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4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
防反接电路
由场效应管制作工艺决定了,场效应管的导通电阻比较小,是现在很常用的开关器件,特别是在大功率的场合。
以TO-252封装的IRFR1205为例,其主要参数如下:
Vdss=55V
Id......
防反接常用单元电路,收藏了(2024-10-26 11:31:16)
,其主要参数如下:Vdss=55V,Id=44A,Rds=0.027欧姆;可以看到其导通电阻只有27毫欧。
下图就是一个用N沟道场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
SVG032R4NL5 100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装,具有100A、30V的电流、电压,RDS(on) = 2.0mΩtyp) ,封装、参数和PKC26BB基本......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
可配置的测试系统将这些测量简化为一个集成系统,包括硬件、交互软件、图形和分析功能。
图1. 4200A-SCS参数分析仪
本应用指南描述了典型的生物场效应管,及如何将SMU和被测器件进行电气连接,定义......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
关断时提供电流通路,以避免管子的反向击穿,其典型特性参数见表1.T1~T3采用PDTC143ET 为场效应管提供驱动信号。
由图1 可知,A1~A3 提供三相全桥上桥臂栅极驱动信号,并与ATMEGA16单片......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3:内置上拉电阻的双向I/O口,各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止,从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
占空比可调的PWM信号,控制NPN三极管5551的通断,最终实现对场效应管通断的控制,达到电流控制的目的。同时CPU实时检测当前电流值,并根据实时电流值闭环调节PWM信号的占空比,从而......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门;另一方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和非Q端输出,如果D端输入1,则非Q端输出0,该0使场效应管......
浅析基本放大电路!(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器)和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同,这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD(芯片工作电压)的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过......
不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件,有二极管、晶体管、场效应管,也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电,在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电,这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应管......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
10分贝)中(约15~20分贝)频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路。
八、场效应管......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效应管......
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑以下几点:
功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
)。该场效应管内藏续流二极管,为场效应管关断时提供电流通路,以避免管子的反向击穿,其典型特性参数见表1.T1~T3 采用PDTC143ET 为场效应管提供驱动信号。
无刷......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址:其结......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比,具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道!(2024-10-20 21:14:56)
三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。
八、场效应管......
什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥,另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥,
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
通过验证的深圳研究中心,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等。
目前,美浦森半导体的产品包括中大功率场效应管(低压到高压全系列产品,Trench MOS/SGT MOS/Super......
助力SiC功率半导体国产化替代,美浦森和泰克携手产业链合作共赢(2023-08-31)
应对市场需求改善产品性能,同时也帮客户快速验证自研驱动电路,加速应用端解决方案落地。
美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super Junction MOSFET......
助力SiC功率半导体国产化替代,美浦森和泰克携手产业链合作共赢(2023-09-01 09:25)
也帮客户快速验证自研驱动电路,加速应用端解决方案落地。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super Junction MOSFET......
圣邦微电子推出 60V 高压降压转换器 SGM61630(2023-03-04)
内部集成高边 NMOS 类型场效应管,MOSFET 导通内阻典型值 140mΩ。芯片静态电流仅 50μA,在休眠关闭模式下漏电流仅 2μA,非常适合电池供电的高压转低压应用,如车......
PCB板上各元器件损坏后都有哪些表现?(2024-06-03)
管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。
场效应管:测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常,测试GD,GS是否有短路。
电容:无极性电容,击穿短路或脱焊,漏电严重或电阻效应。
电解......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
【干货】抛开教材,从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管,以硅片为秤体,利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此,它还有两个兄弟,分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话,我不......
相关企业
的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST、SAMSUNG的产品质量标准,在某些场效应管技术参数,如场效应管
极管 MOS场效应管 稳压管 本公司的所有产品都经专业仪器严格测试 参数一致 质量保证 货源稳定 交货及时
的宗旨与客户建立了良好的合作关系并得到认可。本公司谒诚欢迎各界人士前来指导、洽谈,我们将以更大热情为您提供优质、快捷的服务。 开发经营的主要产品: PHILIPS RF宽带三极管、场效应管 PIN、二极管、变容管、CATV放大
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的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST、SAMSUNG的产品质量标准,在某些场效应管技术参数,如场效应管的内阻和关断时间上,SW系列场效应管的参数
的新纪元。目前海鸿电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST、SAMSUNG的产品质量标准,在某些场效应管技术参数,如场效应管的内阻和关断时间上,SW系列场效应管的参数
、SAMSUNG的产品质量标准,在某些场效应管技术参数,如场效应管的内阻和关断时间上,SW系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品,海信微电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电
品质量标准,在某些场效应管技术参数,如场效应管的内阻和关断时间上,SW系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品,海信微电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能
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品质量标准,在某些场效应管技术参数,如场效应管的内阻和关断时间上,我司系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品,海信微电子有限公司的系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能灯、HID疝气