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中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
国内第四代半导体技术迎新进展(2025-01-10 13:12:42)
生长领域取得新进展，通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级，采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出4英寸氧化镓单晶，这是......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。
2月，媒体报道中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
十年左右，氧化镓可能成为碳化硅的有力竞争对手，在半导体市场大放异彩。
不过短期内，氧化镓还有诸多技术瓶颈待突破。比如，由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
的生长对工艺过程控制的要求极高，也更适于制备功率半导体器件，因此控制生长主面（001）晶相氧化镓晶体难度非常大。陈政委告诉记者：“此次，我们使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓单晶，完成了4 英寸氧化镓......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
研发、生产和销售的半导体企业，是少有的拥有氧化镓的单晶炉设计、热场设计、生长工艺、晶体加工等全系列自主知识产权技术的氧化镓单晶衬底生产商之一。
2021年8月，进化半导体宣布，已完......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”;
【导读】近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
还有诸多技术瓶颈待突破，如：由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备较难实现，不完善的上下游市场相关配套设施等。目前业界各方都在攻坚克难，争取早日领先突破。
氧化镓前景可期，谁在......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
家指出，大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的主要瓶颈。虽然氧化镓应用前景已经被多领域广泛看好，但未来氧化镓材料需要在高质量、低缺陷、大尺寸单晶......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！;氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。
9月12日，据杭......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。
美国Kyma科技公司在氧化镓基片、外延......
多条6英寸晶圆产线获得最新进展！(2024-09-23)
等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。
2国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！
9月12日，据杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）官微......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
说不具备大尺寸主面（001）晶相氧化镓晶体的生长工艺，氧化镓市场应用端推动过程将极为困难。
2
氧化镓是“何方神圣”？
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化;今年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6......
刘鹤调研IC企业；DRAM厂商排名；国内首颗6英寸氧化镓单晶出炉(2023-03-06)
生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
尽管氧化镓发展尚处于初期阶段，但其市场前景依然备受期待。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。
值得注意的是，今年2月，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
中国电科46所氧化镓......
国产“芯”，遍地开花(2024-12-04)
进展不仅提升了国内厂商的竞争力，也为未来国产芯片的产业化与全球市场的渗透奠定了坚实基础。
这也意味着国产半导体行业正在进入一个新的发展阶段。从景嘉微的GPU芯片到镓仁半导体的氧化镓单晶技术，再到国芯科技的AI......
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆(2025-01-10)
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆;1月9日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co.,Ltd.）日前宣布成功开发出了用于垂直晶体管的8英寸氮化镓（GaN）单晶晶圆。
这是......
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功(2024-03-21)
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功;3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
生长技术，其良好的结晶性可用于 6 英寸氧化镓单晶衬底片的研制。
综上所述，我国在半导体氧化镓材料的逐步突破将有力支撑该材料的产业化发展，未来将逐步以点到面地拓展到其他半导体材料，为半导体产业发展打下良好基础。
......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，氧化镓......
中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展(2024-12-17)
异质集成材料与器件领域取得突破性进展。
上海微系统所研究团队创新发展XOI晶圆转印技术，在国际上率先实现阵列化氧化镓单晶薄膜与1英寸金刚石衬底的异质集成。转移处理后氧化镓单晶薄膜材料摇摆曲线半高宽为78......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功制备出国内首片高质量氧化镓单晶......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
所宣布成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶。2月，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。目前国内氧化镓行业以中国电科46所、山东......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
化学已经成功建立4英寸氮化镓衬底的量产技术，将从2024年开始与客户协调量产事宜，还将提供GaN on GaN垂直型外延产品。
据悉，阜阳师范大学科研处于3月1日到访镓数氮化物产业研究院，就“4英寸氮化镓单晶......
“后起之秀”氮化镓新动态：签约、量产、应用…(2023-08-04)
49mΩ。
接下来几个月内，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
氮化镓单晶......
年产5万片GaN单晶衬底及外延片 苏州纳维科技总部大楼奠基(2021-01-27)
目位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。
图片来源：苏州......
中科院院士郝跃：未来10年氧化镓器件有望直接与碳化硅器件竞争(2022-12-19)
预测，到2030年氧化镓晶圆的市场将达到约590亿日元（约4.2亿美元）。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。
目前氧化镓单晶衬底供应方面，日本NCT公司......
中国互联网投资基金等入股富加镓业(2025-01-25)
杭州富加镓业股权投资合伙企业（有限合伙）、齐红基等及上述新增股东共同持股。
富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发的工作。2024年9月，富加镓业打造的国内首条6英寸氧化镓单晶......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
，等。其中Cree公司和SiCrystal公司的市场占有率超过85%。在所有的碳化硅制备厂商中以美国Cree公司最强，其碳化硅单晶材料的技术水平可代表了国际水平，专家预测在未来的几年里Cree公司还将在碳化硅衬底市场......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
研究实现了氮化物半导体中缺陷相关的声子模式分辨，并为氮化物半导体器件的热管理技术发展提供了新的思路。相关成果发表在《Nature Communications》上。
（六）千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管
中国科学技术大学团队针对氧化镓......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区(2021-08-23)
目。
图片来源：赣州经济技术开发区招商引资
此次签约项目包括深圳市中科半导体科技有限公司（以下简称“中科半导体”）氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目，主要生产2-4寸氮化镓外延片材料和氮化镓单晶......
TrendForce集邦咨询：2024年科技浪潮划时代(2023-10-17)
，氧化镓单晶的制备可透过类似于硅单晶的熔融生长法来完成，因此拥有较大的降本潜力。目前产业界已实现4英寸氧化镓单晶的量产，并有望在未来几年扩大至6英寸。与此同时，基于氧化镓材料的肖特基二极管与晶体......
江苏，将打造第三代半导体产业高地(2023-11-13)
产业。
其中，第三代半导体方面：高标准建设国家第三代半导体技术创新中心，加快推动碳化硅、氮化镓单晶衬底及外延材料制备技术升级和应用延伸，大力发展电力电子器件、微波射频器件、光电......
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京(2023-05-29)
统解决方案和工艺设备。铭镓半导体成立于2020年，已实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。
消息称，此次......
涵盖存储器、AI芯片、半导体材料…2024年科技产业发展预测出炉(2023-10-20)
，氧化镓单晶的制备可透过类似于硅单晶的熔融生长法来完成，因此拥有较大的降本潜力。目前产业界已实现4英寸氧化镓单晶的量产，并有望在未来几年扩大至6英寸。与此同时，基于氧化镓材料的肖特基二极管与晶体......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
多晶。
此次合成的砷化镓多晶，是以高纯镓和高纯砷为原料进行配料，并在真空状态下高温合成，完整性好，成品率为95%，电学性能指标优异，完全满足了砷化镓单晶制备要求。
据了解，中金岭南（韶关......
北京晶飞半导体、晶驰机电碳化硅设备出货(2025-01-31)
石生长设备（MPCVD法）、氧化镓单晶生长炉、碳化硅源粉合成炉等。
在产业布局方面，晶驰机电在河北正定、浙江嘉兴两地分别投建的半导体材料装备研发生产项目都已实现投产。此外，晶驰机电还开发了8英寸......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
技术项目的进展。云南锗业在互动平台上表示，6英寸磷化铟单晶技术项目是公司为应对将来市场需求升级而进行的技术储备，目前该项目尚在研发试制过程中。
华为持股23.91%
哈勃......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业(2024-01-04)
专注四代半，杭州镓仁半导体开业;据萧山经开区消息，1月2日，杭州镓仁半导体有限公司正式开业。
资料显示，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等第四代超宽禁带半导体单晶衬底材料研发、生产......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。
中国科学院院士郝跃表示，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直......
盘点！2021年第一季度化合物半导体主要项目汇总(2021-04-12)
月24日上午，苏州纳维举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。
③宽禁......
8月1日生效！中国对镓、锗相关物项实施出口管制(2023-07-04)
、8112929090、8112999000）。
2.氮化镓（包括但不限于晶片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2850001901、3818009001、3825690001）。
3.氧化镓（包括......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
球半导体观察不完全统计，今年来共有超30项关键技术取得重要进展，涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体（碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等），以及光刻胶材料、存储器、晶体......
负债超5亿元，又一国家级高新技术企业破产！(2024-12-19)
片、6英寸碳化硅单晶片、碳化硅和氮化镓外延片、碳化硅功率器件肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅功率模块、氮化镓功率器件。
在资产负债方面，截至2024年9月，世纪......
同济大学物理科学与工程学院晶体产业（无锡）研发中心揭牌(2023-12-29)
发中心由同济大学徐军教授领衔国家级创新技术团队、世界领先的半导体单晶生长和加工装备制造上市公司连城数控、半导体晶体材料衬底片加工龙头公司青岛嘉星共同创建。
该研发中心将开展导膜法氧化镓晶体......
相关企业
生长独特技术，该技术生长出来的卤化物晶体具有含氧低，透过率（尤其在短波处）高，抗辐照能力强等显著优点，能够满足广大客户的各种要求。 我们的晶体产品有氟化锂（LiF）单晶体，氟化
;北京力量激光元件有限责任公司;;北京力量激光元件有限责任公司拥有国内领先的高压单晶炉、脱水炉、晶体切片机、光学研磨机、真空镀膜机、分光光度计等全套研究和生产设备，并具有高功率激光材料、光学
;东莞市智丰硅业科技有限公司;;供应2寸-12寸单晶片抛光片研磨片二氧化硅片本征区熔片特殊片 我公司长期供应2寸3寸4寸5寸6寸8寸12寸的单晶硅片，产品有：单抛片 双抛片 本征区熔片 二氧化
;北京有痕硅锗半导体材料有限公司;;我公司生产销售6N太阳能多晶硅（1800元/kg），5N二氧化锗（6800元/kg），50欧姆.CM的区熔锗锭（9200元/kg），单晶锗（15400元/kg
硅、ITO、ATO、AZO、氧化钽,铝丝，钨丝等 5、晶体及晶片 Cu单晶，Al单晶，Ni单晶，Cu多晶，Ni多晶，Ti多晶等 Si基片，Ge基片，Si-Ge基片，Si+SiO2基片，GaAs基片，GaP
;单晶铜 单晶银 专家;;单晶铜 单晶银 专家,单晶铜. 。 我公司在化工行业中成功打造了品牌，形成了的特点，是私营企业中的佼佼者。我单晶铜 单晶银 专家，主要面向的等领域的市场，具备了的优势。公司
;深圳市科晶智达;;公司专业从事光电晶体材料的生长、定向、切割、研磨、抛光、镀膜等，拥有成套先进加工设备和工艺。公司率先在行业内成立了MgAl2O4，LaAlO3, SrTiO3等十多种氧化
;洛阳金诺机械工程有限公司;;洛阳金诺机械工程有限公司位于洛阳市高新技术产业开发区，是一家集科研与生产为一体的高科技民营企业。公司主营业务：各种直拉区熔硅单晶炉、其它人工晶体炉、晶体
;浙江省立晶硅材料;;供应2寸-12寸单晶片抛光片研磨片二氧化硅片本征区熔片特殊片 我公司长期供应2寸3寸4寸5寸6寸8寸12寸的单晶硅片，产品有：单抛片 双抛片 本征区熔片 二氧化硅 研磨片 单晶
锆纤维炉衬超高温电炉、1700进口氧化铝晶体纤维炉衬实验电炉、1600氧化铝晶体纤维炉衬实验电炉、1600度以下实验电炉、各种工业炉、燃气炉、氧化锆纤维制品（氧化锆纤维棉、氧化锆纤维板、氧化锆纤维炉筒、氧化