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指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法:用万......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
3、用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
3、用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址:其结......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应......
防反接常用单元电路,收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应......
分享:直流电防接反电路的总结!(2024-12-17 20:30:32)
都可以正常工作。
缺点:
存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应......
蔚来第三代换电站首站上线:效率提升20%(2023-03-28)
蔚来第三代换电站首站上线:效率提升20%;
3月28日,第三代换电站首站正式上线,李斌、沈斐等蔚来高管也来到了现场。
去年12月底,在2022年NIO Day上,蔚来发布了第三代换电站,相比二代换......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3:内置上拉电阻的双向I/O口,各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止,从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
址,第二功能:用于系统扩展
P3:常用第二功能
1. P0
1.1 构成
1个输出锁存器(D型触发器)
2个三态缓冲器(控制读引脚或读锁存器)
1个输出驱动电路(1对场效应晶体管FET构成)
1......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;
【导读】宜普电源转换公司(EPC)和立锜科技(Richtek)携手推出新型快充参考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD(芯片工作电压)的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管;
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛围退火和N离子......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司(EPC)和科技(Richtek)携手推出新型快充参考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工(2022-07-25)
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息,7月21日,合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电,在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电,这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能,与等效MOSFET相比,EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......
ob3353代换料AP3160液晶电视常用背光驱动芯片方案(2024-03-26)
ob3353代换料AP3160液晶电视常用背光驱动芯片方案;OB3353是一款具有成本效益的LED驱动器,广泛应用于 LCD显示器和LCD TV背光,随着......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑以下几点:
功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构,形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管(TFET),即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构,形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管(TFET),即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术,预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术,预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导,美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”(VTFET)芯片设计。将晶......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道!(2024-10-20 21:14:56)
三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。
八、场效应......
宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC,助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC,助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司(EPC)宣布推出激光驱动器IC(EPC21601),在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
选择晶振需要注意的五方面(2022-12-12)
详细的参数规格书发给客户确认,才能正常出货。如果晶振型号选择不当,将导致应用错误。
五、代换原则
一个晶振如果损坏了,原则上应选用原型号晶振代换。在没有原型号时,最好经过测试后,可以考虑用其他型号或其他类型的晶振来代换。
......
飞凡三电技术体系发布,北京首个换电站上线(2023-08-15)
模组电池包)双层躺式电芯布局,电芯两两一组分布在格槽内,电芯间接触面积减少70%,可避免发生热失控的骨牌效应。独创的MULTI COOLING电池热失控管理系统,通过预、导、卧、隔、疏五......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应......
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;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等,尤其在三极管、场效应管和可控硅
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