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,百川街西,南荡田巷北,总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产,预期项目建成后,将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。 据苏......
材料领军企业,申请专利近400项,授权近百项。2014年率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片;2021年9月,晶湛半导体全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片。 此前消息显示,晶湛......
年产能24万片,苏州一氮化镓外延片材料项目开工在即;近日,苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。 △Source:苏州......
半导体拟在苏州工业园区自建厂房和办公楼,进行半导体材料—氮化镓外延片的产业化生产,预计年产氮化镓外延片24万片,其中,6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片,用于......
生产线正式建成并投入使用。 据介绍,中科重仪生产的氮化镓外延片氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹,翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下,方块电阻为465Ω/sq,二维电子气(2DEG)浓度约8×1013cm-2......
年产新增1万片氮化镓外延片,晶湛半导体项目获新进展;7月29日,苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。 根据公示,晶湛......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区;近日,据赣州经济技术开发区招商引资消息,8月17日上午,赣州经开区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式,此次签约共有6个项......
来源:温州网 报道显示,本次青科基金所投资的项目中,芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。其中,芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术,目前......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁......
Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同;ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制;标志......
半导体全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片,赢得了业内广泛关注。 据透露,截至目前,该公司在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术,拥有完全独立的自主知识产权,公司已在国内外累计申请近400项专......
筑面积51302.28平方米,其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。 2022年12月中旬,氮化镓......
、SOT-23系列、SOD系列)和精密电子元器件生产的工厂。 近期,氮化镓产线建设热度不减,8月18日,WaveLoad对外宣布,其计划明年年初量产氮化镓外延片。 WaveLoad已在......
福州新区两个GaN项目签约;近日,福州新区集中签约38个重点项目,总投资超220亿元,其中2个项目涉及氮化镓,包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示,芯睿半导体氮化镓......
源汽车市场大有可为 资料显示,百识电子成立于2019年8月,专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片,包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC,针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓外延......
首条8英寸GaN中试线启动,香港三代半产业“跑步”前进;为共同推动香港微电子产业发展,香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片......
/8英寸碳化硅基氮化镓外延片、4/6英寸蓝宝石基氮化镓外延片等通用规格及客制化规格,公司在HEMT结构的外延技术可提供D-mode和E-mode两种工艺,同时......
公司(以下简称麻省光子技术)联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。 仪式上,专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布,该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延......
(香港)有限公司(以下简称麻省光子技术)联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。 仪式上,专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布,该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延......
网络高功率射频应用。 资料显示,SweGaN新工厂位于瑞典林雪平,于2023年3月动工建设,可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示,旗下新工厂开始出货标志着公司从一家无晶圆厂设计厂商,正式......
光子晶体透明显示芯片、深圳氮化镓外延片等项目。其中,北京中科芯电分子束外延片项目,团队由中国科学院半导体研究所博导曾一平领衔,成员多为国内半导体材料行业尖端人才。项目总投资5亿元,其中设备投资约4.8亿元,将建设砷化镓分子束外延片......
氮化镓外延片是一种复合(Al,In,Ga)N多层结构,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在硅或碳化硅衬底上外延生长。所得到的GaN/Si和GaN/SiC外延片被用于制造电子器件,与现有技术......
项目正式开工建设,该项目占地125亩,总投资15亿元,其中一期投资3亿元;去年5月,项目一期正式建成,预计增加10条氮化镓外延生产线,实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。 博康......
,百思特达氮化镓项目正式开工建设,该项目占地125亩,总投资15亿元,其中一期投资3亿元;去年5月,项目一期正式建成,预计增加10条氮化镓外延生产线,实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓......
网络高功率射频应用。 资料显示,SweGaN新工厂位于瑞典林雪平,于2023年3月动工建设,可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示,旗下......
成本占整个流片成本的一半,未来公司将开发自有的氮化镓外延片来控制芯片成本,同时优化外延良率,形成公司核心技术。同时公司也会不断优化器件结构和工艺设计来提升产品的性能,并降低器件成本。另外在应用层面,公司产品丰富,可利......
,2013年建立了国内首条氮化镓研发中试线后,江苏能华微电子迅速实现产品研发、生产和迭代,运行两年即成功研制和生产出了基于硅基、蓝宝石基以及碳化硅基的氮化镓外延片。 到2020年,江苏能华微电子所研发的氮化镓......
。 资料显示,百识电子成立于2019年8月,专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片,包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC,针对高压、高功......
功率器件和硅基芯片一样,制造环节主要包括设计和外延片生长、芯片制造和封装测试。 表 2 氮化镓功率器件一般制造环节 1、设计阶段 氮化镓一般通过TCAD(计算机辅助设计技术)仿真,对结......
底(Substrate)是产业链的源头。从制备难度上看,不同于Si和SiC芯片,GaN的外延片通常用的是异质衬底,蓝宝石、碳化硅、硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。相对于常规半导体材料,GaN单晶......
共建和产业化应用等方面开展的全方位多层次战略合作。 据官微介绍,中试线建设分为两期,其中,一期是通过设备工艺改造和升级,初步建成氮化镓外延片中试线。二期......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日,西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一......
建成达产后,预计年生产BGA、LGA系列集成电路13亿只。 晶湛半导体总部大楼封顶,聚焦氮化镓外延片研发生产 据苏州晶湛半导体有限公司公众号消息,11月5日,苏州......
英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的公司,产业规模及工艺技术达国际先进水平。 本次展会上,国盛电子则展示了其8英寸Si和氮化镓外延片,去年12月22日,国盛电子南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓......
单晶;此外,今年3月媒体报道,西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展,该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;今年2月......
略投资签署仪式在睿悦控股集团会议室举行。 此次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人,对晶旭半导体战略投资亿元人民币,助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。 资料显示,福建......
国成功研发和应用新型晶体设备和工艺 南京百识 主要生产6''碳化硅外延片、6''8''硅基氮化镓外延片以及4''6''GaN/SiC碳化硅基氮化镓外延片 江苏能华 是一......
突破!西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~; 据业内消息,本周西安一高校半导体研究团队宣布在半导体材料研究上取得突破! 该研究成功在 8 英寸硅片中制备出高质量的氧化镓外延片......
担上级研发项目10项,完成4款电路芯片设计,在氮化镓单晶、氮化镓外延片等方面取得重要突破,部分指标国际领先,累计申请专利260多件;组建省人才攻关联合体,集聚以院士为引领的40多位高层次领军人才,核心......
功开发出高质量2英寸(50.8毫米)氧化镓外延片,并于2019年初开始生产销售。但由于成本不相匹配而没有功率器件的量产线,该晶圆的用途仅限于研发。这次,该公司成功开发高品质β型氧化镓100mm外延片,这使......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工!;氧化镓凭借其性能与成本优势,有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料,近年来热度不断上涨,频频传出各类利好消息。 9月12日,据杭......
体报道西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展,该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。 2月,中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6......
电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。 2月,中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺......
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产;实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点宏光半导体有限公司(「宏光半导体」,连同其附属公司统称「集团」;股份代号:6908.HK)欣然宣布,集团......
将VisIC Technologies的创新型功率电子器件(Power Electronics)解决方案与IQE的外延技术相结合,双方合作旨在加快电动汽车中硅上氮化镓技术(GaN-on-Silicon......
目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。 图片来源:苏州......
,睿悦投资对晶旭半导体战略投资亿元人民币,助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。资料显示,福建晶旭半导体是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片(BAW)全链条核心技术、以......
在大功率和高频率应用中具有优势,且导通电阻更低,损耗更小。 目前,中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中,厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长技术......
这家氮化镓相关厂商或将赴港上市;近日,据《路透社》旗下IFR报道,英诺赛科正计划最早于今年内,在香港进行IPO,融资规模约3亿美元。 据悉,英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术......
但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2825909001、3818009002、3825690002)。 4.磷化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片等形态)(参考......

相关企业

照明等 , 华磊光电之Green LEDs ,已符合各种应用之需求。此外华磊光电将Green LEDs相关产品与应用端接轨,与应用厂商协力开发更多的 LED 应用产品。 3.华磊光电积极以产学合作模式开发高质量氮化镓外延片
;中电上海蓝光科技有限公司;;上海蓝光科技有限公司是彩虹集团公司控股的二级子公司。成立于2000年4月,是国内首家从事氮化镓基LED外延片、芯片研发和产业化生产的企业,是国家“863”计划
能光滑表面缺陷分析仪;        5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件; 6、半导体材料,氮化镓外延片、裸片,二维半导体材料等;
生产及芯片封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓氮化镓
高级工程师8人,中级职称31人。拥有全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线。拥有具有自主知识产权外延片、片式LED器件的生产技术
;大连美明外延片科技有限公司;;
;天津中环新光科技有限公司;;中环新光科技有限公司是由中环电子信息集团有限公司投资的以生产红光LED外延片、芯片为主的外延片生产企业。注册资金3000万,现有员工30人,全部是大专以上学历。其中
;山东华光光电子驻深圳办事处;;公司始建于1999年,是国内生产四元LED外延片及芯片最早的科研基地和厂家。
;新东方科技商贸行;;本公司有一手货源技术含量高批发零售各种原装日本二手传真机<热敏纸.普通纸.喷墨>打印机.复印机.一体机.可翻新可发货.有保修
;嵊州市俊龙化工设备有限公司;;是一家国内知名的专业研究制造各类特种超微粉碎设备、规模大、新产品多、技术含量高的集开发、研究、制造于一体的高新技术企业.