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中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
多晶。
此次合成的砷化镓多晶，是以高纯镓和高纯砷为原料进行配料，并在真空状态下高温合成，完整性好，成品率为95%，电学性能指标优异，完全满足了砷化镓单晶制备要求。
据了解，中金岭南（韶关......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
英寸氧化镓单晶，中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！;氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。
9月12日，据杭......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化;今年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6......
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆(2025-01-10)
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆;1月9日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co.,Ltd.）日前宣布成功开发出了用于垂直晶体管的8英寸氮化镓（GaN）单晶晶圆。
这是......
年产5万片GaN单晶衬底及外延片 苏州纳维科技总部大楼奠基(2021-01-27)
目位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。
图片来源：苏州......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。
值得注意的是，今年2月，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
中国电科46所氧化镓......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶......
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功(2024-03-21)
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功;3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，氧化镓......
多条6英寸晶圆产线获得最新进展！(2024-09-23)
等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。
2国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！
9月12日，据杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）官微......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”;
【导读】近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区(2021-08-23)
目。
图片来源：赣州经济技术开发区招商引资
此次签约项目包括深圳市中科半导体科技有限公司（以下简称“中科半导体”）氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目，主要生产2-4寸氮化镓外延片材料和氮化镓单晶......
国内第四代半导体技术迎新进展(2025-01-10 13:12:42)
晶体生长领域取得新进展，通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级，采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出4英寸氧化镓单晶，这是......
中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展(2024-12-17)
异质集成材料与器件领域取得突破性进展。
上海微系统所研究团队创新发展XOI晶圆转印技术，在国际上率先实现阵列化氧化镓单晶薄膜与1英寸金刚石衬底的异质集成。转移处理后氧化镓单晶薄膜材料摇摆曲线半高宽为78......
刘鹤调研IC企业；DRAM厂商排名；国内首颗6英寸氧化镓单晶出炉(2023-03-06)
刘鹤调研IC企业；DRAM厂商排名；国内首颗6英寸氧化镓单晶出炉;“芯”闻摘要
DRAM厂营收最新排名
服务器出货量预估
刘鹤调研集成电路企业
国内首颗6英寸氧化镓单晶出炉
苏州......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。
美国Kyma科技公司在氧化镓基片、外延......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断；7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底；9月上旬，镓仁半导体宣布成功研制超薄6英寸氧化镓衬底，衬底厚度小于200微米。......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。
上个月，中国电科集团宣布中国电科 46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平，同时突破了 6
英寸氧化镓单晶......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
东京农工大学、京都大学和日本国家信息与通信研究院等科研机构，推动氧化镓单晶及衬底材料以及下游功率器件的产业化发展。
此外，美国、德国、法国等也在加紧氧化镓产品的研究和竞争，如美国的空军研究实验室、海军......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
制备技术的研究，一直处于领先地位，先后有TDI、Kyma、ATMI、Cree、CPI等公司成功生产出氮化镓单晶衬底。Kyma公司现在已经可以出售1英寸、2英寸、3英寸氮化镓单晶衬底，且已研制出4英寸氮化镓单晶......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
还有诸多技术瓶颈待突破，如：由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备较难实现，不完善的上下游市场相关配套设施等。目前业界各方都在攻坚克难，争取早日领先突破。
氧化镓前景可期，谁在......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
材料制备技术也取得了长足进步。2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，达到......
盘点！2021年第一季度化合物半导体主要项目汇总(2021-04-12)
月24日上午，苏州纳维举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。
③宽禁......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
。导电型砷化镓应用到光电子领域，单晶生长方法有水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法），单晶尺寸有Φ2”、Φ3”、Φ4”和Φ6”，以Φ4”为主，主要......
“后起之秀”氮化镓新动态：签约、量产、应用…(2023-08-04)
49mΩ。
接下来几个月内，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
氮化镓单晶......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
化学已经成功建立4英寸氮化镓衬底的量产技术，将从2024年开始与客户协调量产事宜，还将提供GaN on GaN垂直型外延产品。
据悉，阜阳师范大学科研处于3月1日到访镓数氮化物产业研究院，就“4英寸氮化镓单晶......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
发成果。
2012年，日本率先实现2英寸氧化镓材料的突破，NCT氧化镓材料尺寸可达到6英寸；2015年，推出了高质量氧化镓单晶衬底，2016年又推出了同质外延片，此后基于氧化镓......
国产“芯”，遍地开花(2024-12-04)
挖掘优质项目并加大布局力度。
镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
11月29日，镓仁半导体官微宣布，公司于2024年10月在氧化镓晶体的直拉法生长与电学性能调控方面实现技术突破，成功生长出2英寸N型氧化镓单晶......
中国互联网投资基金等入股富加镓业(2025-01-25)
杭州富加镓业股权投资合伙企业（有限合伙）、齐红基等及上述新增股东共同持股。
富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发的工作。2024年9月，富加镓业打造的国内首条6英寸氧化镓单晶......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
材料环节，氧化镓粉末价格约为 2000-3000 元 / 千克，碳化硅高纯粉达上万元 / 千克。在单晶衬底制备环节，氧化镓单晶衬底生长周期普遍比碳化硅短，国际领先企业生产氧化镓的效率比碳化硅普遍大 2 倍。若无......
又一家氮化镓企业被合并，10年内营收提升至15亿(2022-08-10)
化学品部门。
合并后，住友表示计划在10年内将GaN单晶衬底的销售额提高到300亿日元以上（约15.2亿人民币），约为当前的3倍以上。
同时并将投资100亿日元（约5亿元人民币），在2024年前后建立扩张4英寸氮化镓......
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它(2020-12-11)
锗业公告截图
公告指出，鑫耀半导体是专业从事半导体材料砷化镓及磷化铟衬底（单晶片）生产的企业，哈勃科技关联方中有专业的半导体芯片厂商，公司本次接受哈勃科技的增资主要目的是为了加强与下游厂商的沟通与协作，有利......
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京(2023-05-29)
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。
消息称，此次......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
英寸过渡，以充分利用大尺寸晶圆、更高产量及更优性能等的优势，巩固其在通信和传感领域的可持续竞争力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）与砷化镓（GaAs）领域......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功制备出国内首片高质量氧化镓单晶......
1.2亿元！晶升股份与客户J签订碳化硅炉设备买卖合同(2023-08-30)
家专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业。
据相关信息显示，晶升股份的碳化硅单晶炉于2019年实现量产销售，目前已经拥有JSSD......
8月1日生效！中国对镓、锗相关物项实施出口管制(2023-07-04)
海关商品编号：2853904030、3818009003、3825690003）。
5.砷化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853909026......
江苏，将打造第三代半导体产业高地(2023-11-13)
布局一批前沿性未来产业。
其中，第三代半导体方面：高标准建设国家第三代半导体技术创新中心，加快推动碳化硅、氮化镓单晶衬底及外延材料制备技术升级和应用延伸，大力发展电力电子器件、微波射频器件、光电......
中科院院士郝跃：未来10年氧化镓器件有望直接与碳化硅器件竞争(2022-12-19)
预测，到2030年氧化镓晶圆的市场将达到约590亿日元（约4.2亿美元）。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。
目前氧化镓单晶衬底供应方面，日本NCT公司......
SiC设备厂商晶升股份宣布总部生产及研发中心项目封顶(2023-11-30)
硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业，可为不同类型的半导体材料客户提供定制化晶体生长设备、工艺及技术服务。
近期，晶升股份在接受机构调研时表示，公司......
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）总部开工(2023-09-04)
担上级研发项目10项，完成4款电路芯片设计，在氮化镓单晶、氮化镓外延片等方面取得重要突破，部分指标国际领先，累计申请专利260多件；组建省人才攻关联合体，集聚以院士为引领的40多位高层次领军人才，核心......
持股10%，华为再投资一家半导体设备公司(2022-02-15)
、砷化镓、磷化铟等化合物半导体衬底材料、半导体器件、先进封装、MEMS等领域。
微信公众号“顺义人才”此前报道，碳化硅衬底领域，特思迪半导体的产品单面抛光机技术水平和同类型进口设备相当，已取......
商务部：推动国家第三代半导体技术创新中心等平台高质量发展(2024-11-22)
重大成果。其中包括与苏州大学、复旦大学等单位合作，利用团队研发的氮化镓单晶衬底、激光器外延芯片，能实现照明、显示、通信一体化的汽车大灯应用模块等，为第......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有：电源管理IC，马达驱动IC，砷化镓霍尔元件，锑化铟霍尔元件，双极型霍尔IC，光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
anadigics;;;ANADIGICS成立于1985年，总部位于新泽西州华伦市。主要生产高性能砷化镓集成电路，为宽带和无线通讯市场设计生产射频IC。ANADIGICS公司生产的射频IC使通