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浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器）和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同，这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
足维修人员需求。
01
什么是MOS管
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电路......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关......
220V 开关电源接线电路图、接线方法(2024-11-27 18:53:31)
款是以KA3842驱动场效应管的单管开关电源，配合LM358双运放来实现三阶段允电方式。原理如F：
220v交流电经TO双向滤波抑制干扰，D1整流为脉动直流，再经......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
减小很多。
6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
器件非常适合具有挑战性的应用，如数据中心的开关电源、通信基站及许多工业用途。
DTMOSVI系列：TK055U60Z1功率场效应管是600V DTMOSVI系列的第一款产品，该系......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
包括：• TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如数据中心的开关电源、通信......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
络盟现供应的部分新款场效应管包括：
TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如数据中心的开关电......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
•TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管可用于高性能开关电......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
截止，P1.x引脚上的电平经输入缓冲器BUF2进入内部总线。
P2口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管（FET）和1个片内上拉电阻组成。
1个多路转接开关......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
截止，P1.x引脚上的电平经输入缓冲器BUF2进入内部总线。
P2口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管（FET）和1个片内上拉电阻组成。
1个多路转接开关......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
内部总线。
P2口位电路结构1个数据输出锁存器。2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。1个场效应管（FET）和1个片内上拉电阻组成。1个多路转接开关MUX
P2口工作原理——用作......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管防反接电路......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
。
04
N沟道增强型场效应管防接反电路......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
都可以正常工作。
缺点：
存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管防接反电路......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。
3. P2
1个输出锁存器1个转换开关MUX2个三态输入缓冲器1个反相器输出驱动电路
3.3 输入功能
同样需要先通过内部总线向锁存器写1......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
和非Q端输出，如果DUAN输入1，则非Q=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。
【回到目录】
3. P2
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
的说，一般小电流开关电路可以适用三极管，大电流开关电路使用场效应管，这里就不在列举实例了。
和三极管一样，其开关并不是绝对的，虽然说，在一定的工作电压下，场效应管就处于开关状态。但它的开关......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
如何解决Buck电路SW过冲问题？(2024-10-28 22:37:57)
如何解决Buck电路SW过冲问题？;
本应用报告首先给出了降压式开关电路（buck）在上管开通瞬间的的一个等效谐振回路模型。根据该模型推导出使得开关振铃最小化的阻容缓冲电路（snubber......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。
2）防止栅源极间过电压:
由于......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
或继电器直接带动电机即可，当电机需要双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。如果不需要调速，只要使用继电器即可;但如果需要调速，可以使用三极管，场效应管等开关......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
器为三相桥式变换器，所述三相桥式变换器的交流端用以连接电网或驱动电机，所述三相桥式变换器的直流端并联有母线电容。所述SiC开关管为SiC功率场效应管。所述过流保护单元包括：串联......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路（推挽式）
在DC-DC升压电路中，选用MOSFET作为开关器件，场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右，选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
是又6个场效应管组成的电路，在控制电路精准的控制之下，使六个场效应管轮流导通，在单位时间内，管子导通的次数越多，那么输出的电压和频率就越高，因此这个主电路是数字控制电路......
任何医疗设备都离不开安全稳定的电源(2023-02-14)
控制功率器件的占空比，从而达到调整输出电压大小的目的。
医疗设备开关电源和其他开关电源一样，功率器件是必不可少的。其中用的较多的有功率二极管、可控硅(SCR)和功率场效应管等。在维......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
中达VDF-B型22kW变频器主电路原理及检修(2023-01-31)
间的直流电压逐渐上升至一定值时，开关电源电路起振工作，主板MCU器件检测到直流回路的电压值上升至某一阈值后，从DJP1的23端子输出低电平的“晶闸管开通信号”，光耦合器DPH7由此产生输入侧电流，输出侧内部光敏晶体管导通，将振......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
相关企业
;汕头市名威电子有限公司;;名威电子 经销批发的电容器、三极管、可控硅（晶闸管）、集成电路、场效应管开关畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
的内阻和关断时间上，SW系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品，海信微电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能灯等行业已经有着广泛和成功的应用。海信
;深圳市三鑫电子有限公司;;主营：各品牌军工级，工业级，民用级ＤＩＰ／ＳＭＤ集成电路．７４系列逻辑电路，４０００系列线性电路，光电耦合器．各品牌大，中，小功率二三极管，开关电源管，场效应管，稳压
;结型场效应管 广州市树坤电子有限公司;;专业生产车载逆变器。销售高频变压器。FBT高压包。高频头。开关电源。遥控器。.集成电路。等等 Production and sales of high
的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品，海信微电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能灯等行业已经有着广泛和成功的应用。海信
的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品，海鸿电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能灯等行业已经有着广泛和成功的应用。海鸿
、SAMSUNG的产品质量标准，在某些场效应管技术参数，如场效应管的内阻和关断时间上，SW系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品，海信微电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电
品质量标准，在某些场效应管技术参数，如场效应管的内阻和关断时间上，SW系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品，海信微电子有限公司的SW系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能
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品质量标准，在某些场效应管技术参数，如场效应管的内阻和关断时间上，我司系列场效应管的参数甚至优于某些国外知名品牌的同类产品，海信微电子有限公司的系列场效应管在显示器、开关电源、充电器、适配器、节能灯、HID疝气