资讯
突破技术壁垒！华东理工自主研发钙钛矿单晶芯片通用生长技术(2024-04-07)
方法仅能以满足高温环境、生长速率慢的方式制备几种毫米级单晶，极大限制了的实际应用。
对于钙钛矿单晶芯片生长所涉及的成核、溶解、传质、反应等多个过程，大学团队结合多重实验论证和理论模拟，揭示了传质过程是决定晶体生长......
光子芯片有最新突破！济南在全球率先研制成功12英寸铌酸锂晶体(2024-05-21)
锂等光电材料、压电材料的研发、生产及销售。通过20年不间断的探索与研究，公司团队已拥有从晶体生长设备的设计、均匀多晶料制备、晶体生长及缺陷控制技术以及晶体后处理技术的全链条自主知识产权，掌握了大尺寸铌酸锂晶体生长......
松瓷机电半导体设备项目投产 预计三年内产值可达13亿元(2021-09-22)
设备的专业技术开发，自行研发产品核心技术，与业内知名机构成立了晶体生长热场模拟试验课题。
奥特维于2020年5月在科创板上市，主要从事高端智能装备的研发、设计生产和销售，产品主要应用于晶体......
与三安光电/上海新昇等合作，又一家半导体设备企业闯关科创板(2022-04-29)
27日，南京晶升装备股份有限公司（以下简称“晶升装备”）科创板IPO申请获得上交所受理。
资料显示，晶升装备成立于2012年，是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产......
南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体(2023-03-10)
代半导体产业技术战略联盟消息显示，报告指出，当前8英寸4H-SiC晶体制备难点主要涉及高质量8英寸4H-SiC籽晶制备；大尺寸温度场不均匀和成核过程控制；大尺寸晶体生长体系下气相物质组分输运效率和演变规律；大尺寸热应力增大导致的晶体......
同济大学物理科学与工程学院晶体产业（无锡）研发中心揭牌(2023-12-29)
发中心由同济大学徐军教授领衔国家级创新技术团队、世界领先的半导体单晶生长和加工装备制造上市公司连城数控、半导体晶体材料衬底片加工龙头公司青岛嘉星共同创建。
该研发中心将开展导膜法氧化镓晶体生长......
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料(2022-03-08)
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料;近日，晶盛机电技术研发再次突破，成功研发出全自动金刚石生长炉。
01、金刚石晶体生长炉成功研制，晶体生长......
半导体设备厂商晶升装备成功登陆科创板(2023-04-24)
半导体设备厂商晶升装备成功登陆科创板;4月24日，南京晶升装备股份有限公司成功在上海证券交易所科创板挂牌上市。本次募集资金后，晶升股份将继续致力于晶体生长设备的研发生产，加快半导体级晶体生长......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！(2023-03-08)
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！;今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功......
SiC赛道火热，比亚迪、意法半导体等传来新动态(2022-06-22)
全部达产后，最终形成年产碳化硅衬底近10万片，高纯半绝缘晶体1000公斤的产能；PVT-SiC晶体生长成套设备年产销200台套。据悉，科友半导体产学研聚集区项目一期预计将在今年8月份正式投产。
耗资......
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”(2024-03-29)
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”;近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长......
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定(2024-06-12)
通过技术鉴定评审。
鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。
资料显示，优晶科技成立于2010年12月......
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展(2024-03-22 15:23)
再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理......
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-03)
关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长......
新研究显示锂金属电池可在一小时内完成充电(2023-02-13)
。诀窍在于使用锂本不“喜欢”的晶体生长表面。令电池研究人员感兴趣的是，“这些种子晶体生长出均匀致密的锂金属层”，可以减少枝晶。在电池负极上形成的枝晶，是影......
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定(2024-06-12)
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定;6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“”）宣布电阻法获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。本文引用地址：鉴定委员会认为，电阻法晶体生长......
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-08)
缺陷密度控制有着丰富的研究经验，在相关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
签约现场合影
通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体......
碳化硅相关技术实现新突破(2024-08-22)
对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的保护，增加浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度，最终优化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件拥有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿命。
北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
天眼......
国内第四代半导体技术迎新进展(2025-01-10 13:12:42)
氧化镓领域取得了一定成果。
1月9日，镓仁半导体宣布公司在氧化镓晶体生长......
中国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验(2025-01-23)
中国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验;据科技日报报道，从中国科学院空间应用工程与技术中心获悉，利用中国空间站高温材料科学实验柜，我国科研人员完成铟硒半导体晶体生长实验，获得完整晶体......
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体(2022-09-02)
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体;近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，目前公司已成功生长出8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm(2024-05-31)
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸......
晶盛机电：获60.83亿元单晶炉订单 向下游CVD设备启航(2021-09-02)
大单将会对公司业绩产生积极影响。
签订60.83亿元单晶炉订单
8月31日晚，晶盛机电发布公告称，公司于2021年8月31日与宁夏中环签订《全自动晶体生长炉采购合同》，公司向宁夏中环销售全自动晶体生长炉设备，合同金额60.83......
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破(2023-05-15)
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破;5月12日，科友半导体宣布，公司自主研发出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉，完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发，形成......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满......
晶盛机电首台12英寸硬轴直拉炉成功生长出硅单晶(2021-07-22)
硬轴炉的研发试制经验以及巩固原有技术的基础。经过近一年的持续攻关，终得以解决硬轴单晶炉高真空、高精度及传动过程震动消除等诸多技术难题，实现了高稳定性晶体生长环境，并为12英寸硅单晶体......
中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术突破(2024-12-03)
轻掺BCD硅片产品，先进的COP Free及BMD控制晶体生长技术，以及高平坦度、洁净度的产品加工平台，使得产品具备优异的性能表现，未来将持续供应。
资料显示，BCD是功率集成电路的关键技术，结合模拟......
总投资20亿元，华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目落地(2024-10-09)
亿元，占地100亩，建设半导体化合物晶体生长和加工生产线，二期项目总投资13亿元，占地100亩，建设半导体化合物晶体生长、衬底制造和半导体晶体材料加工等产品生产线。一、二期项目全部投产后可实现年产值20......
建筑面积约1.4万平方米。项目致力于打造一个引领发展、彰显特色的中国总部；一个技术、资金、创新资源集聚的中国市场总部。
汉虹二期建设工程项目，将为碳化硅晶体生长及切磨抛设备的制造、车载......
COMSOL全新发布COMSOL Multiphysics® 6.1版本(2022-11-04)
步加强了软件仿真分析的底层能力。”
流体和力学仿真
COMSOL® 6.1 版本为流体流动和力学仿真相关产品带来重要的性能提升。CFD模块现在可以通过分离涡（DES）湍流模型对湍流进行高保真模拟。这种方法的计算精度与大涡模拟......
硬件工程师技能提升：深入理解无源器件——从滤波器到天线的设计与应用(2024-10-10 15:31:18)
的设计与仿真。
软件支持空间滤波、场极化、磁场模拟及周期性结构分析等功能，为电磁和光子学问题提供直接的时空解决方案。
为了满足广大科研人员对机器学习与光子学设计/电磁学/COMSOL/FDTD......
晶盛机电：受疫情影响，上虞厂区临时停产(2021-12-13)
美晶新材料有限公司，涉及公司晶体生长设备、部分晶体加工设备、部分蓝宝石材料以及辅材耗材零部件等业务。
公司晶体生长设备、晶体加工设备产品属于大型专用设备，公司设备产品发往客户后，在客......
从基础到应用碳化硅晶体研制获突破(2023-01-29 10:07)
龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。通过多年不懈攻关，科研团队通过气相法将碳化硅晶体直径从小于10毫米不断增大到2......
晶升装备拟1亿元投资南京晶升浦口半导体晶体生长设备生产及实验项目(2023-05-17)
晶升装备拟1亿元投资南京晶升浦口半导体晶体生长设备生产及实验项目;5月15日，晶升装备发布公告称，公司拟与南京浦口经济开发区管理委员会签署《项目投资协议》及其他相关补充协议（以下合称“投资协议”或......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
氧化镓晶圆衬底技术突破，并且将进行多次重复性实验，从很大程度上解决了氧化镓晶体生长的相关技术难题。”北京铭镓半导体有限公司成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延......
COMSOL全新发布COMSOL Multiphysics 6．1版本(2022-11-04 15:28)
中新增了用于快速布置电机绕组和磁铁阵列的功能，这将使电机的设计和分析过程更加流畅。
电机的电磁模拟。COMSOL®6.1版本的新功能使分析电机的工作流程更快速且更准确。
更多亮点• 在模型管理器中对报告和CAD......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
过抛光这样得到了我们生产器件需要的晶圆衬底。图一是一个长晶炉的示意图和实物照片。
图一长晶炉示意图和实物
这里面涉及到了两个关键的步骤，晶体生长，晶锭切割和抛光。图二......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量(2024-07-08 15:02)
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量;SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电......
山西华芯半导体产业基地项目（二期）预计2023年底全面建成投产(2023-03-28)
、大尺寸磷化铟晶体生长加工、军工大尺寸透明装甲单晶生产研发、氧化镓晶体研发、生长及晶体加工项目，实现中高端半导体化合物材料全覆盖。
封面图片来源：拍信网......
5家半导体厂商公布业绩预告(2024-07-13)
盈利能力得到提升。
目前，晶升股份8英寸SiC长晶设备已实现批量出货，其中包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型SiC晶体生长及衬底制备。
得益于在晶体生长......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
过抛光这样得到了我们生产器件需要的晶圆衬底。图一是一个长晶炉的示意图和实物照片。
图一 长晶炉示意图和实物
这里面涉及到了两个关键的步骤，晶体生长，晶锭切割和抛光。图二则是我们从碳化硅粉到衬底的生产流程简图
图二 碳化......
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产(2023-09-19 11:30)
全球主要国家和地区。其中，在半导体工艺装备领域，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导体照明、微机电系统、新型显示、新能......
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产(2023-09-18)
服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。
其中，在半导体工艺装备领域，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导......
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆(2025-01-10)
。双方在上述六方氮化镓晶体的生长过程中使用了多点籽晶法和Na助熔剂工艺。
其中，多点籽晶法是一种将许多小型氮化镓籽晶预先分布在大型蓝宝石衬底上，并在晶体生长过程中使生长的晶体......
良率超 50%，全球第三大硅晶圆厂环球晶明年试产 8 英寸 SiC(2023-10-27)
兰表示客户都希望环球晶圆教书从 6 英寸到 8 英寸 SiC 量产的过渡，主要客户来自汽车领域。
环球晶圆设计并开发了专门的碳化硅晶体生长炉（Crystal Growth Furnace），增强了材料质量控制并降低了晶体生长......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所所长刘开辉认为，这一成果标志着我国在新型二维晶体研究领域取得了重要进展，为我国在集成电子和光子芯片领域的创新发展提供了有力支持。
“这是一种颠覆传统晶体生长方式的晶体......
上海超硅拟科创板IPO 已启动上市辅导(2021-06-21)
国大陆领先的工业化生产大尺寸硅片的企业。
据辅导备案情况报告介绍，上海超硅目前拥有先进的300mm硅片全自动智能化生产线，并通过自主研发掌握了大尺寸单晶硅晶体生长技术。此外，该公司的核心设备晶体生长......
COMSOL中国：多物理场仿真在半导体行业中的应用(2022-11-10)
力学等；以及晶体管里的载流子漂移-扩散方程、薛定谔方程等。这些性能都可以通过仿真来分析。
举个例子，一家日本公司，模拟用微波等离子体源去做镀膜，通过仿真来分析里面的压强、气体配比、不同......
晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销(2023-12-20)
自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸SiC晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸SiC晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸......
相关企业
、SR92、SR93、SR94、SR23，程序调节器MR13（三 回路）、FP93、FP23（单双回路）等。适用在半导体制造，各种工业电炉、真空炉，塑料加工设备等行业广泛应用。晶体生长设备：晶体生长
;山东晶艺光电器材有限公司;;本公司专业培育高质量、大口径磷酸二氘钾（DKDP或KD*P）电光晶体。晶体生长培育系统工艺新颖，晶体产量稳定，产品质量受到欧、美国家客户好评。KD*P晶体
路）、FP93、FP23（单双回路）温控仪 岛通SHIMAX温控仪表：MAC3系列，MAC50系列等 相调压调功器：TAC16P、TAC03i、TAC60i、TAC35P 晶体生长设备：晶体生长
;上海烁虹晶体科技有限公司;;上海烁虹晶体科技有限公司是一家专业从事卤化物晶体研发生产的公司，公司成立于2006年，公司技术实力雄厚，由有数十年卤化物晶体研究经验的知名专家领衔，倾力开发出来了一套可动态除氧的卤化物晶体生长
;浙江宏业新能源有限公司;;浙江宏业新能源有限公司是晶体生长设备、硅晶体、太阳能组件等产品专业生产加工的私营有限责任公司,公司总部设在浙江省台州市温岭市新河镇机械工业园区,浙江
技术产业园内,毗邻杭州、上海、南京等城市。公司是一家从事光学材料及器件生产的厂家，拥有先进的生产、加工、检验设备和一批经验丰富的技术人员。是浙北地区较大的一家从事铌酸锂、钽酸锂晶体生长、加工
;富阳精密仪器销售部;;富阳精密仪器厂是电桥、电感箱、电位差计、分压箱、电阻箱、电容箱、检流计、传感器、电源、标准电池、石英管微波等离子发生装置、多功能真实实验装置、程控气氛管式炉、程控晶体生长
谐振器、滤波器和振荡器，主要应用于移动通信、卫星、汽车电子及家电等行业。公司座落于北京市中关村科技园区内电子城科技园区内。东京电波株式会社成立于1934年，是日本著名石英晶体元器件厂家之一，在人工水晶生长
体先后承担了国家863计划、973计划、国家自然科学基金、天津市重大科技攻关计划、国际合作项目等科研任务，内容涵盖了晶体生长、后处理、加工、检测、应用、器件设计与制作等方面。联合
材料及测试仪器的研究开发和生产基地。目前我所利用半导体材料生产的配套技术及晶体生长技术，建立了测试技术开发中心、半导体技术开发中心、光电晶体研究开发中心、压电晶体研究开发中心、洁净技术中心和生物科技开发中心等，下属