控制器(MCU)、数字处理器(DSP)或霍尔传感器十分容易。
PWD13F60即日上市，采用高散热效率的多基岛VFQFPN封装。
按照新摩尔定律(MtM)多元化设想，意法半导体正在推动其BCD (集成双极-CMOS-DMOS)工艺向高电压、高功率和高密度三个方向发展。BCD6s-Offline是一项0.32µm高压制造工艺，另外两个高压技术 是 BCD6s-SOI 和 0.16µm BCD8s-SOI，而BCD8sP和 0.11µm BCD9s是高密度制造工艺。凭借其BCD制造技术组合以及系统封装(SiP)技术专长（另一项MtM技术，在同一个封装内叠放或平铺多颗裸片），意法半导体有能力提升产品性能，缩短新产品研发周期，按照智能功率应用的需求提供特定的功能。高度优化、尺寸紧凑的PWD13F60是意法半导体利用其在 MtM技术上的领先优势开发出来的最新产品。
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