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英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%; 【导读】随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体......
这个项目将新添一条氮化镓共封装器件生产线 年产值可达到12亿元;据徐州日报8月16日报道，近日，徐州致能半导体有限公司（以下简称“徐州致能半导体”）灿科半导体功率器件项目将新上线一条氮化镓共封装......
徐州致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计今年11月投产;据徐州日报报道，徐州致能半导体有限公司（以下简称“致能半导体”）运营总监朱解冰表示，今年11月，致能半导体氮化镓及其共封装......
，推进“苏州市产业技术研究院车规半导体产业技术研究所”的设立与运营发展，大力拓展布局车用高功率氮化镓技术，并充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，为把......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择; 【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V......
只能实现几十瓦到一百多瓦的输出功率。这种情况基本属实，因为增强型氮化镓目前只有QFN/DFN和TOLL等贴片封装形式，在中大功率应用场景的散热问题难以解决。但是，镓未来氮化镓采用独特的紧凑级联型技术，封装......
TOLL等贴片封装形式，在中大功率应用场景的散热问题难以解决。但是，镓未来氮化镓采用独特的紧凑级联型技术，封装形式涵盖QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多种形式，满足小功率（30W......
功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装，支持独立的高低边PWM信号输入，可与绝大多数控制器匹配。是48V功率......
团队自主研发。 值得一提的是，DX6510D（650V氮化镓功率器件4x4mm）曾获得2021中国IC设计成就奖之年度最佳新材料器件奖。“DX6510D是一款全球最小650V/160mΩ氮化镓功率器件，采用了为氮化镓量身定做的全新自研板级封装......
提升到120W甚至更大功率。   普通消费者，甚至对氮化镓了解不多的工程师，普遍认为氮化镓只能实现几十瓦到一百多瓦的输出功率。这种情况基本属实，因为增强型氮化镓目前只有QFN/DFN和TOLL等贴片封装形式，在中......
Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件;三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode......
味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO－220封装氮化镓功率管;目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源......
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于......
49mΩ。 接下来几个月内，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。 氮化镓......
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件，助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能;新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展......
Transphorm推出业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管; 【导读】继最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN®......
楼、研发楼等，新增2条氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片封装线、2条氮化镓应用模组封装线，年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片，5000万只氮化镓电源模组。2021年8月13日，马鞍......
​ Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件;三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D......
山发布”曾介绍，东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目总投资12.25亿元，主要建设标准GMP洁净厂房、办公楼、研发楼等，新增2条氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片封装线、2条氮化镓应用模组封装......
%。 目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源......
) 等不同封装选项，针对不同应用搭配最适当的 Rds 阻抗和封装组合，实现卓越电气和热性能表现。• 700V 氮化镓E-mode晶体管提供当前业界最高的瞬态电压额定值，达850V，大幅......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计;Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管 目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓......
德州仪器进军中压氮化镓，进一步替代传统硅基市场;近日，德州仪器推出了全新的100V氮化镓——LMG2100和LMG3100系列产品，补充了公司在100V左右中压市场的空白。借助新一代氮化镓，以及热增强双面冷却封装......
；可提供高性能封装，能用单个Transphorm 器件替代多个并联的e-mode 氮化镓器件或硅器件）； ●   业界最多的器件封装选择（SMD、TO-XXX、TOLL、TOLT 等......
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展;重点摘要 • GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助......
能满足客户需求的解决方案。」GaN Systems 正引领全球电源产业的转型，在产品组合完整度、封装技术创新、功能丰富度、及性能表现上皆拥有领先优势。  功率电子技术的大跃进  GaN Systems 第四代氮化镓......
功率器件和硅基芯片一样，制造环节主要包括设计和外延片生长、芯片制造和封装测试。 表 2 氮化镓功率器件一般制造环节 1、设计阶段 氮化镓一般通过TCAD（计算机辅助设计技术）仿真，对结......
源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市......
源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市......
电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓......
筑面积51302.28平方米，其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。 2022年12月中旬，氮化镓......
芯片完整产业链综合高新技术产业企业。 据介绍，氮化镓半导体芯片项目总投资3亿元，占地面积125亩，总建筑面积5万余平方米。项目包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制......
和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能 新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日......
Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件，支持多功率等级，创造竞争优势;Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件，支持多功率等级，为客......
Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件，支持多功率等级，为客户创造竞争优势;Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适......
本身具有高性能和高可靠性，增加了氮化镓平台本身的性能和可靠性。 借助于现代封装技术，Transphorm高功率Normally-off SuperGaN产品的寄生电感得以最小化。其采......
Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件; 【导读】2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc......
的领导者。目前安世半导体已经开发了三代氮化镓产品，包括高压和中压封装、TO-247封装以及5-20mQ的产品。安世半导体正在着重开发汽车领域的应用，主要包括车载充电器、DC......
Transphorm发布两款4引脚TO－247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线;新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件全球领先的氮化镓......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们......
米，主要从事氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片、氮化镓应用模组封装线的研发、生产和销售。 仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目开工 今年1月上旬，合肥仙芈智造科技有限公司（）仙芈......
半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约;据西电广州第三代半导体创新中心消息显示，近日，在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上，西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约;据西电广州第三代半导体创新中心消息显示，近日，在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上，西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier......
的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。 EPC2065 是一款 80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），可提供221 A脉冲电流，其芯片级封装的尺寸为7.1......
式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化镓电源系统设计。 Transphorm 的 SuperGaN  FET可用于各种拓扑结构，并能够提供多种封装形式，支持广泛的功率级，满足不同终端市场应用要求。SuperGaN......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用全球领先的氮化镓......
人民币），营收目标做到“数十亿”。 罗姆开发出控制氮化镓功率半导体的新技术，有望年内供应样品 近日，罗姆官方消息显示，其开发出用于GaN半导体的高速控制IC，能够减少电源封装面积86%，可把......
长电科技在中国厂区已布局绝缘栅双极晶体管（IGBT）封装业务，锁定车用电子和工业领域，同时具备碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）芯片封装和测试能力，目前......

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;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
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，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
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