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科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
和12英寸晶圆。 然而，制造尺寸大于4英寸的氮化镓单晶晶圆一直都面临挑战。为此，大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种8英寸的多点籽晶（MPS）衬底，并在衬底上生长出对角线长度略低于8英寸的六方氮化镓晶体......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
更小的器件尺寸。 在制造方面，氮化镓（GaN）晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓外延层（GaN-on-Si）可以使用现有的硅半导体设备，而且可采用低成本、大直......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。 所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比; 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
衬底。 2021年12月，吴越半导体在无锡高新区举行GaN晶体出片仪式，会上展示了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。 封面图片来源：拍信网......
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。 氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶体......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。 这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。 今年，Intel在硅和氮化镓......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
领域取得了一定成果。 1月9日，镓仁半导体宣布公司在氧化镓晶体......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？;据无锡高新区消息，12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了高电子迁移率晶体......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们......
美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。 英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示......
EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。  宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设......
再带来了新消息。 意法半导体量产氮化镓器件 8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介绍，STPOWER......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 英飞凌表示，公司......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品，它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓（GaN）晶体管， 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶体......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
朝着单片集成发展。 研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。 据电......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
宽度决定了一种材料所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。 由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓......
增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。 报道称，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓......
重点实施“氧化镓晶体制造、装备和工艺技术”“蓝宝石晶体制造、装备和工艺技术”和“磁光晶体制造、装备和工艺技术”等“卡脖子”项目的研发与产业化，建设“人工晶体生长”“精密光学加工”“检测装备与技术”等公......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
大化提升应用的功率密度。 •快速的短路保护，自主的“检测和保护”可在50 ns内完成，比竞争对手的分立式氮化镓解决方案快4倍。 •静电放电（ESD）保护达到2 kV，而分立式的氮化镓晶体......
新突破 Intel研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM。 Intel正在打造300毫米直径的硅上氮化镓晶......
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示，芯睿半导体氮化镓晶......
的研发，成功突破多项关键技术，包括2英寸氧化镓晶体与外延技术，以及氧化镓材料的量产等。其中，Novel Crystal公司已实现2 英寸、4英寸的衬底及外延的批量化供应，2022年7月宣布计划 2025......
实验室和宇航局；德国的莱布尼茨晶体生长研究所、以及法国圣戈班等都已加入氧化镓材料及器件研发的浪潮中。 专家看好未来发展，10年后或直接与SiC器件竞争 尽管主流技术路线生长的氧化镓晶体......
从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于2010年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管和集成电路。 自此，该公司成为业内公认的氮化镓产品和服务的领导者。 在本次所提交的起诉状中，宜普......
，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在......
片集成电路。去年，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在......
单晶衬底生长技术公司之一。 铭镓半导体工作人员在做相关试验。 北京铭镓半导体有限公司创始人、董事长陈政委向记者介绍，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面（001）晶体......
性且易驱动性：采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极，不受 e-mode 的 p 栅极限制，可兼容硅基驱动器和控制器。  业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示，“长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体......
于紧凑型伺服或微电机控制器、小型自动化电路、物联网设备等。 据介绍，该系列产品设计用于为电机驱动器（主要是桥式电路）供电。变频器与氮化镓晶体管配合使用，通常用于直流电机控制器。其输出电流高达125 mA......
公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮化镓从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于 2010 年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体......
公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮化镓从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于 2010 年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管和集成电路。 自此......
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。 受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺......

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;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
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