资讯
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如7nm节点......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
图：硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究......
学三极管能遇到这篇巧文，我太幸福了！(2025-01-06 20:29:23)
管输出特性
这种讲法的不足点在于，从PN结的漏电流入手讲起，容易造成本征漏电流与放大电流在概念上的混肴。
所以，在后面讲解晶体管输入输出特性曲线时，
应该注意强调说明本征载流子与掺杂载流子......
讲透三极管(2024-06-13)
对电流放大没有贡献，本征载流子的电流对晶体管的特性影响往往是负面的，是需要克服的。晶体管电流放大作用主要靠掺杂载流子来实现。要注意在概念上进行区别。
另外，还要注意说明，从本质上晶体内部有关载流子......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
么会出现这种现象呢？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子空穴存在。PN结反......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect – SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
结构及符号
双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电，BJT既然叫双极性晶体管，那其内部也必然有空穴和载流子，理解这两种载流子的运动是理解BJT工作......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
断路器 (SSCB) 和电机驱动。提高半导体功率开关元件的效率和性能可以带来广泛的好处，提高经济性并加速这些应用的部署。B-Tran结构和工作模式要了解 B-Tran 的工作原理，我们首先需要了解绝缘栅双极晶体管......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
IGBT 内部结构和等效电路
PNP 和 NPN 型的双极性晶体管在导通时，少数载流子和多数载流子参与导电。在同等电压和电流条件下，双极性晶体管的导通压降要低于 MOSFET 的导通压降，后者只有多数载流子......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
kT/q
迁移率退化和速度饱和
晶体管内的漂移电流由内部电场决定，随着晶体管尺寸的减小，它们的电场迅速增加。事实证明，对于短沟道晶体管，在晶体管内可以实现少数载流子的最大速度。这被称为饱和速度。
这限......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
研究实现了三方面技术革新：
首先，采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了目前场效应晶体管的最高值；
第二，解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是......
三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品(2025-01-02)
恢复安全工作区（RRSOA）扩大了2.2倍，从而提高了逆变器的可靠性。此外，该模块还使用了具有载流子存储式沟槽栅双极型晶体管（CSTBT™**）结构的IGBT芯片，有助于降低功率损耗和热阻，使逆......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
导通性能和开关动作下降。
本文介绍了 SB MOSFET
的特性和特性，以及为什么次线性是由源极侧而不是漏极侧引起的。为了支持要使用的各种实验和模拟，使用了具有硅化镍源极和漏极触点的双栅极硅纳米线晶体管。
该晶体管......
如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试?(2023-10-24)
程师现在必须关注PMOS的NBTI ，高k栅极晶体管的电荷捕获，以及NBTI、TDDB和HCI之间的交叉效应，例如NBTI增强热载流子，TDDB增强NBTI。为了应对这些新现象，测量......
【泰克应用分享】如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？(2023-10-24)
是一个重要的可靠性问题，但工程师现在必须关注PMOS的NBTI ，高k栅极晶体管的电荷捕获，以及NBTI、TDDB和HCI之间的交叉效应，例如NBTI增强热载流子，TDDB增强NBTI。为了应对这些新现象，测量......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池;
近年来,
有机半导体材料与器件领域的研究和开发取得了长足的发展，其中有机电致发光二极管、有机薄膜晶体管、有机、有机存储器、有机传感器、有机......
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革(2022-11-08)
技术之间的融合正在全面展开。
1)源极：大多数电荷载流子通过其流入晶体管的端子
2)漏极：大多数电荷载流子从晶体管流出的端子
3)逻辑半导体：通过......
如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？(2023-10-25)
性测试已经发展到适应新设备和材料的需要。虽然HCI仍然是一个重要的可靠性问题，但工程师现在必须关注PMOS的NBTI ，高k栅极晶体管的电荷捕获，以及NBTI、TDDB和HCI之间的交叉效应，例如NBTI增强热载流子，TDDB增强......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
应管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属......
适应数据爆炸时代的新策略，迄今最小最快纳米激子晶体管问世(2023-04-18)
适应数据爆炸时代的新策略，迄今最小最快纳米激子晶体管问世;漫威的人气角色蚁人如何从他小小的身体中产生如此强大的能量？秘密在于他衣服上的晶体管可放大微弱信号进行处理。但以传统方式放大电信号的晶体管......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
。碳化硅MOSFET属于这一类。与Si IGBT相比，SiC MOSFET中的多数载流子导通机制可显著降低开关损耗。碳化硅MOSFET在结构上可分为两种类型：规划器和沟槽。双植入金属氧化物场效应晶体管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
攻克难题！香港理大团队的这个成果，事关芯片研发(2023-02-07)
理工大学应用物理学系柴扬教授课题组研发了能在室温下工作、基于“谷”输运机制的量子晶体管。该项研究成果利用新型拓扑半导体材料“碲烯”来制备谷晶体管，突破了室温下利用谷输运机制实现晶体管......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
响是阈值电压降低，器件很容易发生载流子速度饱和效应。当然，在22nm及以上节点，平面晶体管仍是主流技术。
FinFET对解决漏电流问题有很大帮助，因为与平面晶体管相比，栅极......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
键特性对比
表一对比了GaN和Si的几种物理参数，不可否认，GaN展现出了更好的性能优势，主要分为以下四点：
1、禁带宽度大：宽禁带使材料能够承受更高温度和更大的电场强度。器件在工作温度上升时， 本征激发的载流子......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
应管
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K......
基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备(2024-03-27)
基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备;英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管，利用量子干涉来控制电子流。这一......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
优缺点：
三极管（特指GTR巨型晶体管）
优点：载流子多，导通电阻小；
缺点：电流控制方式，消耗......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。
据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管......
基础知识之光二极管传感器(2024-03-07)
线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。本文引用地址：下面是常见的模块：
2. 光二......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退;随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
步的实验和理论计算结果表明Bridgman法对应的晶体生长环境更倾向于硒的缺失和铟的过量，易形成VSe0和InLi2+两种更深能级的缺陷（图2d）。缺陷能级越深，对载流子产生束缚作用越强，不利于载流子迁移，从而......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
美国开发出全固态热晶体管，可精确控制计算机芯片热量(2023-11-07)
控制热量如何流经材料一直是物理学家和工程师长期以来的一个却难以实现的梦想，这种新的设计原理朝这个方向迈出了一大步，因为它通过电场的开关来管理热运动，就像几十年来电子晶体管的做法一样。
电子晶体管是现代信息技术的基础构建模块，它们最初由贝尔实验室在20世纪40......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
入阻抗），利用BJT的双载流子来达到大电流的目的（压控双极型器件）。那么这样的组合内部结构是怎样的呢？一、IGBT模块详解二、IGBT内部结构三、IGBT 内部电流流动四、如何拆卸IGBT模块？五、常见......
我国科学家实现极化激元晶体管(2023-02-10)
国家纳米科学中心的戴庆研究团队与合作者在纳米尺度光电互联领域研究取得了新突破。相关研究成果北京时间2月10日在国际学术期刊《科学》在线发表。
在这项研究中，科研人员构筑了石墨烯和氧化钼范德华材料的异质结构，实现了一种新型的电调控光子晶体管，并且进一步展示了该晶体管......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体晶体......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！(2023-01-13)
研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成......
金属魔法：用半导体量子点打造梦想材料(2023-05-31)
了它们的充分利用。这主要是因为它们在组装中缺乏方向顺序。
此次研究实现突破的关键是让晶格中的各个量子点直接相互连接，不需要配体，并以精确的方式定向它们的面。
研究人员测试了新材料的导电性，当使用双电层晶体管增加载流子......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
泛研究并使用在这个领域。在半导体特性上，石墨烯具有优良的导电特性及易掺杂改性的特性，因此被用来制作为各种半导体器件，如零带隙、顶栅石墨烯场效应管，双层石墨烯晶体管，双极超导石墨烯晶体管，石墨烯纳米带场效应管等。在应......
相关企业
;上海展科特电子有限公司;;爱思塞拉（S-cera)公司是专业生产电子晶体.陶瓷制品的高新技术企业，拥有韩国国内一流的电子晶体.陶瓷系列制品。为了专门事业化在2002年从三星电机（株）分社
;上海韦蓝贸易有限公司;;主营 湖北东光 电子晶体产品
法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此
;基盛(深圳)电子实业公司;;基盛(深圳)电子公司是一家集研发、生产、销售于一体的专业电子晶体制造商。本公司有模具部、塑胶部、石英部、机芯部、五金部、帮定部、成品部。网络实名“基盛电子表芯”
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;中国连云港市普天电子晶体材料有限公司;;中国连云港市普天电子晶体材料有限公司创建于2002年，拥有土地10000平方米，厂房5000平方米。本企业从日本、韩国、台湾
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS