场效应晶体管（FET）的跨导（gm）是当施加恒定的漏极-源极电压时漏极电流（ID）的变化与栅源极电压（VGS）的变化之比。根据I-V测量得出MOSFET跨导的公式为ΔID/ΔVGS。为了计算跨导，将ID的微小变化除以VGS的微小变化。FET的跨导可以通过测量其输出电流和输入电压来确定。FET的增益等于其跨导。跨导gm用mho或西门子，或毫mho或毫西门子表示。FET是一种纯跨导器件，没有电流从栅极流向源极，漏极电流由gm=∆Iout/∆Vin=id/Vgs的关系式确定。这些特性给出了晶体管的跨导gm。
延伸阅读
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资讯
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
５、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
５、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法：用万用表电阻的R......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
如何影响漏极电流。我们可以计算如下：
方程式6
其中η是背栅跨导参数，通常取值在0到3之间。
低频和高频模型
现在我们已经定义了我们的参数，我们可以建立一个电路模型，表示晶体管的小信号操作。图4......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成采用衬底驱动输入晶体管的跨导......
基于6N3双三极管的衰减式唱放均衡电路设计(二)(2023-08-02)
其内阻通常较典型值高，跨导变低（此时跨导与内阻的乘积值通常不会改变，亦就是µ值不会产生明显变化），仔细分析图三唱放电路低频增益相比标准变高的原因，毫无疑问，是我将电子管典型工作状态下的管内阻代入到了计算公式......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1.与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管的控制输入端电流极小，因此......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的性能能够直接影响这些应用设备的整体系统性能，对于开发工程师而言，它通常是所有新项目的必备品。”
e络盟......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
与汽车应用的需求增长速度相当。”
他补充道：“功率场效应管推动这些应用的需求增长，除了更广为人知的汽车应用外，还包括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管的......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
和充电家用电器安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品，包括一系列新型N通道功率场效应管（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。Farnell及e络盟......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品，包括一系列新型N通道功率场效应管（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。
Farnell及e......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
防接反电路。
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
要考虑驱动的寄生电阻及所外加的驱动电阻。
需要注意的是MOS管的开启电压是一个与温度正相关的参数，在计算上述公式时要考虑到开启电压随温度的偏移量。
2. 米勒振荡
我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也就......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
STM32常见问题：低温下部分产品RTC不工作的问题探析(2023-07-11)
的值要求大于5，这样晶振才能正常起振，那么gain margin又是如何计算的呢?接下来找到gainmargin 的计算公式，如下:
其中gm就是图4中从数据手册中提到的跨导值，STM32F030......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的......
单片机如何才能不死机之内外部时钟(2023-03-17)
电容。
CL1, CL2：晶振两脚对地电容。其电容值需要我们根据前两者计算得出。
此公式可理解为：
晶振两引脚对地电容并联 + 晶振引脚间寄生电容 + PCB杂散电容 = 晶振负载电容
c. 增益......
STM32外部晶振电的主时钟方案(2024-01-31)
= CL2 = 20pF
因此CL1、CL2均取为20pF。
2. 晶振跨导计算
为了确保晶振能顺利起振，并运行在稳定状态，就得有足够的增益来维持。一般要求就是，单片机的gm比晶振的gmcrit大5倍以......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
漏极并测量电流，注意vgs=vth并忽略体效应，我们可以计算输出电阻为：
•方程式4。
从方程式4中，我们可以看到二极管连接的晶体管的输出电阻大约等于其跨导的倒数。该值......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
电压总是等于栅极电压。因此，当电流流动时，它总是饱和的，就像我们在方程式3中看到的那样：
•方程式3。
如果我们将测试电压源连接到二极管连接的晶体管的漏极并测量电流，注意vgs=vth并忽略体效应，我们可以计算......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。
3. P2
1个输出锁存器1个转换开关MUX2个三态输入缓冲器1个反相器输出驱动电路
3.3 输入功能
同样需要先通过内部总线向锁存器写1......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
和非Q端输出，如果DUAN输入1，则非Q=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。
【回到目录】
3. P2
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出......
嵌入式超声波测距系统的实现方案(2024-01-25)
所示。40 kHz 的脉冲串通过控制场效应管不断地通断，使变换器原级电压耦合到次级完成电压抬升，驱动换能器发出超声波。其中，变换器的设计除了要考虑开关场效应管的最大电压应力，还要着重考虑变换器原、次级......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
他任何开路输出的比较器代替运放，因为开路输出的高电平状态输出阻抗在1千欧以上，压降较大，后面一级的三极管将无法截止2. 栅极驱动部分：后面三极管和电阻，稳压管组成的电路进一步放大信号，驱动场效应管的栅极并利用场效应管......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
靠多
数载流子
导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为
可变电阻区
、
恒流......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
改变放大管输出回路的电流，从而放大输入信号。
当负载接入时，必须保证放大管输出回路的动态电流（晶体管的
或场效应管的......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。本文引用地址： MOSFET 具有独特的栅极驱动要求。一般......
功耗限制条件下噪声最优化的低噪声放大器的设计(2024-07-18)
流为：
当输出端电感Lt与M2的漏极总电容C2谐振在工作频率时，则电压增益为：
因此，增大晶体管的跨导和电感的Q′L值能有效地提高增益。另外，源极负反馈电感Ls的取值对增益也有影响。一般可以采用增大静态电流和晶体管尺寸的方法增大跨导......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你把自己献给梦想了。
场效应管篇
（1）如果......
基于扬声器的深度神经网络方案(2023-06-13)
扬声器音箱设计有两种主流方式：密闭式与开放式，开放式的主流是低音反射式，也就是让音箱的低音腔室容量与反射导管的口径与长度经过计算，与单体的低频特性调谐以产生更大量（适量）的低频表现。但密闭式的音箱容积依然要经过考虑单体特性的计算......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
研究实现了三方面技术革新：
首先，采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了目前场效应晶体管的最高值；
第二，解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米......
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营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司经过严格的科学认证，市场调研区分，选取市场信誉好，品质稳定可靠的场效应管与二三极管品牌作为公司的主营业务。作为一家专业的场效应管与二三极管的
目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管
;大连恒森微波电子有限公司驻深办;;采购负责人； 您好！ 我公司系专业生产霍尔ＩＣ及场效应管的生产厂家，霍尔IC的产品型号有；１７７，２７７，３１４４，３０４０，３５０３（其中3040可完
微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST
设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST、SAMSUNG的产
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