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内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌(2024-02-22)
，成为真正的通用型内存。
FeRAM 铁电随机存取内存
铁电随机存取内存，类似于 SDRAM，是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得......
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?;相当于我们的大脑的存储单元，能够保存我们的电子数据。为增进大家对的认识，本文将对随机存取、和存储器的区别予以介绍。如果你对存储器具有兴趣，不妨......
mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
：PC里面的BIOS。
RAM(Random Access Memory) ：随机访问存储器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机......
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？(2024-08-23)
日。
图片来源：国家知识产权网
专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和第二SRAM单元的双端口静态随机存取存储......
单片机的存储器(2024-04-10)
，包括MCS-51和80C51系列的单片机均采用程序存储器和数据存储器截然分开的哈佛结构。
① 数据存储器（RAM）
在单片机中，用随机存取的存储器（RAM）来存储数据，暂存运行期间的数据、中间......
闪存大厂铠侠即将发布三大创新研究成果(2024-10-24)
解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。
氧化......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线(2024-01-15)
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线;英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用......
英飞凌扩展集成ECC的抗辐射异步静态RAM产品线(2024-01-15)
凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器（S）提供了一种极其可靠的单芯片解决方案，可以在解决这些问题的同时，满足航天工业对抗辐射性能的要求。”
英飞凌领先的RADSTOP技术......
北京大学公开存储器专利(2024-03-11)
高系统的整体性能，因此，嵌入式铁电随机存取存储在近年来备受关注。
近日，北京大学公开了一项名为“一种铁电随机存取存储器阵列及其控制方法”的专利，公开号CN117672288A，申请时间为2023年12月15......
晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！(2017-06-27)
料分析，XPoint是一种非挥发性存储器(NVM)技术。位元储存根据本体(bulk)电阻的变化，并结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。其价格预计将会较动态随机存取存储器(DRAM)更低，但高于快闪存储......
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的(2024-07-08)
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的;1.SDRAM原理
black （1）SDRAM内部存储结构：
（2）再看看与2440连接的SDRAM原理......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线(2024-01-18)
器（SRAM）中不可避免的比特错误，而使用系统级纠错码（ECC）会增加设计复杂性和延迟。英飞凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器（SRAM）提供了一种极其可靠的单芯片解决方案，可以在解决这些问题的同时，满足......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境(2024-01-16 09:28)
可避免的比特错误，而使用系统级纠错码（ECC）会增加设计复杂性和延迟。英飞凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器（SRAM）提供了一种极其可靠的单芯片解决方案，可以在解决这些问题的同时，满足......
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境(2024-01-16 09:28)
可避免的比特错误，而使用系统级纠错码（ECC）会增加设计复杂性和延迟。英飞凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器（SRAM）提供了一种极其可靠的单芯片解决方案，可以在解决这些问题的同时，满足......
一文读懂定时器实现技术(2023-09-07)
务量小的场景下：最小堆实现，可以根据堆顶设置超时时间，数组存储结构，节省内存消耗，使用最小堆可以得到比较好的效果。而时间轮定时器，由于需要维护一个线程用来拨动指针，且需要开辟一个bucket数组，消耗内存大，使用......
挣足钱的三星进攻下一代存储，MRAM成为目标？(2017-04-28)
挣足钱的三星进攻下一代存储，MRAM成为目标？;
来源：内容来自 钜亨网 ，谢谢。
《韩国经济日报》报导，传三星电子(Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取......
"BBCube 3D”技术来袭，带宽比DDR5高30倍，比HBM2E高4倍(2023-07-07)
名为“BBCube 3D”的技术，该技术可以让处理单元和动态随机存取存储器(DRAM)之间更好地集成。BBCube 3D最显著的方面是实现了处理单元和DRAM之间......
国内研发出110nm新型铁电存储器(2024-01-31)
器的可靠性比现有技术提升了10倍；第三，实现了新型铁电存储技术从平面结构存储单元到3D结构存储单元的跨越。
FeRAM（铁电随机存取存储器Ferroelectric RAM），采用铁电质膜用作电容器来存储......
剖析STM32的FLASH和SRAM的使用情况(2023-08-23)
器，但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM，在存储控制上，最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。
SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取......
3D集成技术达到迄今最高性能，数据带宽高达每秒1．6兆字节(2023-07-05 09:50)
得添加更多导线变得棘手。而增加数据速率需要增加每次访问一个比特所需的能量，这也是一大挑战。日本东京理工大学研究团队提出了一种名为“BBCube 3D”的技术，该技术可以让处理单元和动态随机存取存储......
3D集成技术达到迄今最高性能，数据带宽高达每秒1.6兆字节(2023-07-03)
上述组件之间的传输通常发生在二维中，这使得添加更多导线变得棘手。而增加数据速率需要增加每次访问一个比特所需的能量，这也是一大挑战。
日本东京理工大学研究团队提出了一种名为“BBCube 3D”的技术，该技术可以让处理单元和动态随机存取存储......
在STM32中为什么要引入链表？(2024-01-26)
存资源很紧缺的单片机程序中，当区域数据很少时，这种程序的处理方法浪费了大量的内存空间。
2、数值固定，需要存储更多区域，即使还有内存，还是需要修改宏定义，重新编译固件，不灵活。
这时需要引入链表来解决这个问题。
2、链表实现
链表实际上是线性表的链式存储结构......
深度解析链表在STM32中的应用(2024-09-26)
域数据很少时，这种程序的处理方法浪费了大量的内存空间。
2、数值固定，需要存储更多区域，即使还有内存，还是需要修改宏定义，重新编译固件，不灵活。
这时需要引入链表来解决这个问题。
2、链表实现
链表实际上是线性表的链式存储结构......
格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合(2023-02-11)
格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合;当地时间2月9日，晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已收购瑞萨电子（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储......
尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破(2022-10-28)
研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。
该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机有效的访问地址，RAM会返回其存储内容(随机寻址)，它访问速度与地址的无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间内随机......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
的BIOS。
l RAM(Random Access Memory) ：随机访问存储器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机......
寄存器，存储器，RAM，ROM有什么区别？(2023-03-14)
器
我们先来看一张图：
其实RAM和ROM都是属于存储器，RAM代表随机存储器，ROM代表只读存储器。
1.RAM
随机存储器（RAM）是计算机存储器的一种，它的特点是数据可以随机存取。
读取......
虽然存储行情继续下跌，但万亿空间仍在，新老技术竞争愈发激烈(2023-06-14)
受制于电子太少的缺点），但基于非电荷的新兴存储器的一些特性（例如低电压操作或随机存取）正在被各种各样的应用关注从而获得继续发展的机会。这些新兴的存储器通常具有两端结构（例如，电阻器或电容器），因此......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机有效的访问地址，RAM会返回其存储内容(随机寻址)，它访问速度与地址的无关。这种存储器在断电时将丢失其存储......
国产铁电存储器PB52RS2MC在车载电子控制系统中的应用(2024-03-22)
国产铁电存储器PB52RS2MC在车载电子控制系统中的应用;众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储......
从诞生到三足鼎立格局，DRAM到底经历了什么？(2022-12-30)
DRAM动态随机存取存储器是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此......
Linux内核代码中常用的数据结构(2024-10-20 12:02:30)
的前继节点或者后继节点。因此，链表就是利用指针将各个节点串联起来的一种存储结构。
（1）单向链表
单向链表......
国产铁电存储器PB85RS2MC助力车载电子控制系统优化升级(2024-05-06)
器PB85RS2MC是一种不需要刷新周期的随机存取存储器，无需缓冲，数据可以立即存储在非易失性存储器中，通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污......
浅谈STM32芯片的存储结构(2023-07-03)
浅谈STM32芯片的存储结构;一、前言
本篇介绍STM32芯片的存储结构，ARM公司负责提供设计内核，而其他外设则为芯片商设计并使用，ARM收取其专利费用而不参与其他经济活动，半导......
STM32芯片的存储结构(2024-07-24)
STM32芯片的存储结构;一、前言
本篇介绍STM32芯片的存储结构，ARM公司负责提供设计内核，而其他外设则为芯片商设计并使用，ARM收取其专利费用而不参与其他经济活动，半导......
ok6410内存初始化(2024-08-16)
ok6410内存初始化;•DRAM：它的基本原件是小电容，电容可以在两个极板上保留电荷，但是需要定期的充电（刷新），否则数据会丢失。缺点：由于要定期刷新存储介质，存取速度较慢。
•SRAM：它是一种具有静止存取......
通用型PLC的硬件基本结构(2024-08-14)
通用型PLC的硬件基本结构;通用型PLC的硬件基本结构如图1所示，它是一种通用的可编程控制器，主要由中央处理单元CPU、存储器、输入/输出（I/O）模块及电源组成
图1 通用型PLC的硬件基本结构......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08 09:45)
Semiconductor Memory Solution专注提供高质量和高可靠性的非易失性存储器，如铁电随机存储器(FeRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)。该公司总部位于横滨，于2020年3月31日成立，是......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08 09:45)
Semiconductor Memory Solution专注提供高质量和高可靠性的非易失性存储器，如铁电随机存储器(FeRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)。该公司总部位于横滨，于2020年3月31日成立，是......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
介质ReRAM用于存算一体大算力AI芯片的优势，今天我们来介绍另一种常见的存储介质——。
SRAM的全称是静态随机存取存储器(StaTIc Random-Access Memory, SRAM) 是随机存取存储器的一种......
格芯宣布收购瑞萨这项技术(2023-02-10 14:41)
格芯宣布收购瑞萨这项技术;格芯今天宣布， 公司已收购瑞萨电子公司 (Renesas) 专有且经过生产验证的导电桥接随机存取存储器 (CBRAM) 技术，这是一种......
格芯宣布收购瑞萨这项技术(2023-02-10)
格芯宣布收购瑞萨这项技术;格芯今天宣布， 公司已收购瑞萨电子公司 (Renesas) 专有且经过生产验证的导电桥接随机存取存储器 (CBRAM) 技术，这是一种......
嵌入式系统的外设器件选择(2024-03-28)
程序代码、固件和其他常驻应用数据。它具有快速读取速度，且相对较低的功耗。闪存有不同类型，包括NOR和NAND，具有不同的读写特性和应用场景。
另一种常见的存储器则是随机存取存储器（RAM......
STM32上的SDRAM硬件电路设计(2024-03-08)
办法是通过定时刷新方式给电容充电，保证电容存储的电荷量稳定在理想的状态。因为这样的过程是一个一直的动态过程，动态随机存取器的名称由此而来。而SDRAM是DRAM的一种操作方式，如下图所示，SDRAM读写......
学习51单片机必知的寄存器知识(2023-09-05)
)：1Word = 2Bytes = 16bits
2.编址
51单片机的存储单元是一个字节，为了存取数据方便，每个存储单元都有编号，这个编号就是编址，编址采用二进制数。例如：0000 0010B可以代表第二个存储......
AI新星Groq横空出世，带动SRAM概念爆火(2024-02-25)
AI新星Groq横空出世，带动SRAM概念爆火;
【导读】SRAM（静态随机存取存储器）作为一种传统存储方案，近两日相关概念连续点燃A股半导体板块。2月21日，SRAM概念股再度拉升，西测......
九种计算机内存类型(2024-01-25)
内存类型
主内存是计算机内存的一部分，可以直接访问以进行快速处理和更快的启动。它通常放置在物理上靠近 CPU 的位置，以最大限度地减少通信时间。主存储器类型的示例包括随机存取存储器（RAM）和只读存储......
51单片机——存储器（一）(2022-12-14)
非常相似。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)。
1.1 存储单位
位（bit）：它是计算机中最小的数据单位。由于计算机采用二进制数，所以1位二......
结合STM32给大家描述一下单片机常见的划分区域(2023-08-22)
理特性
首先，我们需要明白RAM和ROM、Flash Memory的物理特性。
9、RAM
RAM又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问。
RAM中的存储的数据在掉电是会丢失，因而只能在开机运行时存储......
相关企业
: W25N01GV 单层式（SLC）NAND型闪存: 1Gb: W29N01GV 并口式闪存: W29GL032C;W29GL064C;W29GL128C 同步动态随机存取记忆体（SDRAM）: 16Mb
;英尚国际;;英尚国际有限公司（Ramsun International Limited）,是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片、快恢复，MOS，市场推广及销售。我们可以针对不同的 客户领域提供性价比不同的存储
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有： 1,Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit
;英尚国际公司;;英尚国际有限公司（Ramsun International Limited）,是一家专业从事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售。我们可以针对不同的客户领域提供性价比不同的存储
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），运用技术自主之优势及谨慎规划的产能策略，建立极具弹性的生产体系，并发
;舜翰科技有限公司;;舜翰科技有限公司SOLTEK ELECTRONICS CO., LTD.成立于2001年，是一家专业从事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售，针对不同的客户领域提供性价比不同的存储
;英尚微电子深圳有限公司;;英尚国际有限公司，既是韩国EMLSI与Silicon7i在中国指定的代理商，也是美国Everspin和德国IPSilog的一级代理商。 专业从事随机存储器、程序存储
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储
随机存储器、SRAM静态随机存储器、DRAM动态随机存储器、SDRAM同步动态随机存储器、SGRAM同步图形随机存储器、NtRAM、PBSRAM假静态随机存储器)。 ........公司