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SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM(2024-08-29)
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM;· 基于世界最高性能的1b工艺扩展平台，以最高效的方法开发出1c工艺
· 以利用新材料、优化EUV工艺确保成本竞争力，通过......
SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM全球首次开始数据中心兼容性验证(2023-05-30)
SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM全球首次开始数据中心兼容性验证;· 实现现有DDR5 DRAM最高运行速度和基于‘HKMG’工艺的超低功耗
· 期待成功完成最高性能的1b DDR5......
进入1x nm时代，DRAM产业举步维艰(2017-04-20)
进入1x nm时代，DRAM产业举步维艰;
随着美光把台湾南亚科技纳入囊中，DRAM内存产业基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大厂商的主力制程工艺已经进入20nm，其中......
SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM(2021-07-12)
SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM;7月12日，SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gb LPDDR4移动端DRAM产品。
自从10......
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？(2023-02-17)
代表一片芯片能实现更高的内存容量。
从DRAM三巨头工艺尺寸的发展历程来看，三星、SK海力士、美光在2016-2017年进入1X(16nm-19nm)阶段，2018-2019年为1Y(14nm-16nm......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
如何颠覆DRAM原有结构？
摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构
1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。
3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？
壹
摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构
1966年的秋天，跨国......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
局限性的一种方法，据称这将改变行业的游戏规则。本文引用地址：是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？
壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构
1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明......
DRAM涨价启动！Q1涨幅高达20%(2024-01-05)
%左右，并补充说三星提高了先进制造工艺的产量比例。预计2024年第一季度DRAM产量将继续受到严格控制。芯片供应商将更多地依赖先进节点，同时减少成熟工艺的产量。
前三......
SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM 全球首次开始数据中心兼容性验证(2023-05-30)
高运行速度为8.8Gbps。
另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20......
原厂重启对DRAM生产设备的投资(2024-03-05)
的竞争力。
除去需求快速增长的HBM生产线，普遍观点是新的DRAM和NAND晶圆前端工艺设施的建设将保守进行。
韩华投资证券研究员 Kim Gwang......
制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？(2022-05-27)
率先使用极紫外（EUV)光刻技术，同年10月便开始批量生产基于EUV的14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。
2021年11月......
存储大厂们DRAM先进制程进行到哪一步了？(2023-10-20)
DDR5 DRAM提供速率从4800MT/s到7200MT/s的现有模块密度，并采用先进的High-KCMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33......
消息称第六代1c DRAM芯片将成为主流，2024年大规模量产(2023-06-01)
消息称第六代1c DRAM芯片将成为主流，2024年大规模量产;
【导读】据电子时报报道，三星、SK海力士、美光这三大DRAM原厂，目前都有能力大规模量产第五代10nm 1b 工艺......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-02)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;
【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代......
三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM(2021-10-12)
层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供更为优质、先进的DRAM工艺。
图片来源：三星电子官网截图
据介绍，三星电子5层EUV工艺14纳米DRAM具有业界最高的晶圆密度，与上......
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革(2022-11-08)
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革;由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
是我们对架构的设想，涉及六个方面：
l 微缩问题
l 堆叠挑战
l 面积缩小
l 创新连接
l 通孔阵列
l 工艺要求
微缩问题
DRAM单元......
传三星电子今年底启动HBM4流片 为明年底量产做准备(2024-08-19)
的量产。
两家公司都从HBM4开始，将使用代工工艺而不是DRAM工艺来生产逻辑芯片。据报道，二星电子计划使用其4nm代工工艺大规模生产逻辑芯片，而SK海力士计划使用台积电的5nm和12nm工艺......
消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片(2024-02-05)
内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 。这款大容量 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb......
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品(2023-04-20)
已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：“公司以全球顶级后端工艺技术力为基础，接连......
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产(2023-05-18 14:45)
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产;三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5......
三星半导体开始量产 12nm 工艺节点 DDR5 DRAM(2023-05-19)
三星半导体开始量产 12nm 工艺节点 DDR5 DRAM;
21ic 近日获悉，电子表示已经开始批量生产采用 12nm 级工艺节点制造的双倍数据速率 5(DDR5) ，去年......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存......
10nm后，DRAM有这些发展方向(2023-06-13)
以来一直是现代计算必不可少的，为各种应用程序提供快速和易失性存储。然而，随着对性能和内存密度的需求不断上升，DRAM 面临着缩小到 10 nm 工艺甚至超过 10 nm 工艺......
三星、SK海力士、美光包下去年DRAM 94%市场(2022-05-30)
的14nm DRAM。在此过程中，三星将其14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。
2021年11月，三星表示已应用自家 EUV 技术开发 14nm 16Gb 低功......
SK海力士率先推出第6代10纳米DRAM产品(2024-04-12)
高的效率。
第6代10纳米级DRAM代表了当前第5代10纳米级顶级产品的下一代产品。这两种工艺都采用了先进的EUV光刻技术，但第6代工艺......
生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机(2022-12-27)
年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV，主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。
12月21日消息，三星宣布全球首发12nm工艺的DDR5内存，核心容量16Gb，并率先完成AMD......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用;三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用LPDDR封装采用12纳米级工艺......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用;三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用LPDDR封装采用12纳米级工艺......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-03)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;2023年9月1日，宣布采用(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb （
：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是......
这场DRAM技术困局谁来破？(2022-08-26)
这场DRAM技术困局谁来破？;据全球半导体观察不完全统计，由DRAM与NAND Flash所主导的传统存储市场规模已超过1600亿美元，其中最大的内存细分市场DRAM，正逼近当前技术材料和工艺......
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品(2023-04-21)
）MR-MUF*和TSV**技术。SK海力士表示，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品......
存储大厂先进制程竞赛迎新进展(2022-12-24)
存储大厂先进制程竞赛迎新进展;三星电子官方消息，近期三星已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。新款DRAM将于......
存储大厂加速下一代技术研发！(2024-11-07)
上引进设备，以加速包括1d DRAM和V11、V12 NAND在内的下一代存储技术发展。
据悉，NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。尖端......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
NAND Flash芯片。
DRAM工艺将重构存储格局
数十年来，摩尔定律一直是业界崇尚的黄金法则，也一......
全球首款，苹果 iPhone 15 Pro 机型配备美光“D1β”LPDDR5 DRAM 芯片(2023-09-27)
技行业的持续驱动力，而 D1β DRAM 被誉为世界上最先进的 DRAM 工艺节点。
TechInsights 拆解 iPhone 15 Pro 之后，发现了型号为 A3101 的 DRAM 芯片，采用......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
程上的突破进展呈现放缓趋势。
“尤其是随着10nm制程的临近，使其在晶圆上定义电路图案已经接近基本物理定律的极限。由于工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度等方面的挑战，DRAM存储......
内存主导前沿芯片制造：三星、美光和SK海力士占前沿产能的76%(2023-03-03)
144L 3D NAND
成熟：20nm到110nm逻辑，>20nm DRAM
大尺寸：≥130nm工艺......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM(2023-08-11)
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM;
目前唯一量产24GB封装产品，并供应给全球智能手机制造商
采用HKMG工艺，同时实现超低功耗、高性能
“率先......
与美光、SK海力士分道扬镳，传三星不走3D DRAM路线(2023-05-29)
与美光、SK海力士分道扬镳，传三星不走3D DRAM路线;
【导读】作为下一代DRAM工艺，3D DRAM正在引起业界的广泛关注，据悉，美光和SK海力士都致力于该技术的研究，美光......
美光公布DRAM、NAND技术路线图，还将放大招稳定存储器价格(2022-05-13)
类产品良率出色，一季度合计出货量占美光产品总出货量的绝大部分。
最新技术路线图中，美光表示在DRAM领域将持续发力1β、1γ与1δ工艺，其中美光计划2022年底前推出1β DRAM产品，将可......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证(2023-10-25)
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证;25日宣布，
公司开始推进"(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)
DRAM"的商用化*，其目......
美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%(2023-10-11)
美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%;
【导读】美光公司10月11日宣布推出采用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存，速度可达7200MT/s，首款......
SK海力士推出全球超快移动DRAM——LPDDR5T(2023-02-03)
介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证(2023-10-25)
Metal Gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM问世前，LPDDR5T DRAM在移动DRAM市场上占据很大比重。
高通......
消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶(2024-05-30)
TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。
消息......
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产(2023-05-19)
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产;当地时间5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产，可以......
SK海力士推出全球最快移动DRAM——LPDDR5T(2023-01-25)
SK海力士推出全球最快移动DRAM——LPDDR5T;· 推出LPDDR5X后，仅隔两个月成功开发出速度提高13%的新产品，兼具高速度和低功耗
· 采用HKMG工艺实现性能的极大化
·“不断......
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;scs;;DRAM SUPPLYER
elpida;尔必达;;尔必达（ELPIDA）是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产
;超联应用;;IC DRAM EXCHANGE SALE
;IC Trade;;dram flash wireless samsung TI cypress trading
;SZYL ELECTRONIC CO.,LTD;;几年从事SRAM DRAM FLASH
;樊琳;;dram,flash,wireless,eeprom .cypres,TI,Samsung,chip trading
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;嘉盈;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK
;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条
;建设公司;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK