资讯
肠癌和头颈癌 与IDEAYA包括IDE161 (PARG)的DNA损伤修复 (DDR) 管线的合理联用机会 计划在2024年下半年提名候选开发项目
北京2024年7月31日 /美通......
应用笔记|STM32MP1 系列 MPU 的 DDR 配置(2023-08-17)
应用笔记|STM32MP1 系列 MPU 的 DDR 配置;本文档描述在 STM32MP1 系列 MPU 产品上配置 DDR 子系统（DDRSS）所需的流程和步骤。
设定 DDR 控制......
FLASH、DDR和eMMC高速PCB布线布线设计规范(2024-11-11 14:18:47)
FLASH、DDR和eMMC高速PCB布线布线设计规范;
PCB设计13——FLASH和DDR高速PCB布线布线设计规范
链接......
GRL与FuturePlus Systems合作，在全球范围内提供DDR内存测试服务(2022-09-16)
GRL与FuturePlus Systems合作，在全球范围内提供DDR内存测试服务;GRL通过与FuturePlus的合作伙伴关系，扩大了全球七个实验室所提供的DDR和LPDDR内存......
数据中心爆发 国产DDR IP前景广阔(2022-12-20)
数据中心爆发 国产DDR IP前景广阔;
【导读】近几年来，随着市场对底层技术的重视以及国产化需求的井喷式增长，本土IP产业呈现紧追之势，为服务器、网络通信、AI等应用领域的高端SoC芯片......
【tiny6410】led裸板程序(2024-06-04)
+0x50000000 //设置栈地址，+0x50000000是因为下载到DDR里面运行的，而DDR开始地址是0x50000000
bl main //跳转到main运行
halt:
b halt......
揭开AI幕后存储技术——HBM、GDDR...(2024-06-18)
AI模型需求的DDR、GDDR、HBM技术从幕后走向台前，并随着AI发展而不断推陈出新。
01
DDR不断沿袭，DDR6即将来临
DDR完整的应该称DDR SDRAM，英文......
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP(2012-09-26)
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP;亮点：
·Synopsys扩展了其业界领先的DesignWare® DDR存储器接口知识产权（IP）系列，以使其亦可支持DDR4......
存储大厂DDR内存路线图公布(2024-09-07)
存储大厂DDR内存路线图公布;据《韩国先驱报》报道，三星电子DS部门存储器业务的总裁兼总经理Jungbae Lee展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。
根据DDR内存路线图，三星......
MAX1917 跟踪、可吸入/源出电流、同步buck控制器，用于DDR存储器及端接电源(2024-11-11 09:19:35)
MAX1917 跟踪、可吸入/源出电流、同步buck控制器，用于DDR存储器及端接电源;MAX1917为DDR存储器提供完备的电源管理解决方案。该器件包含一个同步buck控制器和放大器，可为VTT和......
DDR硬件设计要点(2024-01-25)
DDR硬件设计要点;1. 电源 的电源可以分为三类：本文引用地址：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给......
OK6410内存及启动流程(2024-07-19)
OK6410内存及启动流程;一、内存 只是从大体上介绍，并没有涉及寄存器的操作 6410的系统资源为：256MB DDR 、2GB NANDFlash 如下图所示：
ROM是只读存储器，RAM是随......
DDR之频率(2024-03-05)
DDR之频率;大家好，我是蜗牛兄。本文引用地址：本文主要介绍DDR常用的三种频率，以及梳理频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大，但多了解一点总是没坏处的。
图1 文章框图
通过......
FPGA 如何布局及资源优化(2024-12-19)
RTL设计出现时序很难优化的情况。
对应这个情况，举一个简单的例子。如果一个FPGA工程中含有一个PCIE和一个DDR接口，并且，需要用到PCIE与外......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
组（bank）可以模拟传统DRAM的bank，并兼容于其频率；在设计VLT电路时，设计者可以选择连接标准DDR控制器，或是成本较低的简化版控制器。如果使用标准控制器，由于不需要刷新，VLT内存......
SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性(2022-12-06)
SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性;SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性，可用于复杂设计的DDR内存芯片测试插座
全球......
SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性，可用于(2022-12-06)
8TF36E。这是一款新型特种材料，可使用于双倍数据速率（DDR）内存集成电路（ICs）应力测试的老化测试插座 (BiTS)，可满足测试期间严苛的性能要求。随着DDR集成电路引脚数量增加、测试......
基于RK3328平台的4K码流仪方案设计与实现(2023-08-01)
。
图3 系统电源框图
1.4 DDR核心部分设计要素
本方案采用4 层板外置DDR3 模型设计，因RK 方案的特殊性，其对DDR 部分layout 要求严格，对内层地的完整性要求较高。在方......
基于RK3328平台的4K码流仪方案设计与实现(2024-07-08)
-DC，2 颗LDO 实现。整体系统电源框图如图3 所示。
图3 系统电源框图
1.4 DDR核心部分设计要素
本方案采用4 层板外置DDR3 模型设计，因RK 方案的特殊性，其对DDR 部分......
ok6410内存初始化(2024-08-16)
入式硬件体系中，除了CPU内部的”垫脚石”采用SRAM外，板载内存一般会采用DRAM，而DRAM又可以分为SDRAM,DDR,DDR2等。
SDRAM(Synchronous Dynamic......
揭秘特斯拉新版毫米波雷达内部结构原理(2023-05-11)
公布毫米波雷达内部拆解，但特斯拉向FCC申请延长到了2023年3月公布，不过greentheonly已经拿到了内部拆解图片。特斯拉上一代毫米波雷达是德国大陆汽车最低端产品ARS-4B，采购价格约500......
灿芯半导体推出两项创新技术用于DDR物理层(2022-07-08)
灿芯半导体推出两项创新技术用于DDR物理层;一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体日前宣布推出用于高速DDR物理层中的Zero-Latency （零延迟）和True-Adaptive（真自......
基于Hi3559的8K智能摄像机硬件设计与实现(2024-07-11)
RTL8822CU。硬件系统框图如图 1。
其中，电源给整个系统供电；时钟电路保系统中的各模块同步；复位电路确保主控可靠的工作；DDR 是随机存储器，同步需要时钟；FLASH 用来程序存储；传感......
这场DRAM技术困局谁来破？(2022-08-26)
近当前技术材料和工艺使用的基本物理极限。
从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，再到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，然后是即将登台唱戏的DDR5和正在研发的DDR6，20多年......
芯动科技高性能计算“三件套”IP解决方案行业领先，满足新一代SoC带宽需求(2022-10-08)
尤以DDR技术、Chiplet、高速 SerDes为重中之重。面向HPC常用的CPU/GPU/DPU/NPU等高算力SoC场景，芯动科技推出以高性能计算“三件套”为核心的共性IP平台。芯动高性能计算“三件......
芯动科技高性能计算“三件套”IP解决方案行业领先，满足新一代SoC带宽需求(2022-09-27)
尤以DDR技术、Chiplet、高速 SerDes为重中之重。面向HPC常用的CPU/GPU/DPU/NPU等高算力SoC场景，芯动科技推出以高性能计算“三件套”为核心的共性IP平台。芯动高性能计算“三件......
AI及HPC需求带动，今年HBM需求容量增近6成(2023-06-30)
AI及HPC需求带动，今年HBM需求容量增近6成;
【导读】为解决高速运算，内存传输速率受限于DDR SDRAM带宽无法同步成长的问题，高带宽内存（High Bandwidth......
韩国将HBM内存上升为国家战略！三星等可享40%税收减免(2024-01-26)
，即高带宽内存，是一款的CPU/GPU内存;其将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。
简单来讲，传统的DDR内存是一层的平房结构，HBM结构......
需求有限下，库存水位与市场价格挂钩，存储现货行情局部调整分化(2023-03-08)
以快进快出、控成本跑流速为主，为淡季需求有限下的生存之道。
近期存储现货市场NAND、DDR、主控、SSD、内存条行情走势概况
由于......
韩国将HBM内存上升为国家战略！三星等可享40%税收减免(2024-01-26)
款的CPU/GPU内存芯片；其将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。
简单来讲，传统的DDR内存芯片是一层的平房结构，HBM结构......
17路UART和4路CAN FD，新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布!(2024-11-07)
17路UART和4路CAN FD，新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布!;
米尔在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片设计的嵌入式处理器模块MYC-LMA35核心......
HI3531的DDR3配置流程(2023-09-06)
，行地址宽度为13。4. 把DDRC_PHYSRST 配置为0x0，把DDRC_CDLLCFG，DDRC_QDLLCFG0~3 寄存器配置为0x52，复位DDR PHY 和DLL。5. 软件等待50ns......
S3C2440,S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
LCD、I2C、Camera等控制器。
S3C2450：
主频533MHz；
双总线架构，一路用于内存总线、一路用于Flash总线；
DDRII内存和DDR内存控制器；
支持Nor Flash和......
用于微型处理器单元的高度集成电源管理集成电路(2024-05-06)
主机处理器通过I²C和IO接口进行控制。STPMIC1稳压器旨在为应用处理器以及外部系统外设（如：DDR、Flash存储器和其他系统设备）供电。本文引用地址：升压转换器最多可为3个USB端口供电（两个500......
AI及HPC需求带动，预估2023年对HBM需求容量将年增近60%｜TrendForce集邦咨询(2023-06-28)
%
为解决高速运算下，存储器传输速率受限于DDR SDRAM带宽而无法同步成长的问题，高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）应运而生，其革......
17路UART和4路CAN FD，新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布！(2024-11-08 10:31)
17路UART和4路CAN FD，新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布！;米尔在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片设计的嵌入式处理器模块MYC-LMA35核心......
16位2.7Gsps DAC 提供 80dB 无杂散动态范围(2015-05-12)
节为低至 10mA 或高达 60mA 以适合应用情况。数据通过一个并行 LVDS 接口端口传送到 LTC2000A，当使用 675MHz 双倍数据速率 (DDR) 数据时钟时，传输速率高达 1.35Gsps......
Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准车规级薄膜片状电阻(2024-08-26)
紧凑且高功率额定的电阻在空间受限的应用，如手机、SD卡、DDR内存模块和相机模块中，越来越受到青睐。Bourns® CRT-A 系列电阻依照车规级标准设计，也非......
基于串口通信开发的BLE芯片测试平台(2023-01-20)
信号（payload类型11110000）， 仪表配置信号触发模式为“FreeRun”，FPGA 采集数据并保存如DDR 中；
2）ARM 层从DDR 中取所需长度的数据点，并对数据进行打包等预处理，上传到驱动层；
3......
AI驱动，HBM供应将逐年趋紧(2023-07-06)
，但投片比例不一，挪移部分产能去生产HBM，预期对主流DDR的产能有消化效果。
不过，因HBM的今年占比及占整体DRAM出货量比不高，仅有个位数，对DDR报价......
MacBook Pro为啥没32GB内存？太费电(2016-11-22)
Schiller今天揭开了这个谜题。
他指出，MacBook Pro使用的是低电压的LPDDR内存，频率最高2133MHz，最大容量16GB，而要想做到32GB，就必须使用DDR内存，但功......
存储报价喊涨，威刚、宇瞻有望先受惠(2023-06-28)
算能力与频宽要求比传统服务器更高，且规格跳升至HBM DDR，故必须搭载的存储数量更多。由于标准型DDR应用在消费性电子产品；移动LPDDR应用在车用产品上；HBM DDR则是应用在数据中心与AI服务器上，随着AI服务......
STM32MP1设备树(2023-02-08)
中的设备树修改需求：文件重命名—对U-Boot设备树重命名要考虑Makefile自动包含规则；对系统进行描述配置—包括DDR
工具：使用文本编辑工具编辑源码；使用......
arm920t中S3C2440、S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
制器。
S3C2450：
主频533MHz；
双总线架构，一路用于内存总线、一路用于Flash总线；
DDRII内存和DDR内存控制器；
支持Nor Flash和Nand......
%。
TrendForce集邦咨询认为，AI NB除了带动NB 平均搭载容量提升外，还将带动省电、高频率存储器的需求。在这种情况下，相较于DDR，LPDDR更能凸显其优势，因而加速LPDDR替代DDR的趋势。对原......
少带动整体平均搭载容量增长0.8GB，增幅至少为7%。
TrendForce集邦咨询认为，AI NB除了带动NB DRAM平均搭载容量提升外，还将带动省电、高频率存储器的需求。在这种情况下，相较于DDR......
S3C6410的JLink调试方法(2024-09-18)
板 LINUX2.6.28 用户手册.pdf＂
注：烧写bootloader 的目的是让开发板上电时对PLL,DDR RAM 进行初始化。以便把程序加载到内存中进行调试。
Step5
所有......
嵌入式开发需要懂的电路原理图英文缩写(2024-11-26 20:14:43)
。
芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备，DDR总线上也会挂载多颗DDR内存芯片，此时就需要CS来控......
电路图电子信号缩写（记得收藏）！(2024-12-12 19:23:17)
元器件的数据手册才知。
CS：Chip Select，片选。
芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备，DDR总线......
5G手机中的低功耗内存有多重要？(2020-09-17)
访问速度提升了 50%，在游戏场景下功耗降低了约 20% ！无独有偶，此后，更多的手机厂商推出了带LPDDR5的手机。
LPDDR5是什么？与常说的电脑上的DDR是什么关系？
LPDDR是针对RAM......
相关企业
-6(PHILIPS) HYNIX SDRAM DDR DDRII FLASH SAMSUNG SDRAM DDR DDRII FLASH
;优盛科技有限公司;;南亚SD 8x16原包装NT5SV8M16FS-75b 南亚DDR 8X16原包装NT5DS8M16FS-6K 南亚DDR 8X16原包装NT5DS8M16FS-5T 南亚
DDR 256MB(DDR333) 90元 现代 DDR 256MB(DDR400) 105元 现代 DDR 512MB(DDR400) 190元 现代 DDRII 256MB(DDR533)125元
;ddr;;
内存 现代 DDR 256MB(DDR333) 90元 现代 DDR 256MB(DDR400) 105元 现代 DDR 512MB(DDR400) 190元 现代 DDRII 256MB(DDR533
;洪日升;;ddr，霍尔元件，散热片
;深圳市鸿浩达电子有限公司;;内存芯片，DDR、FLASH
;Shenzhen Joinwinoem;;ddr ram usb mid mp3 mp4 mp5 micro sd card factory warranty fast delivery
;深圳市祥盈电子;;采购主销CIRRUS LOGIC SAMSUNG HY ATMEL 等品牌ARM,FLASH DDR 销售
;华荣达公司;;代理三星全系列IC：包括FLASH DDR SDRA MMCU TFT屏LCD DRIVER IC等