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倍。 CCD、IOD都算上，Zen4锐龙处理器最多集成165亿个晶体管，霄龙则达到了恐怖的902亿个! Intel Sapphire Rapids第四代至强没公布有多少晶体管......
是比较A16和A15的前提。总的来说，今年的苹果A16仿生芯片采用4nm工艺制造，拥有160亿个晶体管。该芯片有6个CPU核心，包括2个高性能核心和4个节能核心。与上一代相比，这有助于芯片......
? 中央处理器的功率 对于处理器芯片，CPU 能力是人们首先关心的事情，这也是比较A16和A15的前提。总的来说，今年的A16仿生芯片采用4nm工艺制造，拥有160亿个晶体管。该芯片有......
三星与台积电对采用哪种技术似乎出现了分歧，但该来的终究要来，只是时间问题。 摩尔定律筋疲力尽 1965年到现在，集成电路行业一直遵循摩尔定律，经历了每18到24个月晶体管密度翻一番，芯片......
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了;虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3nm开始，它们将被环栅 (GAA)取代，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。 如今，GAA主要......
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。 对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。 2.1 如何打开MOSFET 下面是一个打开MOSFET的电......
的密度和数量都在急剧增加，同时每种工艺设计的整体复杂性也在增加。例如，仅在几年前，我们最大的芯片有 300 亿个晶体管。我们最新的设计提供了超过 500 亿个晶体管。实施 5 纳米设计需要考虑许多因素：从事......
的密度和数量都在急剧增加，同时每种工艺设计的整体复杂性也在增加。例如，仅在几年前，我们最大的芯片有 300 亿个晶体管。我们最新的设计提供了超过 500 亿个晶体管。实施 5 纳米设计需要考虑许多因素：从事......
如何拓展到 25nm及以下领域，显示有两种途径可以实现这种目的：一是立体型结构的FinFET晶体管，另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI晶体管技术)。 体硅......
上糟糕的良品率和表现，才迫使高通这样的大客户将旗舰SoC订单转投到台积电。 在未来的技术路线发展上，三星电子计划在2024年推出第二代3nm工艺技术的半导体芯片（SF3）。三星电子表示，其第二代3nm芯片的晶体管......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？;适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦......
同时荣获诺贝尔物理学奖。肖克利也被誉为晶体管之父。 芯片有如此强大的功能，为什么晶体管可以胜任呢? 我们知道，对于数字电路来讲，逻辑是其精髓所在，所有的功能归根结底，都可以说是逻辑功能。而逻......
降低Ronsp，则芯片制造商能缩小芯片尺寸，从而实现RDSon=15 mOhm的产品，这能降低碳化硅用量，从而提高产量。 沟槽式金氧半场效晶体管的较低Ronsp背后有多种原因。首先，在碳......
基础知识 传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横向拓扑结构限制了最终缩小范围。   图1：碳化硅金氧半场效晶体管......
解其所做的改进。 沟槽式金氧半场效晶体管基础知识 传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横......
20、30、40或者60，为CPU性能参数等级。 1、SR和ST****的区别 表 1 ST可变为SR，加中间继电器即可，但是SR不能变为ST，因为继电器达不到晶体管的开关速度。 2、20、30、40......
钞机、天线控制器、自动售货机，以及大多数常用的家电和工业设备。 两款驱动芯片都允许设计人员用一个外接电阻把输出晶体管的压摆率设为0.3V/ns、0.6V/ns、1.2V/ns或2V/ns，在功......
大多数常用的家电和工业设备。两款驱动芯片都允许设计人员用一个外接电阻把输出晶体管的压摆率设为0.3V/ns、0.6V/ns、1.2V/ns或2V/ns，在功耗和电磁兼容性之间找到一个理想的均衡点。内置......
做可以得出以下方程式：   方程式7 从方程式4和7中，我们看到，为了增加增益，我们需要增加晶体管的长度。然而，我们也看到，这会导致带宽降低。反之亦然：减少晶体管的长度会导致带宽增加。 展望未来 我们......
更大的晶圆尺寸可以减少浪费，而且还可以提高晶圆代工厂的日产量。 也因为以上的认知，现阶段已经没有多少晶圆代工厂致力于6英寸或更小尺寸的晶圆产能的发展。 不过，许多晶圆代工厂仍在营运着8英寸......
1nm节点。 据台积电称，这种趋势将持续下去，几年后，我们将看到由超过1万亿个晶体管组成的多芯片解决方案。但与此同时，单片芯片将继续变得复杂，根据台积电在IEDM上的演讲，我们将看到拥有多......
Pro和MacBook Air系列，相比当前的M2，新芯片将显著更为强大。的M3芯片基于TSMC的3纳米架构，这意味着它的晶体管数量比M2芯片更多。这最终转化为更好的性能和改进的效率。尽管M3芯片......
更先进的节点工艺中，老化磨损是一个更大的问题。另一个变化是，在汽车等应用中，芯片需要持续工作几十年或更长时间，而不允许出现任何问题。虽然这个过程被称为老化，但老化并不是因为时间的流逝，而是晶体管经历了多少......
达成了新的授权协议，英特尔工厂未来将生产 ARM 芯片。此举一出，立即在业内引发了强烈回响。那么为何英特尔要选择为对手代工芯片？英特尔进入 ARM 阵营的代工市场胜算有多少？ 英特尔为何要为昔日对手代工芯片......
总结了英特尔对不同流程节点有不同的指标要求的原因。 即使与“其他”14nm节点相比，其晶体管密度仍然高1.23倍。 注意：我们不知道三星或台积电的哪些具体流程节点与英特尔的产品进行了比较。 英特......
供应商以前很少直接接触。 根据协议，将在其位于纽约州北部的先进半导体工厂为的主要芯片供应商生产芯片。 表示，这是一项长期协议，但该公司不愿透露协议持续多长时间。两家公司也不愿透露将生产多少晶......
尔没有透露特斯拉的下一代动力系统何时能够大批量生产并用于电动汽车，也没有具体说明目前在这些晶体管上投入了多少资金。特斯拉高管们也没有透露任何关于“下一代”特斯拉电动汽车的具体细节。 晶体管制成的芯片广泛应用于电动汽车。据美国电气与电子工程师学会（IEEE）介绍......
半导体工艺就能生产。 日前英特尔宣布推出名为Tunnel Falls的量子芯片，有12个硅自旋量子比特，进一步提升实用性，这也是英特尔迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特，利用了英特尔数十年来积累的晶体管......
晶体管。刚开始学习电力电子的时候，你可能会觉得这张图有点陌生。为什么不把集电极画在上面，发射极画在下面呢？直到你明白IGBT的电流是从下往上流的，就不难解释了。 图 8. IGBT 芯片......
膜上的图形转化成电路结构。这些电路结构包括晶体管、电容、电阻等元器件，它们组成了8051单片机内部的电路。 在CMOS工艺中，与MOS工艺类似，也需要在芯片表面上生长氧化膜和制备掩膜等步骤，但是......
控制器、自动售货机，以及大多数常用的家电和工业设备。 两款驱动芯片都允许设计人员用一个外接电阻把输出晶体管的压摆率设为0.3V/ns、0.6V/ns、1.2V......
的8295芯片比8155芯片有多少提升，高通又为啥能在车规级芯片市场一家独大呢？ 高通8295芯片比8155芯片强多少？ 其实车规级芯片的升级换代，跟手机芯片非常相似，只是......
的数目每18个月就可以增长一倍。“目前的晶体管尺寸已经达到4个纳米，预计不到10年时间，就会达到亚纳米尺寸。到了亚纳米尺寸后，量子效应就会开始发生作用。” 量子计算的能力有多强大?潘建......
走的是硅自旋量子，使用传统的CMOS半导体工艺就能生产。 日前英特尔宣布推出名为Tunnel Falls的量子芯片，有12个硅自旋量子比特，进一步提升实用性，这也是英特尔迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特芯片，利用了英特尔数十年来积累的晶体管......
硅上实现复杂系统和网络迈出了关键一步。此类光子芯片有助科学家开展更精确的原子钟实验，减少对巨型光学工作台的需求，也可用于量子领域。相关论文已发表于近日出版的《自然》杂志。 实验概念图 图片来源：《自然》网站 集成电路出现后，科学家们开始将晶体管......
大约两年的时间，芯片内部的晶体管数量就会增加一倍，相当于性能翻倍增长。之前的28nm、14nm以及7nm芯片，都验证了摩尔定律，可以说这个规律是计算机和芯片领域的核心指导思想，时至......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台;半导体供应商意法半导体 推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN®产品平台，这个......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台;半导体供应商意法半导体 推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN®产品平台，这个......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台;半导体供应商意法半导体 推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN®产品平台，这个......
管”迈入“晶体管”时代的标志，也为后来集成电路的发明乃至整个信息产业的发展奠定了基础。 同样是在2022年，英特尔CEO宣布了一个宏伟计划，那就是到2030年，一个芯片封装上可以有1万亿个晶体管......
1965年，英特尔的联合创始人戈登·摩尔预测，单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律，如图1所示。单个设备上的晶体管或组件越多，在单......
电路的组件数量每12个月增加一倍左右。此外，每个价格最低的芯片的晶体管数量每12个月翻一番。在1965年，这意味着50个晶体管的芯片成本最低；而摩尔当时预测，到1970年，将上升到每个芯片1000个元件，每个晶体管......
集电极引脚的电流额定值，是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载（LED或电机），因此这是一个非常重要的参数。 与各引脚相关的电流名称如图4.1......
淘汰FinFET 升级革命性GAA晶体管：台积电重申2025量产2nm;在今天的说法会上，透露了新一代的进展，3nm已经开始量产，2023年放量，有多家客户下单，再下一代的是，CEO重申会在2025......
集电极引脚的电流额定值，是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载（LED或电机），因此这是一个非常重要的参数。 与各引脚相关的电流名称如图4.1所示，表示“该晶体管......
大。 2019年，手捧巨大芯片的Cerebras公司在Hot Chips上一鸣惊人。彼时，该公司展示的Wafer Scale Engine（WSE）拥有1.2T的晶体管，超过彼时EDA工具......
大小的逻辑电路，采用更先进的工艺，耗电量会更低。另外，先进工艺能增加晶体管的密度，从而带来成本的优化。 我们分析了传统工艺、16nm和7nm的先进工艺之后，两年前决定在7nm节点工艺上启动国产智能座舱芯片项目。实际......
堆叠芯片时，背面电源可能会导致热量积聚。 但好消息是：Imec 的研究人员在研究埋入式电源轨和晶体管之间需要多少水平距离时，答案几乎是零。即使需要额外的处理周期来确保晶体管不受影响，但研究人员称，可以在晶体管......
四张图看懂晶体管现状;在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。正如这些图表所示，减小设备的尺寸是一项巨大的努力，而且非常成功。但尺......
积电至少提前半年时间。 然而三星的3nm量产除了一家矿卡公司采用之外，一直没有大客户支持，之前传闻还有个手机芯片厂商，但是到现在也没有见到产品爆料。 三星3nm为何雷声大雨点小?其实厂商谨慎是对的，三星在良率方面多少......

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