业界消息显示，天岳先进、天科合达这两家中国企业正在加紧进行8英寸SiC碳化硅晶圆产能建设，近期相关建设项目取得最新进展。

8月，天科合达位于徐州的碳化硅二期扩产项目开工建设，总投资达8.3亿元人民币。该项目投产后，年产能可达16万片碳化硅晶圆。该公司已开发出第五代晶体生长炉，可满足6英寸、8英寸碳化硅制造需求，预计2024年底前可交付小批量8英寸碳化硅基板，2025年第三季度交付量将会稳定。

天岳先进方面，知情人士透露其已开始交付6英寸导电型碳化硅衬底，并增加其上海临港工厂的6英寸产能，预计到2026年产能可达到每年30万片晶圆。该公司与英飞凌合作的第一阶段，将为其提供6英寸碳化硅晶圆，随后会过渡到8英寸晶圆，这会有助于降低成品成本。

天科合达与天岳先进都是英飞凌的供应商。在今年5月初，英飞凌与天岳先进以及天科合达签订了长期供货协议，根据协议天科合达和山东天岳将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸(150mm)碳化硅衬底和晶锭，两家企业的供应量均将占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。未来也将提供200mm直径碳化硅材料，助力英飞凌向200mm直径晶圆的过渡。

英飞凌目标是到2025财年，碳化硅收入超过10亿欧元；到2030年，碳化硅年收入70亿欧元，并占据全球30%的碳化硅半导体市场份额。

目前，英飞凌的碳化硅扩产目标还在继续。其将马来西亚Kulim工厂扩建列为重点投资项目之一——公司计划在当地建设全球最大的8寸碳化硅功率厂，Kulim厂计划投资总额从20亿欧元增至70亿欧元。之所以如此大手笔投资，适是因为早有客户为其买单。英飞凌透露，Kulim工厂的扩建计划已得到施耐德电气约50亿欧元（约合391亿元人民币）的design-win合同与10亿欧元左右（约合78亿元人民币）的预付款。

这些预付款将在未来几年为英飞凌的现金流做出积极贡献，并将最迟于2030年根据商定的销售量全额偿还。

此外，英飞凌还在扩建其位于德国Dresden的半导体工厂，投资额高达50亿欧元；且公司已在奥地利Villach开设了一家新工厂，该厂将转向生产碳化硅。

碳化硅需求激增，Wolfspeed继续加码

受益于风力发电、太阳能和储能领域需求激增，碳化硅需求水涨船高。近日，全球头部硅晶圆厂商环球晶表示，FZ晶圆与碳化硅晶圆持续供不应求，预期今年碳化硅晶圆相关业绩将至少是去年的十倍。安森美也在7月末表示，因汽车行业需求持续强劲，带动碳化硅业务发展，从而抵消其它半导体业务的低迷，预计2023年第三季度公司营收将高于市场预期。

除了英飞凌大步伐扩产外，Wolfspeed也丝毫不松懈。近日，日本车用芯片厂商瑞萨电子宣布与美国半导体制造商Wolfspeed达成晶圆供应协议，根据签订的协议，瑞萨电子向Wolfspeed支付20亿美元保证金，确保Wolfspeed提供10年的碳化硅裸片和外延片供应承诺。

协议要求Wolfspeed在2025年为瑞萨电子提供6英寸（150mm）碳化硅裸晶片和外延晶片，并且协议中预计，在Wolfspeed位于北卡罗来纳州的John Palmour碳化硅制造中心全面投入运营后，将向瑞萨电子供应8英寸（200mm）碳化硅裸晶片和外延晶片。

在合同签订的同日，Wolfspeed官方披露，其8英寸莫霍克谷器件工厂向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET。资料显示，这座位于纽约州的工厂为世界上第一个和最大的8英寸碳化硅晶圆厂。业界消息显示，目前只有Wolfspeed有能力大规模量产8英寸碳化硅衬底。

据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。至2026年SiC功率元件市场产值可望达53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车

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