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三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
使用离子注入法，然后退火处理，在晶体中掺杂磷（以添加自由电子）或硼（以减去自由电子），从而使电荷能够自由移动。对于氧化镓，可以用同样的方法在晶体中掺杂硅来添加电子。这个方法只有氧化镓能做，像其......
中科院在半导体所硅基外延量子点激光器研究取得进展(2023-06-26)
泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外......
ASML确认！荷兰管制新规将影响这几种型号光刻机出口(2023-07-02)
）；
• 可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料。
3B001.a.4：用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂硅锗（SiGe）这几种材料外延生长的设备，具有......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗;我们都知道，半导体材料对5G、人工智能、物联网等新兴电子信息产业有着举足轻重的作用。其中，有一种叫的半导体材料，以它制成的，还有着更强大和广阔的应用。本文......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读;
版权声明：本文内容整理自网络，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？;
来源：内容来自GaN世界 ，作者 Barry Manz， Mouser Electronics 谢谢。
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
%。
砷化镓器件应用于消费电子射频功放，是 3G/4G 通讯应用的主力，物联网将是其未来应用的蓝海；氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域，利润率高且战略位置显著，由于......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V
ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
端制造业和顶尖人才领衔项目签约，总投资额达227亿元，其中包括锗硅、砷化镓第三代半导体和化合物半导体衬底片制造两个半导体项目，两大项目合计投资达105亿元。
锗硅、砷化镓第三代半导体项目
项目......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面(2022-07-19)
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面;据科技日报7月17日报道，英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。
在制备方面，锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
供应商采用砷化镓（GaAs）工艺不同。但是由于CMOS的性能问题始终没能得到有效解决，于是在今年早期，高通开始转向GaAs工艺。
高通更宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在......
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立(2022-11-30)
究院围绕核心的半导体激光器领域所做的一个重要的横向业务扩展，将目前长光华芯公司核心的半导体激光器从短波红外和近红外领域拓展到可见光领域。
苏州半导体激光创新研究院院长王俊表示，目前公司拥有砷化镓、磷化铟和氮化镓......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
代半导体以锗和硅为代表；第二代以20世纪80年代和90年代相继产业化的砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表；第三代以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表；第四代则是在2005年以后逐渐被重视的4eV以上......
立昂微：加码微波射频芯片，拟斥5亿设立海宁子公司(2021-01-04)
公司”)，注册资本为5亿元人民币，专项负责推进、实施所投资项目。
据介绍，微波射频集成电路芯片项目总投资约43亿元人民币，其中设备投资36.05亿。建成后，年产36万片6英寸砷化镓/氮化镓......
砷化镓智能应用芯片、纳米车灯芯片等项目签约山西太原(2022-09-27)
砷化镓智能应用芯片、纳米车灯芯片等项目签约山西太原;据太忻一体化消息，9月24日，太忻一体化经济区（太原）专场推介会在山西太原举行，晋台有关单位、企业现场签约10个合作项目，总投资额64亿元，涉及......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，氧化镓......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
上述难点问题，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组分别进行了研究，并在氧化镓功率电子器件领域取得了重要进展。
01高耐压氧化镓二极管
目前，由于氧化镓P型掺杂仍然存在挑战，氧化镓......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。
目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化镓......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
”。
部分公司影响稍大
根据公告显示，我国决定对镓、锗相关物项实施出口管制，并从今年8月1日起正式实施。据了解，镓相关物项包括金属镓（单质）、氧化镓、氮化镓、磷化镓、砷化镓等，而锗相关物项包括金属锗、磷锗......
贸易战持续叠加疫情影响，料砷化镓射频厂商今年整体衰退3.8%(2020-07-16)
贸易战持续叠加疫情影响，料砷化镓射频厂商今年整体衰退3.8%;集邦咨询旗下拓墣产业研究院表示，在中美贸易战和新冠肺炎疫情的双重夹击下，相关射频前端器件IDM大厂与制造代工厂营收受到影响，且2020......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。
硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电......
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
空穴迁移率较差，而其他材料如砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但对空穴不具有良好的迁移率。
研究负责人表示，许多电子产品的主要瓶颈在于热量，尽管碳化硅的电迁移率较低，但其热导率是硅的三倍，因此......
长光华芯拟投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台项目，计划2023年开工(2022-12-28)
化合物半导体光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器......
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它(2020-12-11)
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它;华为将又一次出手投资半导体企业，这次瞄准的是一家砷化镓及磷化铟衬底生产商。
12月10日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“云南锗业”）公告披露，公司......
立昂微：看好功率半导体及硅片下游客户的需求 已与部分12英寸硅片客户签订长约(2022-03-18)
国晶半导体生产的主要产品为轻掺抛光片，与公司子公司金瑞泓微电子具有优势的12英寸重掺硅片产品在技术路线上存在互补性，可实现资源共享，提高公司在集成电路用12英寸存储、逻辑电路用轻掺硅片的市场地位。
据了解，立昂微子公司立昂东芯目前主营业务为砷化镓......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。
宽带隙参数
宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs)
等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-03-01 09:10)
业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频前端芯片制造的标准提出了更高的要求。三安......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-02-29)
集成现已成为三安光电旗下专注射频前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-03-05)
集成现已成为三安光电旗下专注射频前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
陆行之：LCD面板、晶圆材料、传感器等厂商去年12月营收明显改善(2024-01-14)
和12英寸晶圆材料、传感器、GaAs砷化镓化合物半导体、散热产业、设计服务，半导体设备及材料；明显恶化的是的PC、服务......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
集团旗下控股子公司正威金控完成向海特高新旗下控股子公司海威华芯的12.88余亿元增资，本次增资扩股完成后，正威金控持有海威华芯34.01%股权，成为海威华芯第一大股东。
据悉，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，是国内6英吋砷化镓......
蓝海市场新观点：联胜光电、奥特维聚焦 UV LED 车用市场(2016-10-20)
全世界最早的矽基板键结技术与专利，以此关键技术用于芯片制造过程中，将原本在磊晶成长时所使用的基板（如蓝宝石基板、砷化镓基板）置换成矽基板，利用其高散热性与高导电性以提升元件信赖度，并能......
蓝海市场新观点：联胜光电、奥特维聚焦 UV LED 车用市场(2016-10-19)
全世界最早的矽基板键结技术与专利，以此关键技术用于芯片制造过程中，将原本在磊晶成长时所使用的基板（如蓝宝石基板、砷化镓基板）置换成矽基板，利用其高散热性与高导电性以提升元件信赖度，并能......
三安光电半年报披露与ST合资等重大项目进展(2023-08-08)
%；期末存货净值较期初减少 1.86 亿元。
据了解，三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构。
这突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓......
拟投资不低于100亿元，这家化合物半导体厂商推动新项目落地(2021-09-23)
资已超过25亿，是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业，已完成包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及磷化铟（InP）在内的6大类......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
第三代半导体项目遍地开花;近日，多个项目迎来最新进展。其中，重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址：总投资32.7亿元，重投天科项目在深圳宝安启用
据滨......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有：电源管理IC，马达驱动IC，砷化镓霍尔元件，锑化铟霍尔元件，双极型霍尔IC，光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向
anadigics;;;ANADIGICS成立于1985年，总部位于新泽西州华伦市。主要生产高性能砷化镓集成电路，为宽带和无线通讯市场设计生产射频IC。ANADIGICS公司生产的射频IC使通