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格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息，8月3日上午，格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。 格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元，是格......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读; 版权声明：本文内容整理自网络，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。 2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
万片4英寸砷化镓晶片和年产100万片6英寸砷化镓晶片的生产线，达产后预计可实现年销售收入8亿元。 值得一提的是，近两个月来，多个化合物半导体项目签约落户椒江。除了最新签约的这几个项目之外，今年6月......
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线; 11月19日消息，据珠海高新区公众号，近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
·华芯砷化镓晶圆生产基地进入设备安装阶段，预计年内正式投产。该项目总投资33.87亿元，分两阶段建设，满产产能15000片/月。此次实现设备进机的主体工程项目，是华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线，主要......
，国内两条芯片生产线传来新进展：广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通；陕西芯业时代8英寸......
科技关联方供应有保障 资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
前完成洁净室正压送风节点。该项目建设内容为6英寸砷化镓晶圆代工、年产13.5亿颗射频滤波器。 封面图片来源：拍信网......
不超过1.5 W /毫米)，现在一个非常简单的器件就可以有高达 图4：Cree的碳化硅HEMT可提供比硅和砷化镓晶体管更大的功率密度和更宽的带宽。带宽的系列范围从10 Mhz通过18Ghz......
季获利有望比前几季亮眼，带动营运稳定发展。 联颖成立于2010年，为联电新投资事业群的一员，提供6英寸砷化镓晶圆代工服务，生产CMOS制程的二极管、MOSFET以及滤波器等，终端产品可应用于手机无线通讯、无线......
也要兼顾成本。而若想要在成本上取得优势，就必须选择一个正确的芯片供应商，从而布局供应链战略。 砷化镓晶圆厂 砷化镓......
第四季营收恐进一步滑落。 而在应用领域较窄的砷化镓晶圆厂方面，产能利用率却早已滑落至冰点，早在今年5月，集微网就曾在《PA成去库存“重灾区”，持续扩产之下，砷化镓代工产能已供过于求》一文......
代工厂与 IDM 厂产值统计（ 单位：百万美元） 2015 年全球砷化镓晶圆代工竞争格局 国家意志驱动，国内产业链崛起 （1）内需拉动集成电路产业整体发展 集成......
造出中红外超级反射镜，研究团队结合传统薄膜涂层技术与新型半导体材料和方法，开发出一种新涂层工艺。为此，他们先研制出直径为25毫米的硅基板，然后让高反射半导体晶体结构在10厘米的砷化镓晶片上生长，接着......
通信事业部，包括该公司在加州的砷化镓晶圆制造厂 ·2002年，收购Conexant位于墨西哥的封测厂 ·2008年，收购飞思卡尔的PA业务 ·2011年，收购SiGe Semiconductor的PA业务......
会回到In-House制造厂生产VCSEL，对于台系砷化镓晶圆厂来说，较无优势。 Sony与苹果多年合作，也与英系IQE等磊芯片业者关系良好，不过，台厂在化合物磊芯片市占率也节节攀升，能够与IQE分庭......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
情况下，产率应该达到99.999%。 他还认为，苹果需要培育几乎整条供应链，在源头上需要解决8英寸蓝宝石和砷化镓晶圆供应问题。 此外......
等已经成功导入三安产品；包含广和通在内24家潜在客户已进入产品验证阶段，将于近期转为正式客户。 三安集成表示，公司始终将自己定位在垂直整合的大规模制造平台，有能力为客户提供滤波器器件、砷化镓晶......
体块单晶以及晶圆，目前已成功制备直径2英寸（50.8 mm）的氧化镓晶圆。 浙大杭州科创中心消息显示，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！;近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶......
司提供6英寸产品为主时，英诺赛科已切入8英寸领域。 早在2017年底，英诺赛科珠海制造工厂建成投产，成为中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗;我们都知道，半导体材料对5G、人工智能、物联网等新兴电子信息产业有着举足轻重的作用。其中，有一种叫的半导体材料，以它制成的，还有着更强大和广阔的应用。本文......
做强材料产业。发挥我省资源和能源优势，紧跟市场需求，引进技术领先的知名企业，发展大硅片晶圆等第一代半导体材料产业，聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 英飞凌表示，公司......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津;由北京、天津、河北三省市联合举办的2024京津冀产业链供应链大会于10月24日至25日在国家会展中心（天津）举办。 京津......
三菱电机投资Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。 据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。 PA 芯片领域： PA 芯片行业迎来接口标准化及砷化镓晶圆代工向国内转移两大红利，国内PA 厂商的产品研发及生产过程更加顺畅，预计在5G 时代国产替代率将大幅提高。目前......
射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。 PA 芯片领域： PA 芯片行业迎来接口标准化及砷化镓晶圆代工向国内转移两大红利，国内PA 厂商的产品研发及生产过程更加顺畅，预计在5G 时代国产替代率将大幅提高。目前......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。 项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
体块单晶以及晶圆，目前已经成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆。 国际首创！浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆 浙江大学杭州国际科创中心介绍称，使用......
正式落户宜兴经济技术开发区。 据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
众所周知，第一代半导体材料代表是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代半导体材料以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；而第......
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示，芯睿半导体氮化镓晶......
有释出非常正面的展望。 熟悉三五族半导体业者坦言，Qorvo、Skyworks、Broadcom等大厂下半年释出给台厂的订单能见度，手机领域也不乐观，一般预期库存去化最快要到年底，估计台系砷化镓晶圆代工的宏捷科、稳懋......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。 北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产  招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
子先导院”）已连续八年参展。在时间沉淀与创新升级中，该公司已经具备砷化镓（GaAs）基化合物光电芯片研发、中试代工、检测等全流程技术服务能力，已经开发了基于砷化镓材料的VCSEL（垂直腔面发射激光器）单孔......

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;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
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务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓