2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。
本文引用地址:据了解,GeO2被认为是下一代功率半导体,并且是使用即将普及的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的下一代的候选者。与SiC相比,GeO2制成的功率半导体在高电压和高输出范围内表现出良好性能的潜力。
目前,该公司正在与主要开发商Patentix合作,以尽快将其推向市场。
Qualtec计划在2027年之前提供用于设备原型开发的2英寸外延晶圆样品。与此同时,该公司还将努力把用于大规模生产的衬底直径增加到4-6英寸。通过利用Patentix的研究成果,让GeO2晶圆直径增大的同时,也有望实现缺陷更少且低成本的薄膜沉积。
值得一提的是,2023年12月,Qualtech向立命馆大学创业公司Patentix投资5000万日元(折合人民币约239万元),结成资本与业务联盟。8月,该公司在草津市开设实验室,以支持Patentix的研发,并正在考虑GeO2外延片的制造。由GeO2晶圆制成的器件预计将应用于电源、电机和逆变器上。
目前,参与以Patentix为中心的“琵琶湖半导体计划”的公司数量正在不断增加,该计划目标是尽快实现GeO2功率半导体的商业化。Qualtech将加速开发GeO2外延片量产技术并推进其实际应用。
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