电力场效应晶体管导通条件

NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...

MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址： 和普通双极型晶体管...

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小...

中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子...

OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平...

金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。 MOSFET...

; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管...

型结构难以设计和实现。常见的增强型设计方案往往会大幅提升器件的开态电阻，导致过高的导通损耗。 针对上述问题，该课题组在原有增强型晶体管设计基础上，引入了同样为宽禁带半导体材料的P型NiO，并与沟槽型结构相结合，成功设计并制备出了氧化镓增强型异质结场效应晶体管...

栅极脉冲为高电平时，场效应晶体管导通， 电流流过电动机。 当栅极脉冲为低电平时， 则截止， 储存在电动机绕组中的电能产生反电动势， 流经续流二极管产生一种电流。 流过电动机的电流大小决定于脉冲宽度， 脉冲...

动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管...

立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管...

尺寸的微型封装中，提供OCP、UVLO、OVP、OTP、每个周期电流限制和PGOOD。 ●   EPC2204是一款100 V的氮化镓场效应晶体管，具有6 mOhm 最大导通电阻、5.7 nC QG...

IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管...

三极管简称普通双极管。 (2)场效应管 场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫绝缘栅双极晶体管...

位操作。 下面的图个乐，没基础的看这玩意就是挥刀自宫 1. P0 1个输出锁存器（D型触发器）2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器）1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成）1个输出控制端（1个与...

驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应...

探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅...

转换领域扩展产品线 新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率...

MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离...

MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对...

址，第二功能：用于系统扩展 P3：常用第二功能 1. P0  1.1 构成 1个输出锁存器（D型触发器） 2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器） 1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成） 1...

EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用...

EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用...

EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用...

）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产...

芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管...

，之后前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最...

前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进...

kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管...

Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管...

与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的...

上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个...

在 10 至 15Ω 之间效果为佳。 03 结语 从电动汽车到通信和工业基础设施，人们对更高电力转换效率和更高功率密度的需求不断增加，这就要求从传统硅结构器件转而使用其他材料器件。综上所述，氮化镓场效应晶体管...

电机电压平衡方程 从公式中可以看出电机转速n和供电电压成正比。所以通过改变电机供电电压可以达到到调速的目的。 在电力电子中可以通过PWM波控制开关管导通与关闭来调制直流电压。并且调制电压满足关系Vout=D...

管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属...

Transphorm发布两款4引脚TO－247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线;新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代...

年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管...

）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日...

Nexperia Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管...

生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia...

安森美斥资1.15亿美元收购Qorvo旗下SiC JFET技术;近日，onsemi（安森美）宣布，已达成一项协议，以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术...

测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的...

®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 1200V 非常适用于主流的 800V 总线...

革新电路保护：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级; 【导读】Qorvo推出了一款750V、4毫欧（mΩ）碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）产品；其采...

EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型...

EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型...

EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型...

EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型...

Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能; 【导读】全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管...

管 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108...