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法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。 此外，杭州晶驰机电科技有限公司10月初宣布，公司完成数千万首轮融资，由河......
机电主要产品有六英寸和八英寸碳化硅外延设备（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。其在第三代、第四......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶;奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图......
高温度下保持开和关等特定电状态。其独特晶体结构也使原子间的键更稳定和牢固，不仅耐热，而且非常耐用。存储设备的设计和性能也可在不同电状态间快速切换，这对于高速数据读写至关重要。 该存储设备由金属—绝缘......
钪（AlScN）研制而成。AlScN具有存储优势，因为它能在去除外部电场后，在更高温度下保持开和关等特定电状态。其独特晶体结构也使原子间的键更稳定和牢固，不仅耐热，而且非常耐用。存储......
组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。 近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝......
2023年的4.7倍。 尽管功率半导体市场尚未兴起，但金刚石晶圆、氮化铝晶圆、二氧化锗晶圆等下一代技术正在开发中，其实......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝......
从晶种到基板的大规模生产。 信越化学公司正在努力利用内部开发的方法制造更大的基板，在氮化铝而不是氮化镓制成的基板上生长氮化镓晶体。 一些人认为，氮化......
推出了这种设计，他们的研究成果也已发表在了《自然纳米技术》杂志上。 据悉，这种全新的晶体管在铁电材料氮化铝钪（AlScN）上覆盖了一种叫做二硫化钼（MoS2）的二维半导体，首次......
泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键;泛林集团如何助力触觉技术的实现 在掺钪氮化铝......
序数为 31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六方形，通过两个晶格常数（图中......
-P，2228.HK）凭借卓越能力，从全球 28 个参赛队伍中脱颖而出，成为表现最出色的两个团队之一[1]。晶体结构预测是一类重要的物质结构预测技术，在有机材料研发领域的关键性，可媲美在大分子领域今年斩获诺奖的蛋白质结构......
营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。 封面图片来源：拍信网......
a-Physical，1996） PZT替代物 掺钪氮化铝 (ScAlN) 是很有前景的PZT替代物，而且不需要引入铅的使用。由于掺钪氮化铝具有较高的击穿电压，因此......
层进行生长，不断形成新的晶体层。这和自然界中很多植物的生长方式类似，就像‘顶蘑菇’一样。 这种“顶蘑菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构......
东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产;据东台日报报道，10月13日，东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产。海古德东台项目核心产品氮化铝、氮化硅是国家强基工程关键领域的基础材料，项目......
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化......
石墨烯可以以一种可以打开和关闭的方式表现出铁磁特性。当石墨烯片层叠在两片氮化硼之间，使得石墨烯的晶体结构与氮化硼层之一对齐时，就会发生这种情况。这种排列类似于奶酪三明治，其中......
与锂反应随后用热水处理清除锂并再生吸附剂时，结果导致氢氧化铝结构发生变化，从无定型转化为名为三羟铝石的晶体。 “三羟铝石活性较小”，库马尔称。“要发生反应，要么时间长达18个小时，要个......
Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升。通常，铜线......
镓是由镓（原子序数31）和氮（原子序数7）结合而来的化合物，是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。这里的禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量。而氮化镓的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多......
我国科学家开发出新型芯片绝缘材料“人造蓝宝石”; 8月8日消息， 作为组成的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝......
革命性医疗成像 imec用非侵入超音波监测心脏;比利时微电子研究中心（）的研究人员，推出为成像应用所开发的创新第二代压电式微机械换能器（PMUT）数组。该数组具备一层氮化铝钪（AlScN）压电......
粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片，年可实现开票10亿元。 据悉，无锡海古德是一家集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。其核心产品高性能氮化铝......
“重组”材料实现物理性质“混搭”，具有手性结构的新型超导体制成;日本东京都立大学研究人员通过混合两种材料，创造了一种具有手性晶体结构的新型超导体。新的铂—铱—锆化合物在2.2K温度......
长Ⅲ族氮化物外延层及器件结构的理想衬底，其优点包括：与GaN有很小的晶格失配和热膨胀系数失配；化学性质相容；晶体结构相同，不出现层错层；同样有极化表面；由于有很高的稳定性并且没有其它元素存在，很少......
都是使电源模块能够有效处理和分配高压的关键属性。电动汽车能够处理高达800V或更高的电压。陶瓷衬底通常由氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)制成，具有高导热性和介电强度。它们充当功率半导体芯片和衬底之间的电隔离层，促进......
距离检测和手势识别等功能。 茂丞超声SC801与其它方案的对比 茂丞超声致力于第三代半导体材料-氮化铝，实现......
的超宽禁带半导体材料，以氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）和金刚石为代表。 二代半本身禁带宽度与硅相近，但电子迁移率更高，所以一般用在高频的射频应用中；三代半和四代半的禁带宽度更宽，用更......
提高栅极氧化物的性能，但这种效果不能在任何材料中达成。所以，创造负电容效应需要仔细操纵一种叫做铁电性的材料特性，当一种材料表现出自发的电场时就会出现这种情况。以前，这种效果只在过氧化物的铁电材料中实现，但过氧化物的晶体结构......
机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，致力于碳化硅、金刚石、氮化铝、氧化镓等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。......
。 氧化铝（Al?O?）是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，常用于制作耐火材料。宝石晶体凡人应用、 红外......
电子则是国内规模最大、产量最高的氮化铝陶瓷基板企业，获北汽和上汽战略投资，2021 年底再成功融资 1.8 亿元，融资资金主要用于氮化铝陶瓷基板扩产、陶瓷金属化产品生产线建设。 富乐华半导体、德汇......
贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。 今天推出的电阻所使用的氮化铝......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解;IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 “氮化铝（凭借其具有大面积的焊接端子）可为TT Electronics公司的HPDC系列产品提供迄今为止最高的功率密度。借助这款产品，我们......
、氮化铝、氧化锌、氮化硼等无机粉体，然而这些粉体与硅油的相容性差，部分产品还存在易水解，难以高填充等问题，无法制备性能优异的高导热界面材料。 电动汽车热管理中，导热凝胶、 导热硅脂、导热......
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。 “利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？;氮化镓（GaN）是一种宽带隙。由于具有更高的击穿强度、更快的开关、更高的热导率和更低的导通电阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。氮化镓晶体......
每一个die贴片到DBC上。DBC是覆铜陶瓷基板，中间是陶瓷，双面覆铜，DBC类似PCB起到导电和电气隔离等作用，常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）； 真空焊接，贴片......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究;本文引用地址：0   引言 在电力电子的应用中，大功率电力电子器件是实现能源控制与转换的核心，广泛应用于高速铁路、智能电网、电动......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结结构......
显了电源解决方案面临的一项重大设计挑战，即通过利用更快的电源开关，特别是使用氮化镓(GaN)、碳化硅等宽带隙(WBG) 化学物质来跟上摩尔定律和 MEMS 的步伐（SiC）、砷化镓（GaAs）或氮化铝（AlN）[6]。图 2......
度加工。 公开资料显示，氮化硅、氮化铝陶瓷作为半导体行业中不可或缺的关键材料，广泛应用于晶圆的氧化、刻蚀、离子注入等多种工艺制程中。然而，由于其极高的制造门槛和复杂的结构特性，这些......
扑数不同的区域组成的边界处，能支持能谷相关的方向性传播的边界态模式，即光子能谷霍尔效应。具有不同亚晶格能量的周期排布的六角光子晶体结构可实现这样的能谷光子拓扑绝缘体，从而......
造出中红外超级反射镜，研究团队结合传统薄膜涂层技术与新型半导体材料和方法，开发出一种新涂层工艺。为此，他们先研制出直径为25毫米的硅基板，然后让高反射半导体晶体结构在10厘米的砷化镓晶片上生长，接着......
管入选2022年国内十大科技新闻。 △亚1纳米栅长晶体管结构示意图 人类又向摩尔定律的极限发起挑战。这一次，中国人扮演了探索者的角色。清华大学集成电路学院团队首次制备出亚1纳米栅极长度的晶体......
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线;据渭滨宣传消息，近日，姜谭经开区电子新材料产业园项目研发大楼主体结构封顶，标志着项目进入二次结构、装饰装修阶段。 电子......
未来的功率半导体材料向前兼容。在过去20年中，基本功率半导体结构的创新有限，硅功率器件的性能已经趋于稳定。 进一步提高性能的尝试集中在材料方面，而不是扩大硅的极限。 通过原子级的科学研究和工程设计，iDEAL......

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