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SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。
本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷。
SiC 晶片中的缺陷通常分为两大类：
· 晶片内的晶体缺陷
· 晶片表面处或附近的表面......
厚度仅100nm！新型超薄晶体薄膜半导体被成功研制(2024-07-19)
成果有助科学家研制新型高效电子设备。
研究论文通讯作者、麻省理工学院的贾加迪什·穆德拉指出，他们通过分子束外延过程制造出了这款薄膜半导体。该过程需要精确控制分子束，逐个原子地构建材料，这样获得的材料瑕疵最小最少，从而......
思特威成功开发国产自研高端BSI工艺平台(2022-04-29)
通过晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术等三大关键工艺，可为当下智视应用提供一流的暗光成像性能。
该BSI高端工艺平台搭载晶圆键合技术，采用直接键合方式降低键合过程中晶圆畸变的产生，大幅......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
）
据IEEE报道，来自IMEC的Hans Mertens研究小组，使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管，未来经过技术改进有可能投入量产。该团队使用硅锗混合材料在硅表面......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
）
据IEEE报道，来自IMEC的Hans Mertens研究小组，使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管，未来经过技术改进有可能投入量产。该团队使用硅锗混合材料在硅表面......
设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？(2023-01-07)
再通入另一种前驱体B，与表面的一层A反应，同样需要惰性气体将B吹走，这些过程构成一个生长循环，从而形成一层均匀的薄膜，而每个循环生长的薄膜厚度一致，可以通过对生长循环数的控制，来实......
新型固态电池充满电仅需几分钟，有助开发更好的锂金属电池(2024-01-11)
。离子附着在硅颗粒的表面，但不会进一步渗透。
在固态电池中，硅表面的离子受到限制并经历锂化的动态过程，在硅核心周围形成锂金属镀层。在新设计中，这些涂层颗粒形成均匀的表面，阻止了枝晶的生长。而且，由于电镀和剥离可在平坦的表面......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长单晶SiC粉材料开始。在衬底上生长一层很薄的外延层，然后经过多个复杂的器件加工步骤生产出芯片，然后将芯片来封装成最终产品。整个制造流程端到端垂直整合，具有全面的......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长单晶SiC粉材料开始。在衬底上生长一层很薄的外延层，然后经过多个复杂的器件加工步骤生产出芯片，然后将芯片来封装成最终产品。整个制造流程端到端垂直整合，具有全面的......
思特威推出两颗基于自研先进BSI工艺平台的手机应用新品SC520CS与SC820CS(2022-07-27)
思特威自研先进BSI工艺平台首批落地量产的产品，通过该平台晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术三大关键工艺技术，可为当下智能手机前摄、后置主摄以及后置辅摄应用提供优异的成像性能。
创新影像技术与12英寸......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
的方法，实现了低应力、低位错密度的高质量GaN薄膜的外延生长，并揭示了石墨烯在界面处降低外延层中穿透位错密度的机制。研究发现石墨烯可以部分屏蔽衬底势场，衬底......
首发｜安储科技完成Pre-A轮融资，为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案(2024-03-19)
胶剥离液等）以及电子特气安全存储负压钢瓶两大产品系列。
公司核心成员包括拥有国际知名材料企业多年研发、生产经验的博士和专业人才，具备多年先进制程节点以及各种材料表面的抛光、清洗经验，以成......
GaN开启了“无限复制”时代！(2024-02-22)
体作为下一代电动汽车的功率半导体材料备受关注，并预计其将在工业中得广泛到应用。
但由于技术限制，传统的外延需要大约1000倍于1毫米厚的芯片才能实现约1微米厚度的实际半导体材料效果。
因此，在......
思特威推出两颗基于自研先进BSI工艺平台的手机应用新品SC520CS与SC820CS(2022-07-27)
思特威自研先进BSI工艺平台首批落地量产的产品，通过该平台晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术三大关键工艺技术，可为当下智能手机前摄、后置主摄以及后置辅摄应用提供优异的成像性能。
智能......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
器件优先工艺颇具前景，通过表面活化法在室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其界面热导已与外延生长法制备的水平相当。然而，室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其高温下的热稳定性研究尚不彻底，而该稳定性对后续器件的外延......
深入了解Soitec的SmartSiC技术(2023-09-12)
- 与传统 SiC 衬底相同。粘合到多晶碳化硅表面的单晶碳化硅层（我们假设其厚度约为 1μm）应该是适合在其表面上生长传统外延层的种子层，然后进行器件制造。SmartSiC 衬底......
中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付(2023-11-03)
大幅度降低碳化硅器件成本，为进一步推进碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技术指标上，8吋SiC外延片厚度均匀性可实现≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm²。
中电化合物表示，8吋外延......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
得到大幅度提升。据了解，在抛光过程中，碳化硅衬底作为阳极，与抛光板（阴极）之间夹着SPE/CeO2复合材料衬垫。当施加偏置电压时，碳化硅表面与SPE发生电解反应，形成一层易于去除的氧化膜，这层......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
解理面，就生长工艺而言，主面为（100）晶相氧化镓晶体更易于生长，主面为（001）晶体的生长工艺却要求极高的工艺过程控制，就加工工艺而言，相同加工条件下（001）面表面质量和成品率更优，（100）面极......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
果近日发表于国际学术期刊《自然》。
论文共同第一作者、东南大学教授马亮表示，这份研究不仅突破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研制了最高性能的二硫化钼晶体管器件，而且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓展至其他二维材料体系的外延......
重庆抛光硅片项目产品下线，打破技术壁垒(2016-10-29)
度为硅片的中线面与参考平面之间距离的最大值与最小值之差；平整度指硅片表面上最高点与最低点的高度差，用总指示读数表征。
硅片的热氧化层错检测是指硅抛光片表面的机械损伤、杂质沾污和微缺陷等在硅片热氧化过程中均会产生热氧化层错，经择优腐蚀后，在金......
总投资55亿元的半导体材料项目试生产(2021-06-11)
查信息显示，晶睿电子是一家半导体硅片制造商，从事半导体硅片的研发、生产和销售，主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售。晶睿电子主要产品包括在硅抛光片上的外延，器件工艺过程中的埋层外延，以及......
第三代半导体外延代工获青睐，这家公司完成超3亿元A轮融资(2022-03-08)
家半导体硅片制造企业。公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售。其主要产品包括在硅抛光片上的外延，器件工艺过程中的埋层外延，以及功率器件Cool MOS中的外延等。
......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
年产300万片硅外延片产品等！普兴电子搬迁项目计划今年9月竣工投产(2022-04-12)
就业岗位。
据《石家庄日报》去年10月报道，郝东波透露，普兴电子抢抓政策红利，依托电科材料一三四三发展线略，布局第三代半导体碳化硅外延业务，实施总投资16.7亿元的外延材料产业基地建设项目，力争......
昭和电工8英寸SiC外延片样品开始出货(2022-09-09)
片领域的市场份额依旧领先，未来，集团的目标是进一步加大8英寸外延片的产量，建立稳定的生产系统。与此同时，昭和电工在SiC衬底方面的布局采取供应链多元化的策略。
一方面，昭和电工保持向合作伙伴采购SiC衬底，另一......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。
在β......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
薄膜的均匀生长和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
电子科技大学广州第三代半导体创新中心团队成功攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的外延、设计、制造和可靠性等系列难题，提出了新型低翘曲超薄外延异质结构和Al2O3/SiO2复合介质钝化方法，实现1200V和......
华为的“钻石芯片“专利，是什么？(2023-11-21)
粗糙度将随之上升，现有Cu/SiO2混合键合工艺，难以实现粗糙表面的金刚石三维集成，对于具备粗糙表面的硅/金刚石三维集成适用性较差。
（3）由于硅、金刚石材质差异大，高温......
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（C(2023-12-18)
尔将于今年晚些时候推出一种称为背面电源传递的技术，该技术允许互连同时存在于硅表面的上方和下方。使用该技术从硅下方而不是从上方接触底部晶体管，大大简化了电路。由此产生的反相器的密度质量被称为接触聚合物间距（CPP，基本......
20秒充满电 华为石墨烯快充电池背后：坚持创新(2016-12-05)
季度华为在美国智能手机的市场份额仅为0.4%，远低于中兴的6%。
而欧洲则是华为除中国外的第二大市场，去年华为海外市场收入占比45.7%，其中欧洲市场收入占比就达到了27.2%。
除了华为之外，三星研究团队已经开发了一项技术，通过在电池的硅表面......
The 1st SNE Battery Day在韩举行，亿纬锂能携超快充技术惊艳亮相(2024-07-29 14:07)
超导隔膜、硅表面稳定化等多项创新，使得亿纬锂能电芯兼具超快充、高比能等多重优势，直击新能源车用户的核心需求。
在测试条件下，亿纬锂能超快充技术产品性能表现优异。在1C/1C循环1500周后......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？(2023-07-24)
，包括分子束外延、磁控溅射和脉冲激光淀积等,CVD的优势在于可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是目前已经成功商业化的 SiC外延技术。
评价......
凯柏胶宝®为防滑垫提供全方位的TPE解决方案(2023-05-24)
凯柏胶宝®为防滑垫提供全方位的TPE解决方案;
凯柏胶宝®的TPE材料解决方案能满足亚太地区和全球汽车原始设备制造商（OEMs）对汽车内饰应用的高性能材料和柔软触感表面的要求。
防滑......
已全面开启IPO，初创公司收购世界500强企业GaN晶圆业务(2022-01-27)
为射频和电力电子行业提供GaN外延片。据悉，IVWorks开发了世界上第一个与人工智能生产系统集成的外延晶圆生产技术，最近还在韩国首次安装了12英寸的生产设施。
自成立以来，IVWorks完成了多轮融资，最新......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
生长技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功......
IQE与VisIC Technologies合作开发新一代车用D-Mode氮化镓功率器件(2023-09-24)
功率外延片（epiwafer），该产品将于IQE在英国的工厂进行研发，并将利用到IQE在GaN方面的专业技术。
图源自VisIC官网
VisIC Technologies凭借其突破性的直接驱动D......
神舟十一号黑科技外衣揭秘：隔离900度高温(2016-10-17)
够高效的隔离空间环境与轨道舱舱壁之间的换热量，极大的减少舱体表面的漏热，同时降低轨道外热流剧烈变化对舱体温度的影响。在多层隔热组件的外表面，还有一层华丽的复合膜，它的功能是要提高飞船对轨道原子氧等粒子的防护能力。
返回舱承担着将航天员安全带回地面的......
解读碳化硅测试带来的新挑战(2023-08-15)
的主要区别与衬底的生长有关。 作为均匀的晶体结构，硅几乎没有亚表面缺陷。 相比之下，SiC是通过化学气相沉积生长的，这可能会导致各种亚表面缺陷，例如堆垛层错和微管。 在随后的外延生长过程中，晶体......
中国科学家在半导体领域获突破(2024-06-11)
电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。
由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然......
中微公司：MOCVD设备已在客户芯片生产线上验证(2022-08-23)
的新型MOCVD设备以及用于碳化硅功率器件应用的外延设备等也正在开发中。
中微公司称，公司在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已部分完工，部分生产洁净室于2022年7月投入试生产。
中微......
SiC迈入8英寸时代，国际大厂量产前夕，国内厂商风口狂追(2024-04-08)
China 2024展会上，天科合达就已经展出了公司的8英寸导电衬底（500um），8英寸导电衬底(350um)和8英寸的外延片产品。天科合达表示公司将打造衬底+外延的一体化解决方案，提供......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光电探测和传感过程......
QFN封装(2022-12-01)
QFN封装;QFN(Quad Flat No-leads Package，方形扁平无引脚封装)，表面贴装型封装之一。值得注意的是，QFN封装与LCC封装完全不同，LCC仍有外延引脚，只是......
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产(2022-11-02)
兴应用领域如新能源汽车行业有巨大的优势。目前，集团生产的外延片产品已正式投产，加上集团的技术团队拥有高执行力以及丰富的量产经验，相信其半导体芯片业务将逐渐步入收成期。早前，集团已与协鑫科技控股有限公司（股份代号：3800.HK）创办人、主席......
2025年全球硅外延片市场规模将达109亿美元(2022-12-22)
生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧......
10分钟充满电！哈佛固态电池新突破(2024-01-23)
材料保护的锂金属制造的固态电池，放电容量达到5600mAh/G，比理论容量4200mAh/G高出很多。
并且，也由于锂离子的电镀和剥离可以在平坦的硅表面上快速发生，电池只需要约10分钟就可充满电。
另外......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
长Ⅲ族氮化物外延层及器件结构的理想衬底，其优点包括：与GaN有很小的晶格失配和热膨胀系数失配；化学性质相容；晶体结构相同，不出现层错层；同样有极化表面；由于有很高的稳定性并且没有其它元素存在，很少......
相关企业
;天津中环新光科技有限公司;;中环新光科技有限公司是由中环电子信息集团有限公司投资的以生产红光LED外延片、芯片为主的外延片生产企业。注册资金3000万，现有员工30人，全部是大专以上学历。其中
;徐州创明喷砂设备厂;;喷砂机是采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料（铜矿砂、石英砂、金刚砂、铁砂、海砂）高速喷射到被需处理工件表面，使工件表面的外表面的外表或形状发生变化，由于磨料对工件表面的
了公司的文化内涵，拓展了企业的外延，为公司的可持续、高速度、大跨越的发展提供了强大的源动力。 本着市场发展需求，我公司在以后的长期发展过程中后续开发纳米系列的各种产品满足广大客户的需求。 期待
生产工业用抗静电除尘粘布，专业配方能满足国内外电子复合层压板材生产制造商及电子多层电路、线路板生产制造商的除尘使用要求。该产品在覆铜板和线路板（特别是多层板）生产过程中，用于清除不锈钢压板及铜箔表面的灰尘、纤维、胶粉
大易化工主要产品有氨纶油剂，硅油、硅乳液、硅树脂、硅橡胶、有机硅表面活性剂和有机硅深加工产品，其优异而独特的功能，被广泛应用于纺织、服装、机械、仪器仪表、电子电器、橡胶、皮革、聚氨酯、石油、化工、航天
rectron;麗正國際科技;;Rectron (China) Ltd 是功率半导体的主要制造商，提供全面的整流器、二极管、三极管及抑制器。产品技术包括箫特基阻碍器、超快速、特快速外延、高效率、快速
的无尘标准车间3000多平方米，配备先进的全自动生产、检测设备。主要从事LED光电领域的外延生长、芯片备制、LED封装及应用产品核心技术的研发、技术服务及产品生产、销售。
高级工程师8人，中级职称31人。拥有全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线。拥有具有自主知识产权外延片、片式LED器件的生产技术！
;东莞市杰而正五金有限公司;;杰而正五金有限公司自成立以来，一直从事不锈钢表面的研发，主要产品有抛光拉丝机及配套耗材等不锈钢表面的处理工具，希望有机会为您服务 陈小姐0769-85783905
展示厨窗、展会展柜、玻璃窗、镜子、玻璃器皿、等的玻璃表面的清洁。 2） 本品能在瞬间彻底清除玻璃表面的污垢、斑点、油迹、烟迹、手污、灰尘、等顽固附着物。 3） 玻璃表面清洁的同时,能去除静电,玻璃表面