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二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
的闭合条件：超过阈值电压0.7V，两极的电流陡然增加，通了！同时，也呈现了损坏条件：给足反向电压，同样会使PN结导通（反向导通），对普通二极管而言，这是一种不可逆转的破坏。
正向导通，称为正偏，此时极小的电压增量都会带来电流......
二极管反接有电压吗?二极管在电子电路中有哪些应用?(2025-01-13 18:54:45)
第一个问题：“二极管反接有电压吗?”。答案是肯定的。实际上，在反向极性下，二极管具有一个称为反向击穿电压的特定值。当施加的反向电压超过这个值时，二极管会产生放电现象，导致电流流过。这个过程可以损坏二极管......
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？(2024-10-12 11:16:43)
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？;
最近在网上有看到测试二极管反向恢复时间的例子，大家可以看一下，加深印象。
从中......
收藏总结：19种常见的二极管应用电路！(2024-11-23 18:23:13)
极性保护电路
什么是
肖特基二极管
？
2、二极管反向电流......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向......
二极管选型指南(2024-04-08)
。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后，二极管反向击穿。
正向导通压降与导通电流的关系
在二极管两端加正向偏置电压时，其内......
变频器的能量转换方式(2024-05-23)
的磁能并不能直接反馈至电源，只能和滤波回路中的电容进行能量交换。
还是以波形来说明问题，θ角依然是存在的，以一个周期为例，开始阶段，电压超前电流θ角，电压与电流反向，磁场做功，电流通过反并二极管反馈至直流回路，给电......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
消耗很高的循环能量。
关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管反向恢复特性较差引起的直通电流......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
µJ，或者说只高出=1.6/0.128=12倍。
因Qrr引起的体二极管损耗
下管体二极管反向恢复时，上管还处在导通过程中，VDS维持在VIN，如下图所示：对应的反向......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温......
【干货】二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用(2024-06-25)
导电。反向电流流动，而其两端的电压保持恒定。因此，齐纳二极管可以充当偏置二极管，而无需使用另一个偏置源。
1、半波齐纳二极管限幅电路
齐纳二极管限幅电路的电路图。在正半周期期间，二极管针对输入电压反向......
二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用，几分钟搞定(2024-12-19 17:54:04)
仅可以正向导电（0.7V 压降），而且当电压超过齐纳击穿电压时也可以反向导电。反向电流流动，而其两端的电压保持恒定。因此，齐纳二极管可以充当偏置二极管，而无需使用另一个偏置源。
1、半波齐纳二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
继续放电直至零。
八、因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形
(1)实验......
了解升压转换器的操作(2024-03-29)
处的电压将接近0V。由于输出电压高于0V，二极管反向偏置，并且只要开关导通，就没有电流流过。
认识到二极管在开关循环的这一部分是开路强调了输出电容器的重要性，输出电容器是唯一可用于在开关接通时维持输出电压和传输负载电流......
PWM驱动有刷电机时的电流再生方法及其区别(2023-06-06)
电路中，根据占空比，会流过反向电流。（e）在电流再生4的电路中，所有的晶体管关断，但电流通过Q2和Q4的寄生二极管再生，等效施加在导通区间和电机电源的极性是相反的。由于干电路是通过二极管连接的，因此不会流过反向电流......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
特性着手来理解这些疑问，下图是一个二极管的IV曲线：
由图可知，二极管反向偏压后，从0到-200mV，其反向电流随反向电压VF的（绝对值）增大而增加，近似......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
尖峰是电感续流引起的。
引起电压尖峰的电感可能是：变压器漏感、线路分布电感、器件等效模型中的感性成分等。
引起电压尖峰的电流可能是：拓扑电流、二极管反向恢复电流、不恰当的谐振电流......
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能？(2023-03-14)
联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小;将红、黑表......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
保护两部分来讲。
MOS管 作为反向电池保护可能并不常见，最常见的方法是使用二极管。然而，二极管压降很高，这将在低压电路中产生问题。这就是许多使用 MOSFET 作为电池反向......
肖特基二极管4大特性，你都知道吗？(2025-01-07 19:59:31)
耐压、反向漏电流等。
但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管......
基础知识之二极管(2024-03-20)
恢复时间 (trr) 短，与其他二极管相比，开关特性优异。
反向恢复时间 (trr)？
反向恢复时间 (trr) 是指开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间。一般关断后电子不能瞬间停止，有一定量的反向电流......
如何判别二极管的好坏和极性(2023-03-23)
时不能用Rx10k档，因为万用表高阻档使用的电池电压高，这个电压超过了某些检波二极管的最高反向电压，会将二极管击穿。测量时一般也不用Rx1或Rx10档，因为欧姆表的内阻很小，跟二极管正向连接时电流很大，容易把二极管烧坏。
......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
3.3 V LDO NCV4294 为控制器的使能引脚 EN 供电。控制器将控制 N 沟道 MOSFET，使其像理想二极管一样工作，并阻止反向电流。
图 8. NCV68061 测试板的电路图
布局......
℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.4V，正向导通压降低，反向电流的典型值为8uA，反向电流小，系统功耗低。
5、采用TO-247-3封装，利于设计。
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管......
基础知识之光二极管传感器(2024-03-07)
结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
通也不是绝对的，一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大，可能造成二极管击穿而急剧漏电。
图 5 ：反向......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
文献
。
旁路电容C5 是必要的，因为电荷泵需要一个对地交流阻抗较低的通路才能正常工作。如果没有C5，电荷泵的峰值电流可能从MOS 管的检测部分流过，导致比较器被错误触发，尤其是当MOS 管处于反向电流保护状态或体二极管......
【STM32】光敏传感器示例(2022-12-09)
芯是一个具有光敏特征的 PN 结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光......
℃，存储温度范围为-55~175℃，符合高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大额定值为650V，耐压性能出色，满足车载大电压应用对二极管的要求。
3、连续正向电流最大额定值为10A，可承受的正向浪涌电流......
业界 5000 万级像素赛道上首颗采用 100% 全像素对焦功能的 0.7μm 芯片横空出世(2022-11-29)
以从 CCD 的结构和功能开始。
1 CMOS 光电探测器
大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN
结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置(且反向电压小于雪崩击穿电压)时，与入射光强度成正比的电流分量将流过二极管......
干货！工程师必备的二极管常用电路(2024-11-03 22:32:33)
导通会有一个0.7V（硅管）的导通压降，如果实际电流很大的话，那么就会产生一个热损耗，会导致发热。而且如果反接的电压很大的话，超过反向截止电压，也会击穿二极管本身，导致二极管失效，起不......
如何防止锂电池反充(2023-10-07)
限制正常工作范围。）
仅使用具有低反向电流的硅二极管或肖特基二极管。UL 建议的典型反向电流为 1μA。可以使用的一些具有低反向电流的二极管包括但不限于 BAS40、BAS70 和 BAT54 二极管。其中......
一文教你读懂桥式整流电路(2024-06-05)
的正半周期期间，D1 和 D2 正向偏置，D3 和 D4 反向偏置。当电压超过二极管D1 和 D2 的阈值电平时，开始导通 - 负载电流开始流过它，如下图红线的路径所示。
桥式整流电路原理图
桥式......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
保护与电池相连接的模块和子系统。
反向保护延时：Trev_Delay（380ns）Trev_Delay VS Temp
降低正向功耗传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
保护与电池相连接的模块和子系统。
反向保护延时：Trev_Delay（380ns）Trev_Delay VS Temp
降低正向功耗传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管......
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性(2023-12-15)
解决方案中添加背靠背MOSFET，虽然会使压降略微增加，但也会带来许多系统控制功能。图2显示了此电路概念。
图2.具有背靠背MOSFET的理想二极管
原有的Q1可以控制和阻断从VB流向VA的反向电流......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-04)
消耗非常低，3.3V VIN关断电流仅为170nA，静态电流为240nA。该二极管的绝对最大反向电压保护额定值为-6V，支持输出状态指示(ST)，是电源管理应用中稳健高效的上佳之选。
......
万用表测量二极管质量好坏和极性方法(2022-12-19)
(+)、黑（-）表棒分别与二极管的两极相接，测其正、反向电阻都很大，表示内部断线；阻值为零或很小，则是两极间短路。若测得正、反向电阻值几乎相等，则这种管子也不好用。
2．用万用表判别二极管的极性：使用二极管......
思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-23)
降低正向功耗
传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电流......
如何用示波器测量稳压管稳压值(2022-12-29)
如何用示波器测量稳压管稳压值; 稳压管（也称齐纳二极管）是利用PN结被击穿时的特性来工作的。在一定的反向电压下，稳压二极管被击穿，击穿后它的两端电压基本保持在一个稳定的数值上，此时着改变二极管中的电流......
汽车电池充电器电路(2023-07-27)
触点移动到常开位置。电源因此与电池隔离，电池充电停止。一段时间后，电池开始放电，电位分压器上的电压再次达到二极管反向偏置或关断的位置，晶体管被迫切断，定时器现在处于关断位置，没有输出。继电器的公共点移回原来的位置，即常......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。
这款理想二极管控制电路还提供主电源与备用电池的电源切换 ORing控制器，确保......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。
这款理想二极管控制电路还提供主电源与备用电池的电源切换 ORing控制器，确保......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流......
数字万用表测试元器件方法大全(2022-12-06)
和好坏的判断
首先要强调的是用数字万用表测量二极管时，实测的是二极管的正向电压值，而指针式万用表则测的是二极管正反向电阻的值。
二极管有锗管和硅管之分。锗管正向压降比硅管小，0.1- 0.3v 为锗二极管，0.5......
用万用表检测塑封整流二极管(2023-03-23)
用万用表检测塑封整流二极管;由于整流管的工作电流较大，因此在用万用表检测时，可首先使用RX1k挡检查其单向导电性，然后用RX1挡复测一次，并测出正向压降U值。RX1k挡的测试电流很小，测出的正向电......
峰值检测电路汇总(2024-11-14 11:24:55)
。
（2）将场效应管当二极管用，可以有效减小反向电流同时增加第一个运放的输出驱动力。
（3）小电容应该是防止自激的。实际应用中可以用TL082双运放和1N4148来代替场效应管，性能......
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性(2023-12-15)
，虽然会使压降略微增加，但也会带来许多系统控制功能。图2显示了此电路概念。
图2 具有背靠背MOSFET的理想二极管
原有的Q1可以控制和阻断从VB流向VA的反向电流。添加的MOSFET Q2可以......
相关企业
并联模块1600V/150A PAT20016 二晶闸管反向并联模块1600V/200A PDH308 二极管与晶闸管同向串联模块800V/30A PDH608 二极管与晶闸管同向串联模块800V/60A
在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。 伴随着公司的不断扩大与发展，公司通过了ISO9001国际质量体系认证。为顺
等的产品服务于大中华地区. 肖特基产品,全系列,是低于0.14V压差的VF产品.低反向电流.总体低功耗. 快恢复二极管,以具有软恢复在行业一直领先.均与各大厂商对比在反向的波形上有明显的优势.减少
壮大的动力。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。伴随
快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
国独立生产半导体的厂商。产品种类超过40多种封装形式和10000多种型号。产品分为稳压二极管、肖特基、可控硅二极管、ＴＶＳ.桥式整流器等.瞬变(瞬态)抑制二极管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承
;晨辉科技;;能否提供：外径5mm,电压在3.5伏以下,电流在30MA以下的白光亮度在7000-9000mcd直插式二极管及蓝色： 波长260-275nm 二极管。
上都有相对较强的优势，从最大程度上克服了白光LED长期点亮时比较大的光衰，我公司已完全克服LED在使用时由于电路产生的反向电流击穿LED的情况。 我公司拥有一批专业LED灯饰产品研发技术人才，特别是可为一些LED
半导体 通用线性IC ◆ FUJI（富士电机） 功率MOSFET 电源控制IC 功率半导体（IGBT） 整流二极管 ◆ TAMURA （田村） 霍尔电流传感器Current Sensors 电源