资讯
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应用广泛，MOSFET一般称。
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
MOS管符号
图1-5-B P沟道MOS管电压极性及衬底连接
5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性
1. 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器）和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同，这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
及其他众多半导体产品需求的持续增长。
e络盟现供应的部分新款场效应管包括：
TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
包括：
•TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如的、通信......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。
两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
构成的防接反电路
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
构成的防接反电路：
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出。应用......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
包括：• TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如数据中心的开关电源、通信......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
络盟现供应的部分新款场效应管包括：
TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如数......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
强说起当初入局半导体江湖，激情犹在，目光依然坚定。
发展：扎实基础，维护拓展市场
萨科微的碳化硅场效应管刚销售的时候，产品型号只有8个，包括4个型号碳化硅MOS管和4个型号的碳化硅二极管，应用......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢？
MOS管，又称为绝缘栅场效应管......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
华强北宋仕强：山寨手机后，TWS蓝牙耳机会造就华强北新亿万富翁群吗？(2022-06-09)
，萨科微SLKOR（www.slkormicro.com）的MOS场效应管SL2301S、SL2302S，slkor的三极管SL3904,还有萨科微的霍尔元件hull也在两年前和很多的tws方案......
华强北宋仕强：华强北假货初探(2022-06-09)
（www.slkormicro.com）的MOS场效应管SL2301S、SL2302S，slkor的三极管SL3904,还有萨科微的霍尔元件hull也在两年前和很多的tws方案公司在配合设计导入了。
在tws蓝牙......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
内部上拉电阻，P1口被钳在0电平上，1无法送入P1口。所以与P0口一样，在数据输入P1口之前，先要通过内部总线向锁存器写1，让非Q=0，场效应管截止，P1口输入的1就可以送到输入三态缓冲器的输入端，此时......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
导通，通过P1口的内部上拉电阻，P1口被钳在0电平上，1无法送入P1口。所以与P0口一样，在数据输入P1口之前，先要通过内部总线向锁存器写1，让非Q=0，场效应管截止，P1口输入的1就可......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
他任何开路输出的比较器代替运放，因为开路输出的高电平状态输出阻抗在1千欧以上，压降较大，后面一级的三极管将无法截止2. 栅极驱动部分：后面三极管和电阻，稳压管组成的电路进一步放大信号，驱动场效应管的栅极并利用场效应管......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
的说，一般小电流开关电路可以适用三极管，大电流开关电路使用场效应管，这里就不在列举实例了。
和三极管一样，其开关并不是绝对的，虽然说，在一定的工作电压下，场效应管就处于开关状态。但它......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
了常见的直流I-V测试和用于进行测量的仪器，并解释了测量注意事项以达到理想测量结果。
一、生物场效应管/BioFET感器
生物晶体管传感器包含一个晶体管和一个生物敏感层，用于检测类似于生物分子等生物成分。图2......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
通过验证的深圳研究中心，主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等。
目前，美浦森半导体的产品包括中大功率场效应管（低压到高压全系列产品，Trench MOS/SGT MOS/Super......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
几种尺寸结构，产品有小功率管、大功率管、场效应管和高频管几个系列；其中SOT-23是通用的SMT晶体管，SOT-23有3条翼形引脚，外形与内部结构如图4所示......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1......
驱动氮化镓（GaN）场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的100W车内空调循环扇方案(2024-05-14)
案采用NCD83591智能驱动芯片搭配双N-MOS FDS3890场效应管组成的功率级，额定电源输入为12VDC~40VDC，最大驱动功率为200W。
其中，NCD83591是一款高性能的三相60V栅极......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
美浦森宣布完成近亿元A轮融资，资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
，是一家专业功率半导体元器件设计公司，是国内最早开始硅/碳化硅产品系列研发及销售的公司。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
蓝箭电子创业板IPO获受理 募资6亿元投建半导体封测项目(2021-12-02)
体封装测试生产线扩产建设项目拟投资购买先进生产、检测设备等，打造全新的自动化生产线，进一步完善 DFN 系列、SOT系列等封装技术，开展如功率场效应管、功率 IC 等具有高技术附加值半导体产品的生产。
据悉，半导......
相关企业
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
;结型场效应管 邱卓晓;;深圳市科俊达电子有限公司位于深圳市福田区中航路国利大厦2716室，深圳市科俊达电子有限公司是一家集成电路（IC)场效应管(模块)、二极管一
;深圳市福田区新亚洲电子市场诚信沅电子商行;;本公司主要经营三极管等。公司秉承"顾客至上，锐意进取"的经营理念，坚持"客户第一"的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！ MOS、FET场效应管
;邱卓晓;;深圳市科俊达电子有限公司位于深圳市福田区中航路国利大厦2716室，深圳市科俊达电子有限公司是一家集成电路（IC)场效应管(模块)、二极管一系列等产品的经销批发的私营独资企业。深圳
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等，尤其在三极管、场效应管和可控硅
与二三极管的供应商，公司致力于为国内外客户提供性价比优良的场效应管与二三极管一站式服务。为客户节约采购时间，控制采购成本，提升产品竞争力。欢迎惠顾！
：SOP-8 四 DIP、SMD、 〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管〉、 封装： SOD-523、SOT-523、《SOT-323-4、5、6
;吴经理;;客我共赢：MOS场效应管、二、三极管、可控硅、电感、电容、电阻、IC等
;深圳市台新微电子有限公司;;订货全系列三极管、MOS场效应管、可控硅、肖特基、快恢复 TO-252 TO-220 TO-263 SOT223
;闪亮科技香港发展有限公司;;我们公司主要经营英飞凌IKW IGBT 场效应管和microchip PIC 单片机，提供现货供应和订货服务