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格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息,8月3日上午,格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。 格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元,是格......
射频从业者必看,全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读; 版权声明:本文内容整理自网络,如您觉得不合适,请与我们联系,谢谢。 2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
广东省重点项目:华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线; 11月19日消息,据珠海高新区公众号,近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通,并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
,国内两条芯片生产线传来新进展:广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通;陕西芯业时代8英寸......
·华芯砷化镓晶圆生产基地进入设备安装阶段,预计年内正式投产。该项目总投资33.87亿元,分两阶段建设,满产产能15000片/月。此次实现设备进机的主体工程项目,是华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线,主要......
万片4英寸砷化镓晶片和年产100万片6英寸砷化镓晶片的生产线,达产后预计可实现年销售收入8亿元。 值得一提的是,近两个月来,多个化合物半导体项目签约落户椒江。除了最新签约的这几个项目之外,今年6月......
前完成洁净室正压送风节点。该项目建设内容为6英寸砷化镓晶圆代工、年产13.5亿颗射频滤波器。 封面图片来源:拍信网......
科技关联方供应有保障 资料显示,鑫耀半导体成立于2013年,是云南锗业旗下控股子公司,主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片(衬底)、磷化铟晶片(衬底)的研发和生产,产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL......
季获利有望比前几季亮眼,带动营运稳定发展。 联颖成立于2010年,为联电新投资事业群的一员,提供6英寸砷化镓晶圆代工服务,生产CMOS制程的二极管、MOSFET以及滤波器等,终端产品可应用于手机无线通讯、无线......
不超过1.5 W /毫米),现在一个非常简单的器件就可以有高达 图4:Cree的碳化硅HEMT可提供比硅和砷化镓晶体管更大的功率密度和更宽的带宽。带宽的系列范围从10 Mhz通过18Ghz......
也要兼顾成本。而若想要在成本上取得优势,就必须选择一个正确的芯片供应商,从而布局供应链战略。 砷化镓晶圆砷化镓......
第四季营收恐进一步滑落。 而在应用领域较窄的砷化镓晶圆厂方面,产能利用率却早已滑落至冰点,早在今年5月,集微网就曾在《PA成去库存“重灾区”,持续扩产之下,砷化镓代工产能已供过于求》一文......
,目前已成功制备直径2英寸(50.8 mm)的氧化镓晶圆。 浙大杭州科创中心消息显示,使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势,一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆......
代工厂与 IDM 厂产值统计( 单位:百万美元) 2015 年全球砷化镓晶圆代工竞争格局 国家意志驱动,国内产业链崛起 (1)内需拉动集成电路产业整体发展 集成......
会回到In-House制造厂生产VCSEL,对于台系砷化镓晶圆厂来说,较无优势。 Sony与苹果多年合作,也与英系IQE等磊芯片业者关系良好,不过,台厂在化合物磊芯片市占率也节节攀升,能够与IQE分庭......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世!;9月11日,英飞凌宣布,公司已成功开发出全球首款12英寸(300mm)功率氮化镓(GaN)晶圆。 英飞凌表示,公司......
国内首批!铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日,从顺义科创集团获悉,入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破!;近期,北京铭镓半导体有限公司(以下简称:铭镓半导体)使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓晶圆......
三菱电机投资Novel Crystal Technology,加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日(2023年7月28日)宣布,已投资日本氧化镓晶圆......
通信事业部,包括该公司在加州的砷化镓晶圆制造厂 ·2002年,收购Conexant位于墨西哥的封测厂 ·2008年,收购飞思卡尔的PA业务 ·2011年,收购SiGe Semiconductor的PA业务......
有释出非常正面的展望。 熟悉三五族半导体业者坦言,Qorvo、Skyworks、Broadcom等大厂下半年释出给台厂的订单能见度,手机领域也不乐观,一般预期库存去化最快要到年底,估计台系砷化镓晶圆代工的宏捷科、稳懋......
模块营收占比将会提升到30%以上。 在新的领域,三菱电机也在加速布局。今年7月底,三菱电机宣布其已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology,今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓......
,目前已经成功制备直径2英寸(50.8mm)的氧化镓晶圆。 国际首创!浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆 浙江大学杭州国际科创中心介绍称,使用......
第四代半导体氧化镓,被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布,它已入股Novel Crystal Technology, Inc.(以下简称“NCT”),一家开发和销售氧化镓晶圆......
福州新区两个GaN项目签约;近日,福州新区集中签约38个重点项目,总投资超220亿元,其中2个项目涉及氮化镓,包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示,芯睿半导体氮化镓晶圆......
情况下,产率应该达到99.999%。 他还认为,苹果需要培育几乎整条供应链,在源头上需要解决8英寸蓝宝石和砷化镓晶圆供应问题。 此外......
等已经成功导入三安产品;包含广和通在内24家潜在客户已进入产品验证阶段,将于近期转为正式客户。 三安集成表示,公司始终将自己定位在垂直整合的大规模制造平台,有能力为客户提供滤波器器件、砷化镓晶圆......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息,镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备,预计将显著提升产能,以满足全球市场对氧化镓晶圆......
”),一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,凭借耐高温、抗高......
激光器、VCSEL阵列激光器工艺、IPD集成无源器件等工艺。 在这届中国光博会中,光电子先导院携砷化镓基VCSEL单孔晶圆砷化镓基VCSEL阵列晶圆砷化镓IPD(集成无源器件)晶圆......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期,我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单......
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期,我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单......
链战略布局,芯片设计公司的重中之重。 目前,哪些芯片供应商会决定国产射频前端芯片的命运呢?主要有五类供应商: 一、砷化镓晶圆厂(PA......
在自主替代大趋势下,目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足,在政策支持下已在技术与生产方面取得进步,产业结构相对聚焦中游,多家国内企业已拥有氮化镓晶圆制造能力。 此外,5G通讯......
材料与器件。 近两年,我国在氧化镓材料的制备上不断取得突破性进展,相关技术也逐步成熟。 2022 年 5 月,浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备 2 英寸氧化镓晶圆,不仅......
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线,主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。 受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长,英诺......
机台设备在开发与生产上相互配合使用,以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果,世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上,针对65W以上的快充产品,其系......
做强材料产业。发挥我省资源和能源优势,紧跟市场需求,引进技术领先的知名企业,发展大硅片晶圆等第一代半导体材料产业,聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代......
总投资100亿的奕源半导体项目外,还有格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目等。 据全球半导体观察此前不完全统计,仅在2024年珠海重点建设项目计划表名单中,半导体与集成电路产业相关项目(投产、续建......
看好氮化镓市场,德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能; 【导读】德州仪器(TI)日本负责人Samuel Vicari日前接受日经新闻专访,透露将扩大在日氮化镓晶圆......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 (电子设计创新大会)于4月9日-10日在北京会议中心正式举行,暌违三年有余,作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 (电子设计创新大会)于4月9日-10日在北京会议中心正式举行,暌违三年有余,作为......
赛科科技有限公司成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线,主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓......
英寸过渡,以充分利用大尺寸晶圆、更高产量及更优性能等的优势,巩固其在通信和传感领域的可持续竞争力。 除了InP,Coherent今年在碳化硅(SiC)与砷化镓(GaAs)领域......
射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。 PA 芯片领域: PA 芯片行业迎来接口标准化及砷化镓晶圆代工向国内转移两大红利,国内PA 厂商的产品研发及生产过程更加顺畅,预计在5G 时代国产替代率将大幅提高。目前......
射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。 PA 芯片领域: PA 芯片行业迎来接口标准化及砷化镓晶圆代工向国内转移两大红利,国内PA 厂商的产品研发及生产过程更加顺畅,预计在5G 时代国产替代率将大幅提高。目前......
公司联颖负责。联颖此前提供6吋砷化镓晶圆代工,目前携手联电切入GaN,初期将以6吋晶圆代工服务为主,未来会考虑迈向8吋。 另外,由LED芯片......
国外大厂合作进军此领域,尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示,氮化镓拥有高效能、高电压等特性,适合用在高频半导体,而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展,符合客户要求,看好未来氮化镓应用前景。如今,小批......
积的优势不言而喻,但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地,规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 随着终端产品对氮化镓......
两地建设了合计月产30,000片4及6寸砷化镓晶圆的产能,同时布局了2/3/4寸磷化铟平台,用于全波长、全速率数通类光芯片、大功率消费类和车载光通讯芯片的生产。目前,三安的PD产品......

相关企业

;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
段各种脉冲功率合成器、分配器:一分八、八合一、一分四、四合一、一分二、二合一等产品。2、代理产品: 三菱功放模块;三菱场效应功率管;三菱MGF系列砷化镓晶体管; 东芝2SC,2SK系列大小功率三极管;霍尔
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作,为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营:微波、毫米波(砷化镓场效应管、砷化镓
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境,致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等,其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有:电源管理IC,马达驱动IC,砷化镓霍尔元件,锑化铟霍尔元件,双极型霍尔IC,光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关