沉积二氧化硅薄膜

2022年下半年开始，嘉芯半导体多次中标客户特色工艺生产线，包含氮化硅等离子刻蚀机、金属等离子刻蚀机、深槽刻蚀机、侧墙等离子刻蚀机；高密度等离子薄膜沉积设备（HDP-CVD)、掺杂硼磷二氧化硅薄膜化学沉积...

与整合工程师在寻求隔离方案时可以考虑已经被证实可行的方法：沉积可调的平面介电层或共形二氧化硅或氮化物。但现在的介电层既需要可调性和共形性，也需要能够沉积含有硅碳键的薄膜如SiCO，从而获得更高的刻蚀选择性，因为...

述圆片被彻底清洗干净后，再放入灼热的氧化炉内，使其表面生成二氧化硅薄绝缘层。然后再涂上一层软的易感光的塑料(称为光刻胶或光致抗蚀剂)。将掩模放在圆片的上方，使紫外线照射在圆片上，使没...

备，包括合金化工艺低压立式炉管、缓冲层氧化膜炉管、铝刻蚀机、铝金属物理气相沉积机、铝铜金属溅射设备等；拓荆科技中标3台二氧化硅等离子薄膜沉积设备、8台二氧化硅氮化硅氟化硅氮氧化硅等离子薄膜沉积...

等离子刻蚀机、深槽刻蚀机、侧墙等离子刻蚀机；高密度等离子薄膜沉积设备（HDP-CVD)、掺杂硼磷二氧化硅薄膜化学沉积设备（SACVD）、钛/氮化钛沉积设备（MOCVD）、铝铜金属溅射设备（Metal...

。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现...

晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现...

团队的新方法以硒化铟的质子化为基础，从而产生多种铁电相。研究人员将这种铁电材料纳入了一个由硅支撑的堆叠异质结构组成的晶体管中进行评估。 他们在异质结构上层叠了一层硒化铟薄膜，异质结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化...

流体动力学优化的多硫源分布，从而实现了二维材料的准静态生长；同时在任意衬底（包括硅）通过原子层沉积生长特殊缓冲层，精确控制均匀单层成核，最终获得了大面积二维半导体均匀生长技术，并且对于多种二维半导体均可适用，在15...

极引入国际领军团队。当前研究人员开发了多种策略来制备大面积二维半导体，其中化学气相沉积（CVD）是普遍看好的技术。但是主要研究更多注重实验室级别的性能（Performance）提升，并没...

新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文...

新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了...

是俄罗斯本土光刻生产线构建的一部分。 根据报道，俄罗斯工业和贸易部委托开发的这种半导体设备，用于对二氧化硅、钨和铜介电层进行化学机械抛光（CMP）。设备的国外功能原型是由美国应用材料公司（Applied Materials）生产...

的控制方式与视觉显示器上的像素类似。通过适当操作，可以模拟出各种触感。 下图展示了压电制动器的制造工艺，即使用氮化硅和/或氧化硅作为弹性膜片材料，在金属电极上沉积织构PZT（锆钛酸铅）薄膜...

的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示： △亚1纳米...

展示了压电制动器的制造工艺，即使用氮化硅和/或氧化硅作为弹性膜片材料，在金属电极上沉积织构PZT（锆钛酸铅）薄膜。   上图：从晶圆顶部观察弹性膜片的示意图 下图：薄膜横截面示意图 （图片来源：“在静态和谐振条件下为PZT薄膜...

激光的拉曼光谱源组成复合型拉曼。成功的对具有低介电率特性的SiOCH薄膜形成过程和具有较高遗传率的二氧化钛（TiO2）薄膜形成过程进行实时监测并对薄膜物性进行实时分析。 首席研究员许勋表示：“为了...

的导电机制。使用该薄膜材料作有机光伏器件的阴极，实现光伏器件的“免氧化铟锡（ITO）”，推动了有机光伏的市场化。“进一步提高氧化锌的导电率是我们下一步的研究方向。”唐正说，目前，逐层沉积工艺制备的紫外光掺杂氧化锌薄膜...

%，其主要表现形式就是沙子（主要成分为二氧化硅），沙子里面就含有相当量的硅。因此硅作为IC制作的原材料最合适不过，想想看地球上有几个浩瀚无垠的沙漠，来源既便宜又方便。 2、硅熔炼、提纯...

— 氧化物 — 半导体）电容器组成的阵列。在 P 型或 N 型硅衬底上生长一层很薄（约 120nm）的二氧化硅，再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极），形成规则的 MOS 电容器阵列，再加...

为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化镓）最为稳定，当加热至1000℃或水热条件（即湿法）加热至300℃以上时，其他所有亚稳相的异构体都会被转换为β相异构体。而用于氧化镓的外延薄膜沉积...

和销售光学镀膜设备、功能性薄膜涂层设备、装饰涂层设备、卷绕镀膜设备、汽车零部件镀膜设备、连续式磁控溅射镀膜生产线、超高真空系统等真空设备、ALD原子层沉积设备、半导体设备、电子生产设备、光电设备、光伏设备、动力...

对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造有三大步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。 硅的提纯是第一道工序，需将...

我国科学家成功探测人工神经元突触的量子成像;记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队孙方稳课题组与合作者合作，制备了基于二氧化钒相变薄膜的类脑神经元器件，并利用金刚石中氮-空位（NV...

的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成...

现氧空缺的介电层中，观察其能隙中的电子状态 Egorov说：「为了研究在氧化钽薄膜生长过程中形成的氧空缺，我们使用了一种整合生长PEALD[电浆辅助原子层沉积]和分析XPS(X射线光电子能谱仪)腔室(以真...

半导体CVD设备国产化进行到哪步了？;近日，微导纳米发布官方消息，公司的首台半导体CVD薄膜沉积设备顺利发货。 CVD设备需求提升 薄膜沉积分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积...

工艺参数和评估参数范围的详细信息见图4。 图4：空气间隙闭合工艺敏感性分析 模拟表明，关键尺寸越小，硅碳氮沉积失败的风险越大，因此，造成空气间隙闭合失败的最大因素是金属1关键尺寸和较小的二氧化硅...

工艺参数和评估参数范围的详细信息见图4。 图4：空气间隙闭合工艺敏感性分析   模拟表明，关键尺寸越小，硅碳氮沉积失败的风险越大，因此，造成空气间隙闭合失败的最大因素是金属1关键尺寸和较小的二氧化硅硬掩膜厚度。此外，金属1钌厚度和二氧化硅...

。 ●  可以实现更灵活的结构，例如可以实现像U形，O形等线圈结构，而这类结构的线圈能表现出直的线圈没有的特性。 ●  因为线圈所包含的材料只有硅，二氧化硅和合金，所以...

透明电接触是先决条件。这是通过使用透明导电氧化物(TCO)替代传统(即单面)钼制太阳能电池中的不透明背接触来实现的。 有害的氧化物形成 高效CIGS太阳能电池一般采用550℃以上的高温沉积...

以及更先进显示技术提供更为高效和经济的解决方案。不同于传统存储芯片，RRAM对芯片制造过程中的低温沉积、低损伤刻蚀等工艺提出了更严格的要求。作为国内领先的半导体设备供应商，北方华创提供了包含刻蚀、薄膜...

施(Carl Frosch)和林肯·德里克(Lincoln Derick)在晶片上生长了一层二氧化硅薄膜，以保护其表面，并允许受控扩散到底部的硅层。 图...

以及更先进显示技术提供更为高效和经济的解决方案。 不同于传统存储芯片，RRAM对芯片制造过程中的低温沉积、低损伤刻蚀等工艺提出了更严格的要求。作为国内领先的半导体设备供应商，北方华创提供了包含刻蚀、薄膜...

存在于每种电子设备中。传统上，制造金属氧化物需要专门设备，这些设备既慢又贵，而且需要在高温下运行。于是，研究人员希望开发一种能在室温下沉积金属氧化物薄膜的技术，即打印金属氧化物薄膜。 他们开发了一种从液态金属弯月面分离金属氧化...

孔侧壁和深孔底部等部位成膜，在深度蚀刻时的聚合物沉积等MEMS加工中形成均匀的成膜。 罗姆的代工运用自身拥有的先进薄膜压电技术和MEMS加工技术，以及得到了量产业绩印证的先进生产技术，为实现小型、节能...

个制作过程中，薄膜材料被沉积在晶片上以生成电子元件。这可以通过多种技术来实现，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）。这些工艺可用于沉积金属、氧化...

国产半导体设备实现关键突破！;公开消息显示，近期我国半导体设备在离子注入、刻蚀、薄膜沉积、第三代半导体等领域取得多番突破。国产设备大厂自2020年起至今年上半年，业绩实现了较大程度的增长。近几...

的硅原子越来越多，柱越来越粗。最终，单个硅柱相互接触，形成拱形结构。 第一阶段，硅薄膜刚性但不稳定的柱状结构；第二阶段，柱顶部接触，形成坚固的拱形结构；第三阶段，硅原子进一步沉积...

Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升。通常，铜线的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅...

遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。抛光后的硅片还要在做一次清洗以去除硅片表面的有机物杂质和氧化...

温下直接生产硅纳米颗粒）的开发取得了重大突破。 （图片来源：Kinaltek） Kinaltek的技术能力已得到扩展，除了纳米颗粒，还可以直接生产硅纳米线和硅碳复合材料。这些材料均以二氧化硅...

尹志尧：打造全方位高质量的，有国际竞争力的半导体设备公司;中微半导体设备公司在刻蚀领域和薄膜沉积领域深耕已久，并曾制造出中国第一台电解质刻蚀机。目前...

该系统回收利用的 PET 薄膜可减少约10%*3二氧化碳的排放量。再生薄膜将应用于 MLCC 以外的其他产品，旨在提高其他产品中使用 MLCC 的比例。 PET 薄膜回收利用之所以能够取得成功，离不开 TDK 为追...

Corporation 将其制成薄膜。TDK随后购买这些薄膜，并经过特殊工艺加工后，再次用于制造工艺。相较于传统 PET 薄膜，经过该系统回收利用的 PET 薄膜可减少约10%*3二氧化碳的排放量。再生薄膜...

设备累计出货量已突破100个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。 此外，其在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发上取得了良好进展，并积极布局用于碳化硅...

仪器隔离接口市场与应用经理Michael Schultis和德州仪器技术经理沈军在发布会上详细介绍了此技术的特点。Michael表示，此光耦仿真器与业内常见的光耦是引脚兼容的，可以无缝地集成到现有的设计中。采用基于二氧化硅...

方法并不可行。CZ 生长在二氧化硅坩埚中将硅在约 1500°C 的温度下熔化，但碳化硅的熔点高于 2700°C。 SiC 晶体通常通过Lely 方法生长。SiC 粉末在氩气气氛中加热到 2500°C 以上，并升...

盾源聚芯半导体科技有限公司将导入高纯硅部件项目。而浙江富乐德半导体材料科技有限公司将导入高纯氧化铝及化学气相沉积碳化硅产品生产线，氧化铝产品具备优异的耐高温、抗氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高导热、高绝...

主研发的高均匀性、大产能，并适用大翘曲硅片的12英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备交付客户。此次推出的Cygnus系列12英寸等离子体增强化学气相沉积设备，主要用于制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅...