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目位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。 图片来源：苏州......
门槛后才能进入产业化快车道。现阶段，富加镓业已经实现了6英寸导电型及绝缘型氧化镓单晶衬底的制备，单晶外延技术也取得重要进展，已达到6英寸硅基器件线产业化门槛。 据集邦化合物半导体了解，包括富加镓业在内的国内厂商和研究机构正在加速布局氧化镓......
目。 图片来源：赣州经济技术开发区招商引资 此次签约项目包括深圳市中科半导体科技有限公司（以下简称“中科半导体”）氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目，主要生产2-4寸氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底......
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 1 国内氧化镓......
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 1 国内氧化镓......
显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底......
良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。 2月，媒体报道中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓......
寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底......
化学已经成功建立4英寸氮化镓衬底的量产技术，将从2024年开始与客户协调量产事宜，还将提供GaN on GaN垂直型外延产品。 据悉，阜阳师范大学科研处于3月1日到访镓数氮化物产业研究院，就“4英寸氮化镓单晶衬底......
材料制备技术也取得了长足进步。2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，达到......
49mΩ。 接下来几个月内，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。 氮化镓单晶衬底......
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓......
）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断；7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底；9月上旬，镓仁半导体宣布成功研制超薄6英寸氧化镓衬底，衬底厚度小于200微米。......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底......
英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。氧化镓(β-Ga2O3) 是目......
研发、生产和销售的半导体企业，是少有的拥有氧化镓的单晶炉设计、热场设计、生长工艺、晶体加工等全系列自主知识产权技术的氧化镓单晶衬底生产商之一。 2021年8月，进化半导体宣布，已完......
和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。 镓仁半导体表示，基于上述成果，公司成为了国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。 资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月......
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。 杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。 据介绍，氧化镓......
，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。 今年3月，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及......
团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构。 这突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底......
技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。 总体来看，我国仍以数十家科研院所为主要研发力量，此外，部分企业（铭镓半导体、镓族科技、富加......
英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。 上个月，中国电科集团宣布中国电科 46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平，同时突破了 6 英寸氧化镓单晶......
制备技术的研究，一直处于领先地位，先后有TDI、Kyma、ATMI、Cree、CPI等公司成功生产出氮化镓单晶衬底。Kyma公司现在已经可以出售1英寸、2英寸、3英寸氮化镓单晶衬底，且已研制出4英寸氮化镓单晶衬底......
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。 消息称，此次......
化学品部门。 合并后，住友表示计划在10年内将GaN单晶衬底的销售额提高到300亿日元以上（约15.2亿人民币），约为当前的3倍以上。 同时并将投资100亿日元（约5亿元人民币），在2024年前后建立扩张4英寸氮化镓衬底......
月24日上午，苏州纳维举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。 ③宽禁......
发成果。 2012年，日本率先实现2英寸氧化镓材料的突破，NCT氧化镓材料尺寸可达到6英寸；2015年，推出了高质量氧化镓单晶衬底，2016年又推出了同质外延片，此后基于氧化镓......
布局一批前沿性未来产业。 其中，第三代半导体方面：高标准建设国家第三代半导体技术创新中心，加快推动碳化硅、氮化镓单晶衬底及外延材料制备技术升级和应用延伸，大力发展电力电子器件、微波射频器件、光电......
生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 尽管氧化镓发展尚处于初期阶段，但其市场前景依然备受期待。有数据显示，到2030年，氧化镓......
材料环节，氧化镓粉末价格约为 2000-3000 元 / 千克，碳化硅高纯粉达上万元 / 千克。在单晶衬底制备环节，氧化镓单晶衬底生长周期普遍比碳化硅短，国际领先企业生产氧化镓的效率比碳化硅普遍大 2 倍。若无......
物半导体射频及毫米波器件项目、经开区8英寸MEMS晶圆生产线项目、经开区融薇科技6英寸MEMS晶圆生产线项目、泓冠集成电路先进封装、智能电器制造项目、年产18万片2英寸氮化镓单晶衬底项目、半导......
预测，到2030年氧化镓晶圆的市场将达到约590亿日元（约4.2亿美元）。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。 目前氧化镓单晶衬底供应方面，日本NCT公司......
总部大楼奠基仪式。 据苏州工业园区发布消息，该项目位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底......
） 图二 奥趋光电制备的3英寸AlN单晶衬底样片 氮化铝（AlN）是极具战略意义的新一代超宽禁带半导体材料，具有超宽禁带（6.2 eV）、高热导率（340 W/(m∙K)）、高击穿场强（15.4 MV......
的开发、生产和销售。 2020年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓......
战略材料和前沿新材料三大类，每个大类里面又细分小类。 其中，关键战略材料中的先进半导体材料和新型显示材料包括了氮化镓单晶衬底、氮化镓外延片、碳化硅同质外延片、碳化硅单晶衬底......
硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。其中，碳化硅单晶炉主要应用于碳化硅单晶衬底制造，蓝宝石单晶炉主要应用于LED衬底及消费电子领域材料制造。2021年，碳化硅单晶......
龚瑞骄表示“目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。” 产能的保障亦是厂商无法回避的问题。此前......
晶体 作为国内SiC衬底领先厂商，烁科晶体此次重磅展示了6/8英寸的导电N型和半绝缘型SiC衬底。 烁科晶体在国内率先突破8英寸导电N型SiC单晶衬底制备工艺技术，并已......
多晶。 此次合成的砷化镓多晶，是以高纯镓和高纯砷为原料进行配料，并在真空状态下高温合成，完整性好，成品率为95%，电学性能指标优异，完全满足了砷化镓单晶制备要求。 据了解，中金岭南（韶关......
资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波......
，碳化硅（SiC）外延片大厂昭和电工宣布，8英寸碳化硅外延片样品已开始出货，该外延片使用昭和电工自产碳化硅单晶衬底制备。 2国内产能即将陆续释放 国际大厂忙于扩产之际，不少......
）制备和外延（epitaxy）工艺。作为衬底使用的晶圆片可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延是在单晶衬底上生长的一层新的单晶，新单晶可以与衬底为同一材料，也可......
英寸~6英寸的单晶衬底，公司在半绝缘型碳化硅衬底领域已进入行业第一梯队。 值得注意的是，山东天岳是华为哈勃进军第三代半导体领域的第一步。据悉，2019年8月，华为哈勃投资入股山东天岳，获得10......
片产品；同光股份在现场展示了6/8英寸高质量碳化硅晶锭和衬底；中电科半导体材料则携山西烁科、河北普兴、南京国盛电子的硅基氮化镓外延、碳化硅单晶衬底、碳化硅外延、硅外延等多款产品参展；中环......
件设计提供新的自由度。研究团队于2021年利用石墨烯二维晶体作为缓冲层，借助纳米柱等底层微纳结构，实现了非晶衬底上的氮化物准单晶薄膜的异质异构外延。近期，研究团队在该领域取得进展，利用与氮化......
衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（TSD）”密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平......
产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头，生产基地主要位于珠海和苏州两地。 目前，英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶......
10万片SiC项目投产，60万片项目在路上，同光晶体拟科创板上市;9月5日，河北同光科技发展有限公司年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，在保定市涞源县经济开发区投产，成为......
）及其他新型半导体产业关键技术。 2022年8月，保定市第三代半导体产业技术研究院项目签约，项目立足国际前沿的第三代半导体材料关键技术、产业化技术，拟搭建SiC单晶衬底......

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山东天岳先进材料科技有限公司
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
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manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
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(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
大连淡宁光电技术有限公司
，公司被大连市政府批准为高新技术企业并给予资金扶持。2001年公司“高速双面抛超精密加工大面积蓝宝石单晶基片项目”获国家科技部下放的重点科技创新基金扶持 ，并获得相关专利。 LED蓝宝石衬底 经过
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;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
上海砥研磨具科技有 限公司
玉砂轮、铬刚玉砂轮、单晶刚玉砂轮、碳化硅砂轮、金刚石砂轮、金刚石切割片、切割玻璃管专用切割片、超大切割片、各种超薄切割片、立方氮化硼砂轮、磨轴承砂轮、磨轧辊砂轮、无心磨砂轮、平面磨砂轮、及各种油石、磨头
深圳明亮光电有限公司市场部
等测试机,加上台湾光宝,美国德洲仪器的技术管理.产品以显示屏,交通号志及白光照明用LEDLAMP为主,　　二.芯片后半段制造；兰宝石衬底氮化镓，纯兰纯绿芯片不同于其他红黄材料，其减薄，划片，测试，分检
璨圆光电深圳市场部
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
四川新力实业集团有限公司
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。