资讯
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
构示意图：
解释1：沟道
上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
电荷泵。
升压转换器的简化原理图，在电源和升压转换器输入之间具有一个用于短路保护的 n 沟道 MOSFET
2、P 沟道 MOS 管......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
组成的电路就是集成电路，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
NMOS和PMOS工作原理
P沟道MOS......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化镓功率......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
称叫P沟道管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。
好，继续敲黑板知识点：MOS管的标准符号中，衬底......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
原理都一样。
(四)IGBT
IGBT是MOS和BJT的复合器件，到底是怎么复合的，往下看。从结构上看，IGBT与功率MOS的结构非常类似，在背面增加P......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
电工必懂电路图，值得一看！(2024-11-09 18:49:55)
围、双字范围）
45.液位继电器接线方法
46.N沟道和P沟道MOS管区......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。关于MOS管识图、管脚......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
制栅源极电压（Vgs），而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值，取降额系数为0.8，那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V，尽量选择小功率（小稳定电流），小贴片封装的稳压管，可选ZMM16，封装......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
有平面结构和沟槽结构两种结构。目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。
平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近P体区域的狭窄N......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
机的两个电极加正向电压，则正向旋转，如果加反向电压，则旋转方向也反过来。电机的转速可以通过控制加在电极上的电压来调节。
在电机控制电路中最常用的器件就是 MOS 管了。可以分为两个大的类型：P 沟道 MOS 和 N 沟道......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
于研发阶段，距离产业化有较大的差距。
随着SiC功率器件逐渐演进，平面型的SiC MOSFET已经达到缩小MOS元胞尺寸而无法降低导通电阻的程度，即便采用更小的光刻尺寸，单位面积的导通电阻也很难降到2mΩ......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址：
什么是呢？
使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
的栅极电压需求：通常，SiC器件具有较宽的带隙以及较高的P型基极层浓度水平（见图2），因此其栅极电压阈值较高，这样主要是为了避免击穿。因此，要在SiC功率MOSFET中达到合理的栅极驱动电压以完全打开沟道，会成......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
出，P沟道的MOS管时,S极进入D极流出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件，MOS管只要在G和S之间建立一个合适的电压就会完全导通，导通之后D和S之间......
功耗限制条件下噪声最优化的低噪声放大器的设计(2024-07-18)
-Noise Amplifier)作为无线射频接收机最前端的关键部件，要求：(1)噪声最小，同时又要求具有一定的增益。(2)要求它有足够大的线性范围。(3)要求它与输入和输出端口有良好的匹配，以达到最大功率......
MAX16833D数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:46)
-boost、SEPIC、反激和高边buck拓扑。亮度调节驱动器设计用于驱动一个与LED串联的外部p沟道管，提供较宽的亮度调节范围。该驱动器能够以较高的PWM频率切换LED电流的通断，不会......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。
碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。
平面碳化硅 MOS 结构......
如何学好电工技术及知识汇总（下）(2024-09-20 18:11:11)
范围）
45.液位继电器接线方法
46.N沟道和P沟道MOS管区别
①.N沟道......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
驱动要么电机不转，要么导致芯片烧坏，必须要加大功率及隔离电路驱动。
2. P-MOS 管和N-MOS 管
GPIO 引脚线路经过两个保护二极管后，向上流向“输入模式”结构，向下流向“输出模式”结构。先看......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe)，而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt。
23、VMOSFET有高输入阻抗、低驱动电流;开关速度快、高频特性好;负电流温度系数、无热恶性循环，热稳......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
在正负的栅源电压下工作）
22、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt......
P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
极与工艺相关，一个CMOS工艺的P(N)阱，只有N(P)的沟道的衬底驱动MOS管是有效的。
......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect – SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
于整个系统。
英特尔很早以前，就看好氮化镓（GaN）在功率器件中的应用。一方面，是投资相关的企业，比如英特尔曾在2014年9月领投 GaN功率器件企业Avogy的4000万美元B轮融资。另一方面，是自......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
在于器件本身，而在于整个系统。英特尔很早以前，就看好氮化镓（GaN）在功率器件中的应用。一方面，是投资相关的企业，比如英特尔曾在2014年9月领投 GaN功率器件企业Avogy的4000万美元B轮融资。另一方面，是自......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
合，成为 SiC 晶体管领域的基准。该设计的特殊功能包括通过自对准工艺将通道定向为单一晶体取向。这确保了的沟道迁移率和窄的阈值电压分布。另一个特点是深 p 沟槽在中心与实际 MOS 沟槽相交，以允......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
沟道功率MOSFET，可以适配不同功率、各种通信方式和各种驱动方式。
控制器中的功率MOS驱动
如上......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
增强型场效应管防反接电路
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。
以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：
Vdss=55V
Id......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
增强型场效应管防接反电路。
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;深圳市伟仕特微电子有限公司;;我公司与美国MaxPower公司共同合作开发功率MOS，采用当今最先进的技术沟道工艺，在德国慕尼黑流片生产。
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
;深圳市飞思卡尔电子有限公司;;飞思卡尔功率半导体（中国）有限公司是一家从事各种大功率半导体器与功率集成器件，设计、研发、生产和销售运营遍布全球。我们致力于（20V-250V）大功率Trench
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;衍丰电子（上海）有限公司;;tyco/Corcom电源滤波器；Kilovac大功率直流接触器，Tyco高压继电器；p&b通用继电器，热磁断路器；P&Ｕ变压器；光控器；交流接触器等