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总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用(2024-02-29)
智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈，为深圳及广东本地龙头企业长期提供稳定可靠足量的衬底及外延材料，以加快推动全产业链核心技术自主可控和量产原材料保障。
未来，重投天科还将设立大尺寸晶体生长和外延研发中心，并与......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
到系统之路！接下来我们将对两个碳化硅的关键的供应链衬底和外延epi进行分析和介绍，这样大家会对于安森美在碳化硅的布局和领先优势会有进一步的了解。
安森美碳化硅全垂直整合的供应链——从晶体到系统
供应链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长......
南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体(2023-03-10)
的碳化硅籽晶为起点，进行籽晶迭代，逐步扩大SiC晶体尺寸直到达8英寸；通过多次晶体生长和加工，逐步优化晶体扩径区域的结晶质量，提升8英寸籽晶的品质。
在8英寸导电型晶体......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
到系统之路！接下来我们将对两个碳化硅的关键的供应链衬底和外延epi进行分析和介绍，这样大家会对于安森美在碳化硅的布局和领先优势会有进一步的了解。
安森美碳化硅全垂直整合的供应链——从晶体到系统
供应链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延......
晶盛机电：获60.83亿元单晶炉订单 向下游CVD设备启航(2021-09-02)
大单将会对公司业绩产生积极影响。
签订60.83亿元单晶炉订单
8月31日晚，晶盛机电发布公告称，公司于2021年8月31日与宁夏中环签订《全自动晶体生长炉采购合同》，公司向宁夏中环销售全自动晶体生长炉设备，合同金额60.83......
上海超硅拟科创板IPO 已启动上市辅导(2021-06-21)
国大陆领先的工业化生产大尺寸硅片的企业。
据辅导备案情况报告介绍，上海超硅目前拥有先进的300mm硅片全自动智能化生产线，并通过自主研发掌握了大尺寸单晶硅晶体生长技术。此外，该公司的核心设备晶体生长......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功......
从基础到应用碳化硅晶体研制获突破(2023-01-29 10:07)
龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。通过多年不懈攻关，科研团队通过气相法将碳化硅晶体直径从小于10毫米不断增大到2......
同济大学物理科学与工程学院晶体产业（无锡）研发中心揭牌(2023-12-29)
发中心由同济大学徐军教授领衔国家级创新技术团队、世界领先的半导体单晶生长和加工装备制造上市公司连城数控、半导体晶体材料衬底片加工龙头公司青岛嘉星共同创建。
该研发中心将开展导膜法氧化镓晶体生长......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
场份额才会成长到15%左右。
抢抓机遇：进击8英寸SiC衬底
业界指出，8英寸SiC晶体生长的难点在于，首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题，还要解决应力加大导致晶体......
晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销(2023-12-20)
自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸SiC晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸SiC晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸......
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料(2022-03-08)
机电顺应行业发展趋势，提早布局碳化硅晶片市场。目前，该公司碳化硅外延设备已通过客户验证，同时在6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节建立测试线，其6英寸碳化硅晶片已获得客户验证。
晶盛......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
氧化镓晶圆衬底技术突破，并且将进行多次重复性实验，从很大程度上解决了氧化镓晶体生长的相关技术难题。”北京铭镓半导体有限公司成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长和优良的晶体质量，有力......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长和优良的晶体......
2022年各省市重点/重大半导体项目盘点！（附项目名单汇总）(2022-05-05)
碳化硅单晶材料与晶片项目
2020年7月8日，南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目正式动工。据当时消息，该项目总投资9亿元，将扩大晶体生长和加工规模，并增加外延片加工生产线，达产后年产各类衬底片和外延片共20......
碳化硅赛道“跑马圈地”，国产企业竞争力如何？(2022-08-02)
晶圆激光切片机正在客户处做量产验证；恒普科技近日成功推出2款8英寸双线圈感应晶体生长炉；科友半导体成功研制了SiC电阻长晶炉；季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备，在提高可靠性和稳定性的同时，成功实现SiC......
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体(2022-09-02)
线产品已通过下游部分客户验证。第五代新型单晶炉即将于2023年重磅上市。
晶盛机电还表示，公司将持续加强技术创新和工艺积累，实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进一......
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-08)
半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。
来源......
总投资20亿元，华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目落地(2024-10-09)
亿元，占地100亩，建设半导体化合物晶体生长和加工生产线，二期项目总投资13亿元，占地100亩，建设半导体化合物晶体生长、衬底制造和半导体晶体材料加工等产品生产线。一、二期项目全部投产后可实现年产值20......
中电化合物与韩国Power Master公司签署战略合作协议(2023-06-20)
江省首个第三代半导体项目，总投资10.5亿元，规划建设年产7万片6吋SiC同质外延片生产线，和年产1万片GaN外延片生产线；包含SiC晶体生长、衬底加工、外延生长、材料检测工序。
官网......
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破(2023-05-15)
加工等多个领域，已形成自主知识产权，实现先进技术自主可控。
科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm(2024-05-31)
计授权专利80余项，实现先进技术自主可控。
科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
GaN外延层中位错密度难以降低，并且需要在界面生长缓冲层以调控应力。
基于半绝缘GaN自支撑衬底的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-GaN HEMTs)可避免衬底和外延层的热失配和晶格失配，简化外延......
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体(2024-06-20)
美计划在几年内完成高达 20 亿美元(440
亿捷克克朗)的棕地投资，以扩大SiC产能，这是安森美先前披露的长期资本支出目标的一部分。这项投资基于安森美在当地的现有运营，包括硅晶体生长、硅和......
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展(2022-03-04)
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展;碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在集成电路各细分领域有着广泛应用。其晶体生长极其困难，核心......
第三代半导体SiC动态涌现！(2024-05-16)
第三代半导体SiC动态涌现！;近日，化合物半导体动态频频，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布，并将于今年年末开始实施。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备，多家......
天科合达完成Pre-IPO轮融资(2023-02-14)
并掌握了制造技术，相继实现2-6英寸SiC衬底产品的规模化供应。
2020年，天科合达开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，目前已突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，并在2022......
中环股份披露硅片生产、功率半导体芯片等项目最新进展(2022-03-16)
股份计划在2021年度实现中环领先内蒙古基地Fab2晶体生长工厂的投产，天津基地8英寸功率半导体产品的进一步扩能，无锡基地8-12英寸二期项目的启动，扩大在该领域的市场份额。
2022年2月新......
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体(2024-06-20)
大SiC产能，这是安森美先前披露的长期资本支出目标的一部分。这项投资基于安森美在当地的现有运营，包括硅晶体生长、硅和碳化硅晶圆制造（抛光和外延）以及硅晶片制造。如今，该工厂年产逾 300 万片晶圆，包括......
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体(2024-06-20)
欧盟实现大幅减少碳排放和环境影响的目标。”
安森美计划在几年内完成高达 20 亿美元（440 亿捷克克朗）的棕地投资，以扩大SiC产能，这是安森美先前披露的长期资本支出目标的一部分。这项投资基于安森美在当地的现有运营，包括硅晶体生长、硅和......
露笑科技合肥碳化硅工厂，已开始设备安装调试(2021-06-02)
设备已经开始安装调试。
2020年8月9日，露笑科技发布公告称，将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长......
共14家！8英寸碳化硅衬底企业进度一览(2023-02-10)
合达在2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，目前已突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，并在2022年11月发布8英寸导电型SiC单晶衬底。天科合达还计划在2023年实现8英寸......
重庆抛光硅片项目产品下线，打破技术壁垒(2016-10-29)
片是集成电路的核心主材。28 日，重庆超硅极大规模集成电路用300 毫米单晶硅晶体生长与抛光硅片项目产品下线，将打破国外少数企业的技术壁垒和垄断格局。重庆市长黄奇帆出席产品下线活动。
集成......
南砂晶圆：补齐广东碳化硅晶片产业链衬底关键一环(2022-12-19)
制定的兼顾半绝缘型和导电型、晶体生长和衬底加工，转为聚焦导电型晶体衬底。
“在十多年积累的基础上，我们集中精力用一年多时间，就实现了6英寸导电型晶体衬底的技术突破。从今年第四季度起，公司已经达到了每月数百片的发货量。南砂......
总投资近100亿元，中环股份集成电路用大直径硅片项目二期启动(2021-05-10)
动项目二期一阶段建设，涉及12英寸产能20万片/月等项目。
图片来源：中环股份
根据财报显示，中环股份今年将会有一系列的动作，包括内蒙古基地Fab2晶体生长工厂的投产，天津基地8英寸......
加速碳化硅研发！晶盛机电预计2023年净利同比最高增长70%(2024-01-19)
线、碳化硅等先进材料业务产能提升；强化供应链管理，打造数字化精益制造工厂；大力开拓国际市场，提升组织管理能力；公司实现经营业绩同比快速增长。
自2017年，晶盛机电开始SiC晶体生长......
晶盛机电：8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产(2023-12-26)
晶片的核心位错达到行业领先水平。
晶盛机电表示，自布局碳化硅衬底业务以来，公司通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列。经过研发团队的技术攻关，公司于2020年建立6-8英寸碳化硅晶体生长及切磨抛产线，于2022年成......
科友半导体拿下超2亿元欧洲SiC长订单(2024-03-21)
设计、科研成果转化的国家级高新技术企业。公司位于哈尔滨新区，总占地面积4.5万平方米，打造产、学、研一体化的半导体产业园区。该公司已实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延......
国际著名半导体公司英飞凌签约国产碳化硅材料供应商(2023-05-03)
极其困难，上世纪90年代只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术，我国起步较晚。为推动SiC晶体国产化，避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”，我们团队从1999年开始，从基......
20亿！广东储能企业跨界化合物半导体(2024-10-11)
项目总投资7亿元，占地100亩，建设半导体化合物晶体生长和加工生产线，二期项目总投资13亿元，占地100亩，建设半导体化合物晶体生长、衬底制造和半导体晶体材料加工等产品生产线。一、二期......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
等也在加紧氧化镓产品的研究和竞争，如美国的空军研究实验室、海军实验室和宇航局；德国的莱布尼茨晶体生长研究所、以及法国圣戈班等都已加入氧化镓材料及器件研发的浪潮中。
中国则是中电研究所、山大、北邮......
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体(2024-06-20 10:46)
元（440 亿捷克克朗）的棕地投资，以扩大SiC产能，这是安森美先前披露的长期资本支出目标的一部分。这项投资基于安森美在当地的现有运营，包括硅晶体生长、硅和碳化硅晶圆制造（抛光和外延）以及......
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体(2024-06-20)
亿美元（440 亿捷克克朗）的棕地投资，以扩大SiC产能，这是安森美先前披露的长期资本支出目标的一部分。这项投资基于安森美在当地的现有运营，包括硅晶体生长、硅和碳化硅晶圆制造（抛光和外延）以及......
SiC迈入8英寸时代，国际大厂量产前夕，国内厂商风口狂追(2024-04-08)
关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，他们将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低8英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长......
碳化硅需求激增，天岳先进、天科合达加快8英寸产能建设(2023-08-25)
合达位于徐州的碳化硅二期扩产项目开工建设，总投资达8.3亿元人民币。该项目投产后，年产能可达16万片碳化硅晶圆。该公司已开发出第五代晶体生长炉，可满足6英寸、8英寸碳化硅制造需求，预计2024年底......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。
“利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京......
SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作(2023-07-05)
持续加大研发力度，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率。
天岳先进通过液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
附近两个原子层面外方向原子偏移的线轮廓
图4 石墨烯辅助外延中的应力驰豫和位错演化机制。石墨烯辅助外延生长和直接外延生长的GaN薄膜的(a) XRD摇摆曲线对比，(b) 刃位错和螺位错密度对比，(c) 应力对比；GaN/石墨......
相关企业
继电器模块：TAC51数码调压模块、MTX/MFX模块、 电容投切专用固态继电器 另外有电力和水工业小型DCS系统、高精度温度控制检测系统、晶体生长和检测设备开发制造、晶体器件的销售等。 对客户承诺：用一
度温度控制检测系统、晶体生长和检测设备开发制造、晶体器件的销售等。 对客户承诺：用一流的质量，一流的服务，让您无后顾之忧。 经营理念：诚信、创新、卓越、高性能、高可靠 我们
;山东晶艺光电器材有限公司;;本公司专业培育高质量、大口径磷酸二氘钾（DKDP或KD*P）电光晶体。晶体生长培育系统工艺新颖，晶体产量稳定，产品质量受到欧、美国家客户好评。KD*P晶体
;上海烁虹晶体科技有限公司;;上海烁虹晶体科技有限公司是一家专业从事卤化物晶体研发生产的公司，公司成立于2006年，公司技术实力雄厚，由有数十年卤化物晶体研究经验的知名专家领衔，倾力开发出来了一套可动态除氧的卤化物晶体生长
;浙江宏业新能源有限公司;;浙江宏业新能源有限公司是晶体生长设备、硅晶体、太阳能组件等产品专业生产加工的私营有限责任公司,公司总部设在浙江省台州市温岭市新河镇机械工业园区,浙江
技术产业园内,毗邻杭州、上海、南京等城市。公司是一家从事光学材料及器件生产的厂家，拥有先进的生产、加工、检验设备和一批经验丰富的技术人员。是浙北地区较大的一家从事铌酸锂、钽酸锂晶体生长、加工
;富阳精密仪器销售部;;富阳精密仪器厂是电桥、电感箱、电位差计、分压箱、电阻箱、电容箱、检流计、传感器、电源、标准电池、石英管微波等离子发生装置、多功能真实实验装置、程控气氛管式炉、程控晶体生长
谐振器、滤波器和振荡器，主要应用于移动通信、卫星、汽车电子及家电等行业。公司座落于北京市中关村科技园区内电子城科技园区内。东京电波株式会社成立于1934年，是日本著名石英晶体元器件厂家之一，在人工水晶生长
光学元器件、激光照射指示器的设计、开发、生产和服务”《质量管理体系认证书》。
2007年，公司被“中华全国工商业联合会科技装备业商会”选为副会长单位
如今的淡宁实业，不仅在关键技术上有了重大突破，而且在大尺寸晶体生长
体先后承担了国家863计划、973计划、国家自然科学基金、天津市重大科技攻关计划、国际合作项目等科研任务，内容涵盖了晶体生长、后处理、加工、检测、应用、器件设计与制作等方面。联合