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研发客服传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。
本文引用地址：该方案采用 与 氮化镓功率芯片 并且搭配 ONSEMI 半导体的 LLC 驱动器NCP13992与 同步整流驱动芯片NCP4306，其中 PFC驱动为NCP1615 。本电源解决方案为输入85-260VAC 输出 DC19.5V/7.69A，其简化布局并减少外部组件数，采用跳周期模式提升轻载能效，并集成一系列保护特性以提升系统可靠性。这150W 方案的体积为 103mm x 55mm x 17mm ，这个体积尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 采用开关频率为100~200KHz / LLC采用开关频率为270KHz，并且在满负载又不需要外加风扇去散热的情况下其转换效率高于95.2%。用于工业电源大功率电源系统应用，可显著实现轻载和满载时的高能效及超低待机能耗。
►场景应用图
►产品实体图
►展示板照片
►方案方块图
►核心技术优势
· 无辅助电源, 快速启动
· X2 电容放电功能
· 输入功率因数 接近0.99
· 低电源&过载保护
· 温度保护功能
· Dimension 103*55*17 96CC
· 功率密度为1.56 W/cc
· 输出满载功率下的最高效率为95.2%
· 空载损耗为135mW
►方案规格
· 输入：AC90 – 265 V;
· 输出：19.5 Vdc / 7.69 A 功率150 W ，纹波< 120 mV；
· 待机功耗小于135MW；