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中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。
封面......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
泛研究并使用在这个领域。在半导体特性上，石墨烯具有优良的导电特性及易掺杂改性的特性，因此被用来制作为各种半导体器件，如零带隙、顶栅石墨烯场效应管，双层石墨烯晶体管，双极超导石墨烯晶体管，石墨烯纳米带场效应管等。在应......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件(2022-12-12)
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件;当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅（SS......
另辟蹊径，石墨烯带来不一样的半导体制造方法(2017-05-04)
有比硅基芯片更低的功耗——早在几年前，IBM在实验室中的石墨烯场效应晶体管主频达155G。
因此，在前端设计水平相当的情况下，使用石墨烯制造的芯片要比使用硅基材料的芯片性能强几十倍，随着技术发展，进一......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
节点实现突破
近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
贝尔物理学奖。 虽然石墨烯已经被夸大宣传而变的“妖魔化”，但事实上，石墨烯的未来依然广阔。包括集中电路、场效应晶体管、大功率LED散热、可穿戴电子器件、石墨烯化学传感器等各种应用。 这一次，石墨烯......
上海“科技创新行动计划”集成电路领域拟立项项目公示，涉及存储器、光刻胶等(2022-09-06)
承担单位为华东理工大学；
“ForkSheet场效应晶体管关键技术研究”，项目承担单位为上海集成电路研发中心有限公司；
“面向B5G/6G毫米波应用的低功耗高带宽多芯片集成技术研究”，项目......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
二极管量子点探测器和胶体量子点红外光电探测器等。新兴的胶体量子点探测器研究主要针对光电二极管、光电导体和场效应光电晶体管。主要应用的材料包括硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）和二硫化钼（MoS2）等。制备方法主要包括水热法、气相......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？(2016-10-11)
的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。
所谓的XX nm其实指的是，CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。
据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
构和新材料的开发迫在眉睫。目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12纳米以上。为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;
【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管;
宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
吉时利2450型触摸屏数字源表的使用优势和典型应用分析(2023-05-25)
）、场效应晶体管（FET）等等
材料特性分析，如电阻率、霍尔效应等等。
......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工(2022-07-25)
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
用于人体动作捕捉和压力映射的可拉伸电子皮肤(2024-06-04)
在室温下具有优异的电子迁移率，并且具有高柔韧性和高导热性以及良好的透明度。所有这些非凡的特性吸引了研究人员的注意力，并将其应用于导电电子学、柔性场效应晶体管、光电探测器和生物传感器等领域。近期，石墨烯......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的MoS2沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34nm。通过在石墨烯......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应晶体管......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代;
【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
超导性在“魔角”石墨烯中开启和关闭(2023-02-16)
可以以一种可以打开和关闭的方式表现出铁磁特性。当石墨烯片层叠在两片氮化硼之间，使得石墨烯的晶体结构与氮化硼层之一对齐时，就会发生这种情况。这种排列类似于奶酪三明治，其中......
常用的16种电子元器件的图片、名称、符号！挺全的，值得收藏！(2024-10-20 21:01:18)
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-29)
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。
据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管;
【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的......
一种微型可穿戴皮肤界面智能石墨烯纳米电子（SIGN）贴片(2024-05-11)
航空航天大学、哈尔滨工业大学和沈阳航空航天大学为论文的共同通讯单位。
SIGN贴片的组成与功能
该SIGN贴片采用电解质栅极-石墨烯晶体管作为信号转换平台，与现有的生物标志物电化学检测方法相比，石墨烯晶体管......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
gate Ge-strained 14 nm FinFET，整合了多年的技术精华。
为摩尔定律的延续而奋斗
而在学术界，近些年陆续搞出了各种异想天开的新设计，比如隧穿晶体管啦，负电容效应晶体管......
基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备(2024-03-27)
，消除了量子隧穿效应的影响。在这种量子力学效应中，电子表现为波而非粒子。
新型晶体管的导电通道是单个导电分子卟啉锌。该分子位于两个石墨烯电极之间，当向电极施加电压时，借助量子干涉效应......
台积电：2nm 制程 2025 年量产，N3P 2024 年下半年量产(2023-04-27)
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......
台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产(2023-12-14)
A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。
在技术方面，A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，A14 可能将像 N2 节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......
研究人员成功创建了世界上第一块由石墨烯制成的功能性半导体(2024-01-04)
既不是半导体也不是金属，而是半金属。能隙是一种在对其施加电场时可以打开和关闭的材料，这是所有晶体管和硅电子工作的方式。石墨烯电子研究的主要问题是如何使其像硅一样打开和关闭，以便它能够像硅一样工作。
但要制造一种功能性的晶体管......
更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破(2023-07-17)
设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。
铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能(2023-12-07 10:36)
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
相关企业
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;西安市花坞石墨烯有限公司;;西安市花坞石墨烯有限公司是国内首家从事氧化石墨烯生产并进行其应用开发研究的新兴专业化高科技企业。
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300
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;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;结型场效应管 深圳市福田区大兴华微电子商行;;深圳市福田区大兴华微电子商行 经销批发的MOSFET场效应管、光耦、FLASH/DDR/SDRM、三端稳压IC、MOSFET场效应晶体管、单双