技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服据科技日报7月17日报道，英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得设备的性能可与目前市场上最好的传统光电探测器媲美，且能承受数百次弯曲，因此可用作未来机器人的智能电子皮肤，让其“看到”人类视觉范围以外的光。相关研究刊发于最近的《先进材料技术》杂志。
研究人员称，此前他们开发出将硅电路直接打印到柔性塑料表面的方法，创造出了高性能的可弯曲电子产品。砷化镓被用于制造多种高性能电子产品，但主要打印在刚性表面上。在最新研究中，他们改进了现有的滚印系统，使用15微米宽的导线阵列将砷化镓电子产品打印到柔性表面上，由此制造出一种新型柔性光电探测器，能够感应紫外线、部分可见光和红外线，且感应所需的功率极低。
该系统能够对光作出超快响应：只需2.5毫秒即可感测到光，8毫秒可恢复，性能与目前市面上最好的非柔性光电探测器相当。研究团队利用一台机器将其弯曲和扭转500次后，材料的性能也没有明显损失。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关文章
清华团队探微揭秘：飞秒激光或可改写材料“基因”(2023-02-09)
凝聚态体系中的实验进展非常少，很多关键的科学问题，例如能否在具有电子和光电器件应用前景的半导体中实现能带结构的瞬时调控，仍然有待实验的证实。
据了解，当前学界的研究主要聚焦在材料的平衡态特性，而对......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga₂O₃），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
立了相对应的外延生长机理模型图。
在β-Ga2O3日盲光电探测器制备方面，研究团队基于II型能带结构制备的CuCrO2/β-Ga2O3 p-n异质结型的自供电日盲光电探测器具有6.5 pA的低暗电流、5.7×104的高......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
-Ga2O3日盲光电探测器制备方面，研究团队基于II型能带结构制备的CuCrO2/β-Ga2O3 p-n异质结型的自供电日盲光电探测器具有6.5 pA的低暗电流、5.7×104的高光暗电流比、50 mA......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。
在制备方面，锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
%。
砷化镓器件应用于消费电子射频功放，是 3G/4G 通讯应用的主力，物联网将是其未来应用的蓝海；氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域，利润率高且战略位置显著，由于......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
无源分立器件设计和流片，还具备集成了空气桥结构和背面通孔结构的砷化镓PIN二极管的设计和流片能力。”
光电子先导院总经理杨军红(右)向客户介绍业务概况
据了解，光电......