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晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！(2017-06-27)
晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！;
来源：内容来自eettaiwan ，作者Jeongdong Choe，谢谢。
TechInsights的研......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-24 10:46)
商业资讯）
Kioxia 致力于半导体存储器的研发，这对于人工智能的进步和社会数字化转型至关重要。除了其最先进的 3D 闪存技术 BiCS FLASH™ 之外，Kioxia 在新兴存储器......
Intel携手Micron推出3D XPOINT技术(2015-07-30)
Intel携手Micron推出3D XPOINT技术;
加利福尼亚州圣克拉拉及爱达荷州博伊西 - （美国商业资讯） - 英特尔公司与美光科技公司今天推出3D XPOINT™技术，非易失性存储器......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-23)
商业资讯）
Kioxia 致力于半导体存储器的研发，这对于人工智能的进步和社会数字化转型至关重要。除了其最先进的 3D 闪存技术 BiCS FLASH™ 之外，Kioxia 在新兴存储器......
NEO发表最新3D X-AI芯片，新技术可取代HBM？(2024-08-15)
NEO发表最新3D X-AI芯片，新技术可取代HBM？;专注于3D DRAM、3D NAND存储器厂NEO Semiconductor发表最新3D X-AI芯片技术，取代目前用于AI GPU加速......
探索中国存储器产业发展道路(2017-03-15)
的未来在哪里呢？
Dean A.Klein 先生认为，3D NAND 技术将会是未来的方向，它能够使得存储器在摩尔定律的基础上更好的提高存储器的性能，满足各种应用的需求。
举个例子来说，个人电脑，智能手机、服务......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？;
【导读】近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？;近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克......
台积电携手力晶打造3D整合芯片 已开始量产出货(2021-08-26)
等劲敌，为全球首创。该3D整合芯片提供相对于现有高带宽存储器（HBM）十倍以上的高速带宽及数倍容量，为中国台湾地区半导体业筑起更难超越的高墙。
力晶集团昨（25）日透......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
用。
为什么是3D DRAM？
所谓3D DRAM，是一种打破了当前陈旧的范式的，具有新结构的存储芯片。
如下图所示，传统的DRAM......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
NAND Flash。
据了解，4D NAND技术是由APlus Flash Technology公司提出，其技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器，采用了“一时多工”的平行架构，而3D......
"BBCube 3D”技术来袭，带宽比DDR5高30倍，比HBM2E高4倍(2023-07-07)
"BBCube 3D”技术来袭，带宽比DDR5高30倍，比HBM2E高4倍;近日，日本研究人员报告称，他们设计出了一种新的集成处理器和存储器的三维技术，实现了全世界最高的性能，为更快、更高......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？;近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速商业化，并认为是克服DRAM物理......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
一文了解新型存储技术;随着5G、人工智能（AI）、智能汽车等新兴应用的快速更迭，市场对数据存储在速度、功耗、容量、可靠性等层面提出了更高要求，存储器技术也在不断地面临着新的挑战。
在当前主流的存储器......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
一文了解新型存储技术;在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。
为了......
事关存储器，华为公布新专利(2024-04-11)
事关存储器，华为公布新专利;国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利，公布号为CN117858494A。
静态随机存储器(SRAM)是一种基于触发器逻辑电路的半导体存储器......
高启全谈中国存储进展，呼吁美光和紫光合作(2017-04-11)
高启全谈中国存储进展，呼吁美光和紫光合作;
来源：内容来自 digitimes ，谢谢。
台湾DRAM教父高启全转战大陆紫光集团操盘存储器大计划超过1年，日前晋升长江存储......
Gartner：存储器泡沫将于2019年破裂(2017-07-14)
长江存储公司的新存储器半导体制造厂最近在中国湖北省武汉市东湖新技术开发区破土动工。该工厂将建立三个3D NAND生产线，并将于2018年实现量产。该工厂计划到2020年每月生产30万片12英寸......
长江存储2019年量产，会掀起贸易战吗？(2017-03-23)
与该晶圆厂规模相关的坏消息参见Simmtester.com
长江存储公司的新存储器半导体制造厂最近在中国湖北省武汉市东湖新技术开发区破土动工。该工厂将建立三个3D NAND生产线，并将于2018年实现量产。该工......
3D集成技术达到迄今最高性能，数据带宽高达每秒1．6兆字节(2023-07-05 09:50)
3D集成技术达到迄今最高性能，数据带宽高达每秒1．6兆字节;最新提出的集成技术使用堆叠方法设计。图片来源：东京理工大学
日本研究人员报告称，他们设计出了一种新的集成处理器和存储器的三维技术，实现......
3D集成技术达到迄今最高性能，数据带宽高达每秒1.6兆字节(2023-07-03)
3D集成技术达到迄今最高性能，数据带宽高达每秒1.6兆字节;
最新提出的集成技术使用堆叠方法设计。图片来源：东京理工大学
日本研究人员报告称，他们设计出了一种新的集成处理器和存储器的三维技术，实现......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
键合是下一代封装技术，指的是芯片垂直堆叠，能提高单元密度，进而提高性能，该技术也将对HBM4以及3D DRAM带来影响。
02
HBM4呼之欲出
AI时代下，HBM尤其是HBM3E在存储器......
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖(2024-07-30 08:56)
技术促进世界发展，该公司提供各种产品、服务和系统，为客户提供多样化选择，并基于存储器技术创造价值，推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储......
长江存储与Xperi达成3D NAND专利许可协议(2021-10-15)
键合是当前和未来几代高性能、大容量3D NAND闪存的关键技术，Craig Mitchell指出，期待扩大与长江存储的合作关系。
据Xperi介绍，混合键合3D集成技术越来越多地用于各种半导体器件，例如传感器、存储器......
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世(2023-03-21)
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世;近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂展示了最新堆叠第八代3D 快闪存储器原型。表示，新3D 快闪存储器......
美光计划出售3D Xpoint晶圆厂，预计2021年底前完成(2021-03-18)
美光计划出售3D Xpoint晶圆厂，预计2021年底前完成;当地时间3月16日，存储器大厂美光宣布从即日起将停止对3D XPoint的开发，并出售其在犹他州Lehi的3D Xpoint晶圆厂，预计......
Kioxia因3D NAND闪存发明荣获FMS终身成就奖(2024-07-29)
出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展，该公司提供各种产品、服务和系统，为客户提供多样化选择，并基于存储器技术创造价值，推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储......
中国大陆存储器行业方兴未艾？(2021-11-09)
心的先进封测服务。
资料显示，2014年，武汉新芯与赛普拉斯（Cypress）组建联合研发团队，开始3D NAND项目的研发工作。2015年5月11日，宣布其3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个存储测试芯片通过存储器......
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世(2023-03-21)
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世;近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向;
【导读】三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列行业前两名，传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程，以改变存储器......
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多(2023-10-19)
创新将对推动三星实现拥有超过 1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的存储器解决方案的愿景起到关键作用。
......
半导体周期回暖，存储市场率先上扬(2024-02-20)
半导体周期回暖，存储市场率先上扬;
【导读】在全球经济衰退、消费电子市场需求低迷的影响下，存储器市场已经连续数个季度处于下行状态，直到2023年第四季度内存价格才迎来反弹，存储......
3D X-DRAM技术问世，可生产230层128Gbit DRAM(2023-05-06)
128Gbit DRAM芯片——是当前DRAM密度的八倍，并预计在2030到2035年间就能实现1Tb的容量。
NEO表示，3D X-DRAM是解决由下一波AI应用（例如ChatGPT）驱动的对高性能和大容量存储器......
中国团队存储器研究取得系列进展(2024-07-23)
中国团队存储器研究取得系列进展;近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队，在三维相变存储器（3D PCM）亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展，成果......
2020年内存市场预测：价格持平、技术进展有限(2020-03-05)
是混乱的一年。但当尘埃落定，我们认为2020年的存储器市场仍将持续供过于求。”
当前存储器价格低廉意味着新型存储器的机会不多，因为低价的DRAM和闪存完全可以满足需求。Handy认为：“新型存储器仍然需要经过漫长而艰苦的奋斗才能跟主流存储器......
长江存储年中试产192层3D NAND？官方辟谣(2021-01-13)
长江存储年中试产192层3D NAND？官方辟谣;日经亚洲评论12日引述未具名消息人士报导，长江存储计划在2021下半年，将存储器芯片的月产量倍增至10万片硅晶圆，约占全球产出7%。相较之下，全球......
闪存大厂铠侠即将发布三大创新研究成果(2024-10-24)
解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。
氧化......
千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局(2024-01-31)
易实现。
NEO：3D X-DRAM密度可提高8倍
美国存储器技术公司NEO Semiconductor推出其突破性技术 3D X-DRAM，为解决DRAM 容量瓶颈。
3D X-DRAM是第......
华邦电子宣布加入UCIe产业联盟 2022全年营收945.3亿元新台币(2023-02-20)
业联盟成员涵盖半导体、封装、IP供应商、代工厂、Chiplet设计等各个领域。
此外，2月17日，华邦电子公布2022全年营运表现，2022年合并营收为新台币945.3亿元，较2021年减少5.06%，主要系因存储器......
谁是存储器市场下一个“宠儿”？(2024-04-25)
谁是存储器市场下一个“宠儿”？;AI浪潮对存储器提出了更高要求，高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显，存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈：NAND Flash领域，闪存堆叠层数持续提升；DRAM......
历时6年、耗费195亿！美国芯片巨头宣布研发失败，无奈卖厂(2021-03-18)
是与美国巨头英特尔（Intel）并肩作战。2015年，英特尔宣布其Optane品牌存储产品系列，其中包括该新型内存。美光称这些新芯片的售价将是DRAM的一半，但是造价却是闪存的五倍，亏损太多。3D XPoint曾被提议作为存储器......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
走向创新。
便于增强我们理解这种创新方式的，便是能与DRAM相媲美的存储器技术NAND Flash，后者早已抵达3D世界，并且如今还跨至4D空间。
当前......
西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术(2023-04-03)
和系统可为用户创造选择，同时为社会创造基于存储器的价值。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括先进智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。[1] 来源......
半导体巨头押注先进封装！(2023-03-28)
多的电晶体能够整合到更小的封装中，这方式提供了超越原有性能的强大功能。
对此，Kang
Moon-soo指出，三星电子是世界上唯一一家从事存储器、逻辑芯片代工和封装业务的公司。因此，利用这些优势，三星......
杨士宁：长江存储2020年赶上世界前端(2017-03-15)
NAND建新的厂，所以论每家都面临同样的折旧压力。长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是“在折旧期内实现盈利。”
全球存储器公司都在3D NAND产品......
美光公布DRAM、NAND技术路线图，还将放大招稳定存储器价格(2022-05-13)
布试行全新定价机制“远期定价协议“，以稳定存储器行业价格。
技术路线图曝光，1β DRAM、232层3D NAND将亮相
美光目前已经出货1α DRAM与176层NAND闪存，这两......
泛林集团推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积工艺(2016-08-10)
着其业界领先的 ALTUS® 产品系列又添新成员。通过业内首创的低氟钨（LFW） ALD 工艺，ALTUS Max E 系列能够帮助存储器芯片制造商应对当前所面临的诸多关键挑战，从而推动3D NAND 及 DRAM 器件......
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？(2023-08-04)
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？;近期，韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示，随着对人工智能服务器领域投资的扩大，对高带宽存储器（HBM）、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之......
虽然存储行情继续下跌，但万亿空间仍在，新老技术竞争愈发激烈(2023-06-14)
内存的最新进展似乎已经解决了这个瓶颈，如果解决了不稳定位等其他技术问题，ReRAM 可能会取得快速进展。除了 3D XP 阵列（类似于基于 PCRAM 的 3D XP 存储器）之外，还可以使用 2D......
存储企业纷纷布局车用领域，旺宏：力拼车用NOR Flash龙头(2022-06-03)
明年开始生产，产品研发过程有很多技术上的突破。他还称，希望旺宏发表的192层3D NAND芯片尺寸将会是业界最小。
旺宏是一家提供非易失性存储器集成组件解决方案（IDM）的制造厂商，提供ROM只读......
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;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有： 1,Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;新生活科技有限公司;;代理美国Microsemi存储器（WEDC）、继电器、压力传感器、Sullins连接器、台湾巨景CHIPSIP存储器
;存储器;;
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器
经营的种类有：汽车IC、通讯IC、手机IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM
;鑫焱;;我司是以世界知名品牌的电子元器件及IC集成电路做销售,..产品广泛为单片机/编程/储存器IC/通讯/等.长期提供单片机常用的存储器电路,一般为EPROM存储器(全
专业领域之技术互补以保持领先地位。而 因应 3D IC 时代的来临，钰创积极推动异质性整合，无论从利基型缓冲存储器解决方案，新一代网络摄影控制器，钰创科技都展现了非常雄厚的产品实力，尤其搭配愈来愈普及的 USB3.0 主端
;沈平安;;存储器专营