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开通的信号功率为零; -- 开通过程的时间为零。 K 的关断 -- 控制关断的信号功率为零; -- 关断......
这个开关元器件，通常存在两种情况； 上半桥关断后，延迟一段时间再打开下半桥； 下半桥关断后，延迟一段时间再打开上半桥； 这样就不会同时导通，从而避免功率元件烧毁；死区时间控制在通常的单片机所配备的PWM中都......
MOSFET 的解决方案相比，可提升 1.9%-2.6%的效率，损耗减少了 50%，从而改善了热性能。 IGBT与氮化镓效率对比 减少噪音、振动以及EMI 死区时间是指关闭一个功率器件和打开......
离光伏驱动器 FDA117专为使用浮动电压源控制分立标准功率MOSFET和IGBT而设计，可确保低压驱动输入侧和高压负载输出侧之间的隔离。凭借5 mA至50 mA的输入控制电流范围、集成快速关断......
离光伏驱动器 FDA117专为使用浮动电压源控制分立标准功率MOSFET和IGBT而设计，可确保低压驱动输入侧和高压负载输出侧之间的隔离。凭借5 mA至50 mA的输入控制电流范围、集成快速关断......
mA的输入控制电流范围、集成快速关断电路和5 kVRMS的强化隔离，FDA117可提供足够的电压和电流，有效驱动分立功率MOSFET和IGBT。 FDA117与其......
能够为电机驱动应用实现更好的死区时间优化： 开关速度：与硅 MOSFET 相比，GaN FET 具有更快的开关速度。这允许对死区时间进行更精确的控制，因为 GaN FET 的关断和......
功能包括 1.2V 逻辑控制关断模式、短路电流限制和热关断保护。SGM2077A 具有自动放电功能，可在禁用状态下对 VOUT 快速放电。 圣邦......
和SPICE模拟表明，dV/dt可以被最高5.6nF的C_SNUBBER（缓冲电路电容器）有效控制在50V/ns至5V/ns范围内。   【图 4实验测量（实线）和SPICE模拟（虚线）的关闭（左）和打开......
费者评估这些附加功能时，价值和价格成为选择电磁烹饪设备越来越重要的标准。 电磁炉的核心是控制关键电源开关功能的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。因此，IGBT 是影响最终产品的效率、尺寸、可靠性和成本的关键因素。 显然，选择......
动等级和功率密度，同时降低引线电感及芯片到散热器热阻。 3.4 智能化和功能安全设计 功率电子传统意义上是一个被动的执行器件，接收指令后动作。未来的趋势是不仅简单地接收指令，还有部分判断和保护功能。例如在 IGBT 模块内集成控制......
新型负载开关集成电路是额定电流为2和4A的超高效负载开关，集成了真正反向电流阻断（TRCB）和压摆率控制功能。 其一流的效率使其成为移动和可穿戴消费电子产品的理想选择。 这些开关支持业界最低的静态电流（IQ）、低ON和关断......
逻辑控制关断模式、短路和热关断保护以及电池反接保护。该器件还包括一个自动放电功能，当器件置于关断模式时可以将输出电压对地放电。MAX1598采用5引脚SOT23封装。 应用......
是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断，其电压不可超过UGE。 3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下，允许......
少器件之间的寄生电容，避免产生耦合噪声。 由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等）。但是为了防止关断......
门极电压超过功率器件的开启电压，将会使已关闭的功率器件出现误开通现象，从而造成直流母线短路。为减少误开通的风险，传统的硅MOSFET和硅IGBT通常在驱动电路中采取构建负电压关断的方法，负压绝对值越高，抑制......
和4A的超高效负载开关，集成了真正反向电流阻断(TRCB)和压摆率控制功能。 其一流的效率使其成为移动和可穿戴消费电子产品的理想选择。 这些开关支持业界最低的静态电流(IQ)、低ON和关断电流(ISD......
高效负载开关，集成了真正反向电流阻断（TRCB）和压摆率控制功能。 其一流的效率使其成为移动和可穿戴消费电子产品的理想选择。 这些开关支持业界最低的静态电流（IQ）、低ON和关断电流（ISD），有助......
选择引脚允许每个周期在两个频率之间做出选择。 串行和并行接口可各自独立且与DDS时钟异步工作；传输控制信号在内部完成同步，防止亚稳态现象。同步器可被旁路，以降低微控制器时钟与DDS时钟同步时的传输延迟。 关断引脚允许外部控制关断......
/MAX1721工作频率为125kHz。这些器件具有高效率、小型外部元件和逻辑控制关断功能，因此非常适合电池供电和电路板级电压转换应用。 片内集成了振荡器控制电路和四个功率MOSFET开关......
装的芯片级外形节省了空间，同时集成了多种功能，如压摆率控制、真正反向电流阻断和快速输出放电。”   与以前的解决方案相比，负载开关集成电路具有以下主要优势：   ·       省电......
手册上的数据一起处理后得到两者间的开关损耗对比图｡碳化硅M0SFET和硅IGBT的关断和开通损耗如图2所示｡ 可见,在800V电压下,碳化硅M0SFET与硅IGBT相比,不管是关断损耗还是开通损耗都是碳化硅M0SFET的损耗小｡随着......
如何手动计算IGBT的损耗;现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学......
。还可以使用低电平有效SHDN输入引脚来控制关断。访问串行接口即可自动使器件上电。 MAX1112采用20引脚SSOP封装，MAX1113采用小型16引脚QSOP封装。 应用......
。还可以使用低电平有效SHDN输入引脚来控制关断。访问串行接口即可自动使器件上电。 MAX1110采用20引脚SSOP封装。MAX1111采用小型16引脚QSOP封装。 应用......
性器件更符合我们前文所述的三个理想条件之一，即理想的开关可以在导通/关断状态之间瞬间切换。   图1. 价带和导带之间较宽的能量带隙可使SiC在关断状态下成为较好的隔离器，并且能减少MOSFET的厚度 如何......
首先需要了解绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的工作原理。当开关闭合时，电流流过正向偏置二极管，导致器件电阻显着降低，并允许它以较低的电压降传导较高的电流水平。这称为“电导调制”。但是，IGBT 的关断时间比 MOSFET 慢......
极电容、栅极-集电极电容和集电极-发射极电容。其中门极与集电极（or漏极）之间的电容就是米勒电容，又叫转移电容，即下图中的C2、C5。 IGBT的寄生电容 在IGBT桥式应用中，如果关断......
高功率应用而设计，具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及......
300kHz）支持使用小型表贴磁性元件。 MAX629兼具低电源电流、逻辑控制关断模式，并采用小封装和小型外部元件，可提供超紧凑和高效的高压偏置解决方案，是电池供电应用的适宜选择。MAX629采用8引脚......
西门子S7-200SMART常见问题解答;1台200SMART 如何控制2台步进电机？ S7-200SMART CPU最多可输出3路高速脉冲（除ST20外），这意味着可同时控制最多3个步进电机，通过运动向导可配置相应的运动控制......
器臂和相位输出都需要诸如分流电阻等测量器件，以便应付直通故障和电机绕组故障。控制器和/或栅极驱动器中的快速执行跳变电路必须及时关断 IGBT，防止超出短路耐受时间。这种......
模型的参数(f_sampling和f_switching)。 *开关瞬间主要基于占空比，其本身基于电压与直流链路电压综合的比值。此计算还考虑了用户指定的死区时间。死区时间是插入两个互补IGBT的关闭和打开之间的小间隔，以防......
持+2.7VDC至+5.5VDC电源输入或者1节锂离子(Li+)或2至3节电池输入。 MAX1734配有内部P沟道MOSFET开关、同步整流器，具有逻辑控制关断功能，以及......
输入每相增加保险丝作为过流与短路保护，相地间增加压敏作为防雷击保护，此雷击通常指感应雷。 由于直流母排到IGBT以及IGBT本身存在杂散电感，根据电感续流的特性，在IGBT关断瞬间会在CE两端产生感应电压尖峰，杂散电感用Ls......
电路和四个功率MOSFET开关。具体应用包括从+5V逻辑电源产生-5V电源来为模拟电路供电。两款器件均采用5引脚SOT23-5封装，可提供25mA电流，压降为500mV。 对于具有逻辑控制关断......
延长移动和可穿戴产品的电池寿命。其封装的芯片级外形节省了空间，同时集成了多种功能，如压摆率控制、真正反向电流阻断和快速输出放电。” 与以前的解决方案相比，负载开关集成电路具有以下主要优势： 省电......
过程来计算杂感值呢？对于关断过程中产生的Vce电压尖峰主要包含上的电压和二极管的正向恢复电压，如图5(a)所示，且IGBT的关断dic/dt不太受门极控制，且电压尖峰持续时间比较短，测量......
动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及高达30V的宽输出偏置电压范围，支持......
动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及高达30V的宽输出偏置电压范围，支持+7A......
进行输入端口和输出端口的接线，只有PLC的程序指令正确，输入端口和输出端口接线正确，PLC才能自动化控制，电工老师傅都知道，PLC既可以接受开关量控制也可以接受模拟量控制，二者是可以相互转换的，今天我们就重点来看看PLC的外部接线以及开关量信号和模拟量信号是如何......
PLC的程序指令正确，输入端口和输出端口接线正确，PLC才能自动化控制，电工老师傅都知道，PLC既可以接受开关量控制也可以接受模拟量控制，二者是可以相互转换的，今天我们就重点来看看PLC的外部接线以及开关量信号和模拟量信号是如何......
可能的故障影响。 图 21：导通时的抗尖峰脉冲滤波器 图 22：关断时的抗尖峰脉冲滤波器 什么是互锁保护及其如何在驱动器中实现？ IGBT 或 SiC MOSFET 对它们在其中运行的系统的运 行至关重要，因此......
至 3.95V，也可通过外部电阻分压器调节为 0.8V 至 5.2V。 其他功能包括逻辑控制关断模式、短路电流限制和热关断保护。SGM2049C 具有......
FHF20T60A型号IGBT适用于伺服电机驱动器;伺服电机驱动器是能被工业机器人及数控加工中心等自动化设备广泛应用的产品，它是属于伺服系统的一部分，能应用于高精度的定位系统。一般是通过位置、速度和力矩三种方式对伺服电机进行控制......
是由于机械触点动作延时造成。负载电源由外部提供，与触点并联的RC电路和压敏电阻用来消除触点断开时产生载电。 放大采用大功率晶体管或场效应管，响应速度小于1ms，晶体管工作在饱和导通状态和截止状态，图中稳压二极管用来抑制关断......
电流隔离，专为高功率应用而设计，具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输......
转为up状态时，即被激活的时候被调用，有很多AX88180及88E1111的初始化工作可以放在这里做。在驱动程序作为一个模块被装入时，打开函数还要防止模块卸载时设备处于打开状态。 关闭函数 关闭函数和打开......
如何优化隔离栅级驱动电路?; 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅......
频率越低，峰值电压越低，反之亦然。 您现在应该对变频器的工作原理以及如何控制电机速度有一个很好的了解。大多数变频器可以让用户通过多位置开关或键盘手动设置电机转速，或使用传感器（压力，流量，温度，液位......

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