葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

  • 首页
  • 氮化镓开关频率

资讯

赛科推出适用于快充的All GaN PD3.1解决方案，使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS，大幅度降低电阻，减小驱动损耗，并进一步缩小封装面积，大大提升了氮化镓快充开关频率，提高转换效率和功率密度，为大功率氮化镓......
这些器件使设计人员能够从设计中去除散热片和风扇等组件，因为氮化镓开关的高效率意味着散热更少；还可以减少开关元件数，因为不需要复杂的拓扑结构；或者减少材料使用量，因为氮化镓可提高功率密度，使得外壳更小。因此，对于高效率应用而言，氮化镓......
Transphorm赢得美国能源部先进能源研究计划署的合同，提供具有双向电流和电压控制功能的新型四象限氮化镓开关;氮化镓先锋企业Transphorm探索下一代电源转换技术，可用......
更小的散热器可以降低系统成本。此外，由于设备重量更小，运输成本也降低了。 由于没有开关延迟且开关损耗低，氮化镓在开关频率中开辟了新的自由度，也为转换器的热设计开辟了自由度。电机......
电机震动和噪声的同时提升系统效率。 此外，对于高极对数以及高转速的电机，由于其电频率更高，氮化镓高开关频率......
PI推出数模结合的InnoSwitch4－Pro反激式氮化镓开关IC;深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（PI）近日推出了其InnoSwitch4......
投资、礼达联马投资和世联行A轮融资，融资金额为数千万元； 2022年4月，获得天壹资本、盈富泰克、华金资本B轮融资。 2021年，镓未来研发并量产了适用于30W-120W电源适配器的氮化镓开关......
Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC，为氮化镓技术树立新标杆;1700V额定耐压的氮化镓InnoMux-2 IC可在1000VDC母线电压下实现高于90%的效率，并通......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。 宜普电源转换公司（EPC）宣布......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。 宜普电源转换公司（EPC）宣布......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。 宜普电源转换公司（EPC）宣布......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。 宜普电源转换公司（EPC）宣布......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。   宜普电源转换公司（EPC）宣布......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。   宜普电源转换公司（EPC）宣布......
模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。   宜普电源转换公司（EPC）宣布......
美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。本文......
美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。 NCL2801是安森美开关......
V）。氮化镓场效应晶体管（GaN FET）具有快速开关、高效率和小尺寸等优势，可满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。 该参考设计使用100 V的氮化镓场效应晶体管EPC2204和带有集成式氮化镓......
功率密度和降低系统成本。” 立锜科技资深应用营销经理Eason Chen说:“立锜科技的RT6190专为充分发挥EPC的高性能氮化镓场效应晶体管的优势而设计，以实现具有高功率密度的解决方案。RT6190具备更高的开关频率......
技术，工程师可以实现 99%的驱动器效率，并改善系统散热，同时尺寸也可缩小55%。此外氮化镓器件实现了较低的死区时间和传播延迟，支持更高的PWM开关频率，从而减少听觉噪音和系统振动。” 早在......
分发挥EPC eGaN FET的高性能优势，用于高功率密度解决方案。LTC7890可实现更高的开关频率和经过优化的死区时间，与市场上现有的解决方案相比，性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器，客户可以发挥氮化镓器件的高速开关......
产品介绍 INN700TK140C INN700TK140C是一颗耐压700V，导阻140mΩ的增强型氮化镓芯片，采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅......
损耗，以及更高的开关频率。更高的开关频率可以选择更小的电感、变压器和电容，从而提升电源系统的功率密度。 “具体系统效率的提升取决于拓扑，比如针对微型逆变器，硅器件的效率一般在 94% 到 96%，如果使用氮化镓......
损耗所抵消。此外，逆变器的工作频率有一个限制，超过该限制，由于设备的开关周期较长，则无法进行操作。 氮化镓和碳化硅技术相辅相成，并将继续使用。氮化镓器件在数十伏至数百伏的应用中表现良好，而碳......
半导体高级应用总监黄秀成介绍说，相比于传统的常关型氮化镓功率器件，纳微半导体又进一步做了集成，包括驱动的集成、保护和控制的集成等。他认为，氮化镓功率芯片集成以后，能带来以下优势： 第一，传统的硅器件参数不够优异，其开关速率和开关频率......
下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换......
下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换......
下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换......
QPT正在彻底改变氮化镓电力电子技术;一套专利技术使氮化镓首次在20兆赫的频率下工作而不会出现过热或射频问题，为氮化镓开辟了广阔的新应用领域 QPT有限......
QPT正在彻底改变氮化镓电力电子技术;一套专利技术使氮化镓首次在20兆赫的频率下工作而不会出现过热或射频问题，为氮化镓开辟了广阔的新应用领域QPT有限公司是一家专注于提高电气效率的清洁技术公司，它是......
GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。本文引用地址：该方案采用 与 氮化镓功率芯片 并且搭配 ONSEMI 半导......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC;InnoSwitch3-EP 1250V IC强化了公司在高压氮化镓......
-Mode器件则更简单并稳健。所以，对于可高达1 MHz开关频率的操作，共源共栅GaN FET最为适合。 氮化镓功率器件分为增强型（E-Mode）和耗尽型（D......
-12V环节在整个链路中扮演了重要角色。在这种背景下，基于 InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW 方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC;深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管(GaN......
的宽输入电压下 • 峰值效率超过96%，不同电路及负载下效率曲线平坦 • 精准的开关频率调节，提高输入EMI滤波器的利用率 • 超过180kHz的开关频率，适用于紧凑型设计 此款新参考设计，丰富......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC; 【导读】深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯......
INN040LA015A器件推出1KW DC/DC电源模块方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。 图示2-大联......
有关的其他问题。 如上所述，基于 InnoSwitch3 QR 反激式转换开关 IC 的更多集成方法，能够让设计者开发出优雅、高效的电源转换器，获得氮化镓开关的性能优势，同时......
器件无法做到的。其它规格及特点还包括：• 可运行于90至264 Vac的宽输入电压下• 峰值效率超过96%，不同电路及负载下效率曲线平坦• 精准的开关频率调节，提高输入EMI滤波......
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于......
，效率也提升至90%以上。 RDR-1053 demo参考板 凭借1700V InnoMux-2氮化镓开关IC，PI在全球市场树立了新的技术标杆。这一产品不仅为高压氮化镓器件开辟了新天地，更展示了氮化镓......
推出1KW DC/DC电源模块方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。     图示......
效率超过96%，不同电路及负载下效率曲线平坦 ●精准的开关频率调节，提高输入EMI滤波器的利用率 ●超过180kHz的开关频率......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路; 【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后......
规格及特点还包括： ●   可运行于90至264 Vac的宽输入电压下 ●   峰值效率超过96%，不同电路及负载下效率曲线平坦 ●   精准的开关频率调节，提高输入EMI滤波器的利用率 ●   超过......
（ZVS），降低了开关损耗，最终整体电源可以实现超过95%的转换效率。在电源适配器的设计中，功率电子元件高速通断下的导通损耗是设计中热管理的核心。当采用了导通电阻很低的氮化镓开关后，可以......
件采用低成本的5mm×6mm的紧凑封装，更有利于小型化设计。芯片内部集成的GaN晶体管可应用于高开关频率，并有助于减小反激变换器的体积和重量，因此，使用这款产品设计先进的高能效开关电源（SMPS）可显......
出功率。ViperGaN50采用单开关拓扑，内置电流采样和保护电路。在封装方面，该器件采用低成本的5mm×6mm的紧凑封装，更有利于小型化设计。芯片内部集成的GaN晶体管可应用于高开关频率，并有......
ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC电源模块方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，具有......

相关企业

epc
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
华跃国际（香港）有限公司
IKW40N120T2 两支替代一个50A1200V2单元的模块 同样可以使用IGBT提到mos，电压600v、1200v电流6A以上硬开关频率低于100K用IGBT具有高性价比 IGBT焊机
triquint-semiconductor
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
河南郑州原创电子科技有限公司
和销售. 目前, 我们的主要产品有：晶体谐振器（主要封装形式有: 43U, TO8和UM-1）、sensor及相关频率控制元器件。我们的产品均获得了河南省高新技术产品称号。特别是晶体谐振器，已占
深圳市科莱特电子有限公司
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
璨圆光电深圳市场部
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
四川新力实业集团有限公司
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
深圳市希奇电子科技有限公司
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
深圳市港晟电子有限公司
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。