资讯
SABIC即将亮相2023上海国际电子元器件展览会(2023-08-10)
其ELCRES™ HTV150A 耐高温介电薄膜在潜在的耐高温电容器应用中能显著降低内部介电损耗。在高达 150°C 的温度和100kHz 的频率条件下，ELCRES HTV150A 薄膜......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战;提升集成电路中的介电层性能可以在现在和未来的存储器和逻辑电路发展中产生巨大的战略影响。本文引用地址：
想象一下，在一个挤满人的大房间里，每个......
柔性PCB有哪些类型?柔性PCB有哪些应用?(2024-12-30 20:49:47)
电轨道可从电路板的任一侧访问。
有两件事使这成为可能。首先，金属层在其上施加了预先打孔的介电薄膜。其次，导体层蚀刻在柔性薄膜(电介质)上的接入点(开口)下方进行。
灵活的 PCB 设计：典型......
东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展(2022-10-24 10:36)
东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展;近日，东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组在《自然·通讯》上发表了一项研究成果，即一种全新的逐层沉积工艺制备的透明导电薄膜材料，并明确了薄膜......
Meta Materials和Panasonic Industry合作开发下一代透明导电材料(2023-10-07)
功能透明导电材料领域的领先解决方案提供商。而 Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜......
Meta Materials和Panasonic Industry合作开发下一代透明导电材料(2023-10-07 15:17)
Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜。两家......
最新进展！中国芯片研发乘风破浪(2024-05-15)
现构建新型容错量子计算机这一长期梦想的起点。
哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得新进展
4月下旬，哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得重要进展，为实现超快铁电存储提供依据。
二氧化铪铁电相是亚稳结构，作为......
晶旭半导体高频滤波器芯片生产项目主体封顶(2024-08-07)
在年底之前具备设备模拟的条件。
根据报道，二期项目为基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，于2023年12月开建，总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建......
16.8亿元！福建晶旭半导体项目二期已完成主体厂房建设(2024-12-10)
进行内外墙的装修，预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。
2023年12月，晶旭半导体二期，即基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，开工建设。该项目总投资16.8亿元，建设136亩工......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-27)
12H
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC
NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项......
奥迪威MEMS超声波传感器——AW101(2023-09-25)
航天等多个重要领域。
MEMS 压电薄膜超声换能器技术近年来开拓出较为广阔的市场化应用，但由于其技术壁垒较高、研究难度较大，仍然存在增加发展速度与提高发展水平的需要。2021年国家“十四五”规划......
薄膜电容怎么来的？了解薄膜电容的发展史(2023-08-21)
成圆筒状构造，人们将它称为薄膜电容。
薄膜电容一开始还不是薄膜电容，其技术起源于19世纪。
1876年，在还没有塑料薄膜之前，人们用一条浸渍油、石蜡的纸插在金属铝箔中并将它卷成圆柱体，这圆柱体就是纸介电......
消息称三星和 AMD 签署价值 4 万亿韩元的 HBM3E 12H 供货协议(2024-04-24)
容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。
HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-28 09:36)
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，满足人工智能时代的更高要求(2024-02-28 09:36)
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目启动(2024-05-15)
“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目启动;据赛微电子消息，近日，2023年度国家重点研发计划“智能传感器”重点专项“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目......
质子介导法为下一代内存设备和神经形态计算芯片提供动力(2023-07-21)
结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化铝绝缘片组成。铂层充当外加电压的电极，而多孔二氧化硅则充当电解质，为铁电薄膜提供质子。
研究人员通过改变外加电压，逐渐从铁电薄膜中注入或移除质子。这就......
基础知识之薄膜压电MEMS(2024-04-02)
元素符号（PbZrxTi1-xO3）（0<x<1）的首字母，压电性能非常强，称得上是压电元件的主角。
薄膜压电和块体压电
大致将厚度约为几μm的叫作薄膜压电（压电薄膜），几十μm以上......
为什么先进封装和摄像头模组都需要好胶水来保证良率与性能？(2023-01-07)
介绍道，汉高还针对三维立体堆叠封装的高带宽存储器专门推出预填充型底填非导电薄膜LOCTITE ABLESTIK NCF 200系列，为透明的二合一胶膜，溢胶量极小，在封装制程中可以有效保护导通凸块，支持......
村田为新型透明可弯曲导电膜寻找合作伙伴(2022-12-30)
Conductive Film）
图1：村田开发的透明可弯曲导电膜及其优点
该薄膜结合了导电性，同时即使在弯曲时也是透明的。
用于触摸屏电极、配线等的氧化铟锡（ITO）系材料的薄膜和使用石墨烯复合材料油墨的导电薄膜......
四个对比 搞清薄膜电容关键特性(2023-02-27)
温表现以及高频应用下的表现都不一样。了解每种薄膜材料的优缺点，才能更好地找到适合项目的薄膜电容。
02 薄膜电容四种常见电介质材料对比
薄膜电容，常见的4种电介质材料：
03 Digi-Key介电......
了解什么是CL电容(2023-09-04)
了解什么是CL电容;薄膜电容种类居多，按照塑料薄膜分类为聚乙酯电容，聚丙烯电容，聚苯乙烯电容和聚碳酸电容。按照电介质不同又分为T型电容（聚乙烯对苯二酸盐），P型电容（聚丙烯）和N型电容（聚乙烯）这三种薄膜......
聚硫酸盐可广泛用于各种高性能电子元件的原料(2023-02-17)
聚硫酸盐可广泛用于各种高性能电子元件的原料;
根据斯克里普斯研究所和劳伦斯伯克利国家实验室的化学家和材料科学家的一项研究，一种可以形成柔性薄膜......
ReRAM即将跨入3D时代(2017-07-04)
出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术。
ReRAM的研发一般采用忆阻器进行，其中，在介电层中迁移的氧空缺(oxygen vacancy)，将电介质的电阻改变为’1’与’0’。除了MIPT......
RM3545电阻计的性能特点及应用(2023-04-21)
子零部件方面，多用于导电薄膜/导电橡胶等高电阻材料。RM3545可最大测量到1200MΩ。更值得一提的是，因为具备了高精度0.006%，即使检查最高端的电流检测电阻也能使用
产品特点：
●基本精度0.006......
原位拉曼系统--实时监测半导体薄膜生长全过程(2023-08-31)
到最佳工艺方案。
研究组还开发了通过分析半导体薄膜物性来推断遗传率的分析技术。介电率是指在电场中产生电极化的程度。例如SiO2是一种传统的层间绝缘材料，但由于介电率高，在实......
陶瓷电容的介质类型分类(2023-09-26)
电容、薄膜电容、电解电容、陶瓷电容等。今天小编来讲陶瓷电容的分类。
陶瓷电容也称为瓷介电容，是用以高介电常数的陶瓷（钛酸钡—氧化钛）挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，涂敷金属薄膜（通常为银）经高......
的安全网格金属化，以便额定电压能够达到900-1000V。该薄膜具备稳定的固有介电性能，使电容器能够在150°C条件下运行。该项目涵盖在150°C条件下的2000小时可靠性寿命测试，以及在130°C条件下的3600小时......
传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备(2024-06-28)
露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。
此外，目前美光最大的HBM生产......
你真的了解CBB薄膜电容吗？(2023-09-26)
，55/105/56
二、CBB薄膜电容的特性
无极性、绝缘阻抗高、电气性能优良、介电常数较高、可靠性好、频率特性优异、介质损失小、自愈性能好等特性。
三、应用领域
CBB薄膜电容用于旁路、耦合......
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展(2024-03-18)
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展;近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜......
一起了解薄膜电容之CL电容的特性(2023-09-01)
一起了解薄膜电容之CL电容的特性;科技的进步推动了电子行业的发展，而在电子行业中离不开电容器这一类电子元件。电容器是容纳和存储电荷的容器，在电子产品内部中有电容器的身影。电容......
基于双频技术建模测量高k电介质堆层中频率的相关性(2023-06-09)
校正测量误差数据的一些分析公式和模型已得到充分研究。着重于消除串联电阻、氧化物漏电、氧化物与半导体间不希望有的损耗介电薄层、多晶硅耗尽层和表面粗糙度等等的影响。减少纳米级MOS器件中栅极漏电的迫切需求刺激了用高k电介......
xMEMS宣布全球独家全硅固态保真MEMS扬声器上市(2023-05-04)
保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。”
MEMS扬声器利用压电薄膜技术作为执行器，取代了线圈和磁铁。当压电薄膜与硅结合作为扬声器膜片，实现了世界上第一个固态扬声器。与电子产品中使用的传统音圈扬声器不同，xMEMS微型......
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM(2024-02-28)
推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品......
薄膜电容之CBB21电容和CBB21X电容(2023-08-31)
薄膜电容之CBB21电容和CBB21X电容;薄膜电容种类繁多，形态大小也不一样。在薄膜电容当中有几种薄膜电容外观相似，名字也相似，就比如CBB21电容和CBB21X电容。CBB21电容和CBB21X......
释放20%股权，云传智联如何通过AIoT VOC控制器切入健康家居市场？(2021-07-30)
Lab（全球唯一压电薄膜实验室）的工作经历，核心成员有压电薄膜材料专家张志成、压电陶瓷材料专家杨文伍、传感器制造专家龚立平。
云传智联涉及的传感技术有压电、超声、液位、加速度、压力、位移、气体等，以压电薄膜......
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺(2024-03-13)
回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。
三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用......
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺(2024-03-13 14:26)
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺;三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜......
SK海力士的信心：“我们的HBM比竞争对手更强”(2024-06-11)
底部填充（MR-MUF）技术制造的HBM比采用热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的产品坚固60%。
SK hynix用锋利的工具刺穿安装了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的方法进行了测试，结果......
晶旭半导体氧化镓外延生产基地预即将投产(2024-12-11)
核心装备自主研发，外延芯片自主设计制造，器件封测一体化的全产业链布局。建成后不仅填补了国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白，同时，对上杭县新材料产业发展具有重要推动作用。
据睿悦投资消息，截至......
【成电协·会员行】芯仕成---突破技术封锁，争创新一代射频滤波器国产代表品牌(2022-11-29)
芯仕成主要竞争产品有FBAR滤波器、介质滤波器、LTCC滤波器和MEMS滤波器等。核心技术是高品质压电薄膜材料，新型声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器器件结构、制备工艺和封装方法等。
公司......
选择车规级电容器有哪些注意事项(2024-06-27)
，可见四种基本电容器的典型介电常数(K)和介电强度值。低K值和低介电强度组合（如聚酯膜电容器）导致体积效率低。不过，由于损耗非常低，电气特性非常稳定且成本低，这些体积较大的器件仍得到广泛认可。
工作......
为汽车电子选电容器，这些选型知识必不可少！(2024-07-18)
容量和电压通常是器件选择的主要参数，但还有许多其他参数有助于做出最佳选择。如图2所示，可见四种基本电容器的典型介电常数 (K) 和介电强度值。低 K 值和低介电强度组合（如聚酯膜电容器）导致体积效率低。不过，由于......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
体场效应晶体管结构，铁电薄膜用来替代MOS管中的栅极氧化硅层，铁电薄膜保持着两个稳定的极化状态，分别表示“1”和“0”。
图三 FRAM结构剖面图
（2）磁性存储器（MRAM......
HTV150A薄膜的安全网格金属化，以便额定电压能够达到900-1000V。该薄膜具备稳定的固有介电性能，使电容器能够在150°C条件下运行。该项目涵盖在150°C条件下的2000小时......
SABIC即将在PCIM ASIA上展示其首次商业化应用于电容器的ELCRES HTV150A薄膜(2024-08-13 11:08)
薄膜的安全网格金属化，以便额定电压能够达到900-1000V。该薄膜具备稳定的固有介电性能，使电容器能够在150°C条件下运行。该项目涵盖在150°C条件下的2000小时可靠性寿命测试，以及在130......
人工耳蜗新进展，科研人员利用打印技术制备高性能无铅柔性压电声敏传感器(2022-12-30)
形成的准同型相边界，显著提高应力对压电材料性能影响，实现压电响应增强；另一方面在压电薄膜表面引入微锥阵列，增加与声波的接触面积，增强对声波的吸收，从而制备高性能柔性压电声学（FPAS）。
IT之家获悉，该显......
xMEMS宣布其全球独家全硅固态保真MEMS扬声器全面上市(2023-05-09)
保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。”
MEMS扬声器利用压电薄膜技术作为执行器，取代了线圈和磁铁。当压电薄膜与硅结合（而不是塑料或纸）作为扬声器膜片，实现了世界上第一个固态扬声器。与电......
了解多层陶瓷电容的特性(2023-08-16)
了解多层陶瓷电容的特性;电容器种类居多，按照不同介质材料分类为陶瓷电容，安规电容，薄膜电容，超级电容，电解电容等。陶瓷电容是电容器中分类较多的一类。陶瓷电容温度范围宽，耐热性能好，介质损耗小，绝缘......
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;东莞市福声科技电子有限公司;;公司名称：东莞市福声科技电子有限公司,厂名：长安福坤电子厂。地址：东莞市长安镇上沙第二工业区第三路1号。专业生产手机按键弹片，金属弹片，导电薄膜按键开关，Metal
电、哑白、半透明、奶白、米白色半透明、光黑、光哑。型号有：H10、S10、T60、E20、EM等透明PE薄T膜、PET雾状薄膜、ITO导电薄膜、耐高温PET薄膜、PET乳白薄膜（重料）、白色发泡PET薄