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哥瑞利与深信服战略签约，携手助力半导体产业高质量发展; 5月26日,哥瑞利软件与深信服正式签署战略合作协议,双方约定以互信、惯例与默契为基础,通过双方的紧密合作,共同打造双赢、可持......
vGPU1.0、MT GPU直通和MT GPU加速协议编码等，并联合合作伙伴推出了多款基于MTT S2000的云桌面解决方案。 摩尔线程的云桌面合作伙伴包括：微软、联想云、新华三、深信服、锐捷、安超......
延迟等问题，这些问题的背后暴露出来的可能是私有云资源不足、硬件故障难以定位、网络故障等深层次问题。 为此，深信服提出了AIOps 智能运维一体化技术方案。该方案通过采集桌面云的日志、链路......
年，深圳人工智能产业规模同比增长超过20%，人工智能企业数量同比增长近20%，形成华为、腾讯等头部企业引领，元象科技、思谋科技、兔展智能和深信服等高成长性企业支撑，一大......
器内存产品荣获2022年度百易风云榜服务器内存技术创新奖，其中IBM和浪潮荣获全闪存阵列产品金奖、Dell荣获全闪存存储产品金奖、华为荣获微存储产品金奖、深信服荣获分布式存储产品金奖和文件存储产品金奖、长江......
通、利盟、深信服、忆联信息、皇虎测试、平安集团、深圳宝龙达、研祥股份、晟矽微、中国移动、芯盛智能、东方证券、混沌投资、大为创芯、高格芯微、中国电信、九联科技、中信证券、中泰证券、吉利商用车、超越......
产业的自主可控关系到国家安全和利益，也是产业自主发展的基础。 本次论坛也广泛邀请了信创各领域资深从业者与产业专家，将邀请中国长城、飞腾信息、麒麟软件、金山办公、人大金仓、深信服、中孚信息、万里开源、致远互联、e签宝等行业翘楚、专家......
科技、思谋科技、兔展智能和深信服等高成长性企业支撑，一大批初创型企业协同发展的良好格局。 封面图片来源：拍信网......
、功率MOSFET零电压的开通 功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中，通常......
-1686-03）进行校准。但是，这种方法对于高电压和大电流应用而言，并非最佳选择。 为了匹配更高功率下低压漏-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）的测量，传统技术需要重新布线测试装置。这要......
/N 067-1686-03）进行校准。但是，这种方法对于高电压和大电流应用而言，并非最佳选择。 为了匹配更高功率下低压漏-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）的测量，传统......
展示多元化的数据存储解决方案。杭州杰峰科技有限公司将展示监控存储解决方案，深信服科技股份有限公司以及宝德计算机系统股份有限公司则将展示云计算解决方案， 威联通科技股份有限公司展示NVR视频监控应用方案。此外，我们......
展示多元化的数据存储解决方案。杭州杰峰科技有限公司将展示监控存储解决方案，深信服科技股份有限公司以及宝德计算机系统股份有限公司则将展示云计算解决方案， 威联通科技股份有限公司展示NVR视频监控应用方案。 此外，我们......
就不再赘述了。DIBL效应造成的明显的现象是——随着漏极-源极电压VDS的增加，栅-源极阈值电压VGS（th）会随之降低，见图1。 Fig.1:不同制造商1200V SiC MOSFET的VGS(th)曲线......
安全是半导体企业离不开的话题，目前半导体产业受到外力限制的同时，也带来自主创新的机会。深信服可提供全方位的半导体行业数字化解决方案，助力企业实现数字化转型。 深信服科技股份有限公司行业总监 刘伟 分享......
特性是验证的是栅极电压VGS对ID的控制作用，其表征了器件的放大能力。对于恒定的VDS，VGS越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻越小，相应的ID就越大。当然这个VGS达到一定值的时候，电压再大，ID也不......
检测电压就好了。 如上图，如果器件正常导通，那么Vds通常只有0-5V（以比亚迪SiC模块的情况举例840A电流最高温度下导通阻抗4.7mΩ，压降3.948V），如果Vds超过这个值很多，无疑......
端的通道越来越窄，而在S端的通道越来越宽的情况（排斥）。如下图所示。 此时随着VDS的逐渐增大，当VDS=VGS-VGS th时，沟通在漏极一端恰好消失，此时就称为预夹断。 mos......
携手华为，深信投打造智能城市“神经末梢”;近日，在华为全联接大会上，深圳市信息基础设施投资发展有限公司（以下简称“深信投”）和华为联合分享了智慧杆站方案。深信投联合华为数字站点军团、数通产品线、无线......
效应的成因 在讲这个之前需要先回顾下MOS的开通过程。 图一 从t1开始时刻，Vgs开始上升的时候，Vds和Id保持不变，这个过程中驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升。一直到t1结束，Vgs上升到Vg(th......
 = 12 V 时，固定的漏极电流 ID = 20 A 会导致 VDS = 8.75 V，而当 VGS 增加到 20 V 时，VDS = 3.75 V。将公式 (3) 和 (4) 的结果进行比较，可以......
条件：陪测管SiC 二极管，Ron = Roff = 10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A） 测试挑战与解决方案 平面......
请华为、TCL、海信、京东方、天马微电子、中国电信、中国移动、时创意、中电智谷、龙芯、金蝶、龙芯中科、中孚信息、深信服、新华三等代表性企业参展。 基础电子馆（9号馆）重点展示：集成电路、电子元器件、特种......
条件：陪测管SiC 二极管，Ron = Roff = 10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A） 测试挑战与解决方案 平面结构氮化镓功率器件实现高压开关，主要......
管SiC 二极管，Ron = Roff = 10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A）测试挑战与解决方案平面结构氮化镓功率器件实现高压开关，主要......
使用户真正舒适地沉浸于 世界。本文引用地址： 据介绍，由于 AR、 设备中的 3D 图像总是固定在用户眼前的屏幕上，通过双目视差原理体现距离感，因此人眼的聚焦距离一直不变，缺少了现实世界中的景深信......
在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压VGD......
、Uds关键波形分析 1）下图是开关管Q1的Vds电压随着时间变化的波形图，t1时刻前也就是纵坐标为零时候，Q1导通，由于变压器原边电感较大，且电感两端电压与电流变化率成正比，因此......
（HS-FET 阶段）：当 HS-FET 导通时，漏源电压 (VDS) 开始下降，漏源电流则一直上升，直到 HS-FET 的 VDS(TOP) 电压降至 0V，或者 HS-FET 电流 (IHS) 上升......
功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大） 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以......
保障数字资产的安全。 在展会现场，东芝与行业领先的解决方案供应商杭州杰峰科技有限公司合作展示了监控存储解决方案，并与深信服科技股份有限公司和宝德计算机系统股份有限公司合作推出了云计算解决方案，该解......
在云桌面领域的落地应用与部署。本文引用地址： 据介绍，作为国内首个具有自主云桌面 GPU 虚拟化技术的创新企业，摩尔线程发起“摩尔线程云桌面 GPU 加速共建计划”，并与联想云、安超云、酷栈科技、庭宇科技、深信服......
果可能会超出额定值，因此设置适当的VGS值是非常重要的。 SiC MOSFET导通时的损耗、漏极电流ID、漏-源电压VDS和栅极电压VGS之间的关系见右侧图2。发生该开关损耗的期间t1和t2可以......
模数转换器 (ADC),可采样每路MOSFET的漏极-源极电压 (VDS)，用间接电流测量方法取代传统电流检测电阻方法。意法半导体的间接电流测量专利技术是用VDS电压测量值和RDS(on) 电阻......
器件表现出两种主要类型的损耗：导通损耗和开关损耗。导通损耗与开通状态下的导通电阻 (RDS(ON)) 成 正比，计算方法为漏极电流 (ID) 与漏源电压 (VDS) 的乘积。 将 SiC MOSFET 的 VDS 特性......
ZVD 的控制方法所需的硬件，该方法使算法能够计算开关时序参数，以同时实现 ZVS 和低 THD。 资料来源：德州仪器 求解 GaN FET 谐振跃迁的 ZVS 状态平面电压 (VDS) 将为......
间内为 MOSFET 的 COSS 充电。当 COSS (Vds) 两 端的电压超过输入电压及反射的输出电压之和 (Vin+nVo) 时，次级二极管导通，因此励磁电感 (Lm) 两 端的电压被箝位至 nVo......
保障数字资产的安全。 在展会现场，东芝与行业领先的解决方案供应商杭州杰峰科技有限公司合作展示了监控存储解决方案，并与深信服科技股份有限公司和宝德计算机系统股份有限公司合作推出了云计算解决方案，该解......
World Awards颁奖典礼上荣获Open RAN最佳云解决方案奖项。该奖项认可Mavenir的Open vRAN是助力通信服务提供商(CSP)实现虚拟化网络战略的最佳云原生解决方案。Mavenir......
芯片由三个拉/灌电流600 mA的半桥驱动组成，工作电压范围为 5.5V 至 75V，可满足任何低压电机的驱动要求。该芯片集成了高低边栅极驱动器稳压电源和可配置漏源电压 (Vds)监测保护功能，还有......
桥驱动组成，工作电压范围为 5.5V 至 75V，可满足任何低压电机的驱动要求。该芯片集成了高低边栅极驱动器稳压电源和可配置漏源电压 (Vds)监测保护功能，还有一个用于选择直接高低边栅极输入或 PWM 控制......
桥驱动组成，工作电压范围为 5.5V 至 75V，可满足任何低压电机的驱动要求。该芯片集成了高低边栅极驱动器稳压电源和可配置漏源电压 (Vds)监测保护功能，还有一个用于选择直接高低边栅极输入或 PWM 控制......
World Awards颁奖典礼上荣获Open RAN最佳云解决方案奖项。该奖项认可Mavenir的Open vRAN是助力通信服务提供商(CSP)实现......
苹果宣布在日本开通卫星通信服务：支持iPhone 14/15; 7月31日消息，公司宣布，iPhone卫星通信服务已经扩展到日本，iPhone 14系列、iPhone 15系列......
SiC MOSFET中的故障机制有些不同，但会有类似的情况，在最大ID流过时VDS可能上升。如果导通期间的最大VGS太低，栅极驱动导通沿太慢，或者存在短路或过载情况，就会出现这种不理想的条件。在满载ID......
亚马逊云科技推出新服务Amazon Telco Network Builder可自动部署和管理电信网络; o 这项新服务可在亚马逊云科技上实现自动化部署和管理，让电信服务提供商更容易、更快......
外接负载大小不同，流过P-MOS管的电流、VDS(源漏电压)就会不同。输出电流越大，VDS越大，I/O电压就越小。当电压低到Voh时的这个输出电流，就表示驱动能力。 当输出低电平0时，I/O引脚......
重磅！国内首颗手机北斗短报文通信射频基带一体化芯片研制完成;近日，北斗三号短报文通信服务成果正式发布。 据中国北斗卫星导航系统发布消息称，中国兵器工业集团有限公司、中国......
vRAN优异的处理能力和超高能效将满足未来的数据需求;在日益多样化的使用场景中，企业和消费者对移动数据和服务的需求呈指数级增长，这也促使全球各地的通信服务提供商开始重新定义无线网络的架构。传统......
用了MOSFET的SOA的特性，结合电压检测，电流检测，温度检测等，对MOSFET继续开关； SOA如下图 A线  是由导通电阻RDS（on）max[ID=VDS/RDS（on）]限制的区域。该区域一般与ASO......

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