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【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
反相器工作基本原理示意
在CMOS逻辑IC中，通过组合p沟道和n沟道MOSFET可以实现各种逻辑功能，从而根据不同的输入得到想要的输出结果。当MOSFET的栅极-源极电压超过某个电压（阈值......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通时形成的沟道。首先看黄色虚线部分，细看之下是不是有一丝熟悉之感?
这部分结构和工作原理实质上和上述的N-MOSFET是一样的。当VGE》0V，VCE》0V时......
100W MOSFET功率放大器电路(2023-09-06)
。 因此，源电阻的值约为 0.33 欧姆，每个 MOSFET 的电流约为 1.6 安培（输出电压/（π 乘以负载电阻））。
100W MOSFET 功率放大器电路工作原理：
PNP 晶体......
采样保持电路工作原理+电路案例(2024-11-20 12:53:06)
采样保持电路的工作原理可以通过其组件的工作原理来简单理解。构建采样保持电路的主要部件包括一个 N 沟道增强型 MOSFET、一个电容和一个高精度运算放大器。
作为开关元件，使用......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
复杂的半导体物理推导过程，下面是简化后的工作原理。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
所以整个过程就很简单：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
组成的电路就是集成电路，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
NMOS和PMOS工作原理
P沟道MOS......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例）
N沟道增强型MOS管在P型半......
PMOS开关典型电路工作原理及分析(2024-09-25 17:14:11)
PMOS开关典型电路工作原理及分析;
PMOS管经典开关电路
以下为两款经典PMOS管开关电路应用范例：首先，第一款为NMOS管，其在高电平时导通，低电......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。本文引用地址：晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为......
P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
器件提供了更好的热性能，但表现出更大的固有电容，从而导致更高的开关损耗。当系统工作在高开关频率时，这一缺点显著影响了器件的开关损耗。
在更关注导通损耗的低频应用中，若P沟道MOSFET与N沟道......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
电荷泵。
升压转换器的简化原理图，在电源和升压转换器输入之间具有一个用于短路保护的 n 沟道 MOSFET
2、P 沟道 MOS 管......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
3.3 V LDO NCV4294 为控制器的使能引脚 EN 供电。控制器将控制 N 沟道 MOSFET，使其像理想二极管一样工作，并阻止反向电流。
图 8. NCV68061 测试板的电路图
布局......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
相应的控制信号来实现导通状态的转换。
一、可控硅工作原理
1、在半导体p-n结外加正向电压，形成正向pn区。
2、在pn区中加正向电压，形成反向pn区，同时在该区域施加电流。
3......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
管，图1-2所示A 、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。
图1-1-A 图1-1-B
图1-2-A 图1-2-B
2、MOS管的工作原理
图1-3是N沟道MOS管工作原理......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
越高，电阻率越大的结果。当在导电沟道内的电子移动速率、数量与PIN二极管的电子空穴对移动速率、数量达到动态平衡时，器件进入稳态。
通过以上的分析，我们知道了MOSFET器件工作于第三象限时，电流......
MAX6498数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:21)
MOSFET开关，隔离输出负载。MAX6495–MAX6499可工作在较宽的+5.5V至+72V供电电压范围内。
当监控输入低于用户设置的过压门限时，n沟道MOSFET栅极被驱动为高。集成......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
可以进一步简化驱动电路，减少需要的元件数量。看门狗输出可以直接驱动图8所示N沟道MOSFET的栅极。WDO的上拉电压应达到N沟道MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)才能正常工作。当系......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
有足够的余量。
额定功率
6）工作温度范围
需要注意安装 MOSFET 的环境温度以避免故障。
工作温度范围
二、N 沟道 MOSFET......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
狗输出可以直接驱动图8所示N沟道MOSFET的栅极。WDO的上拉电压应达到N沟道MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)才能正常工作。当系统处于活动状态时，WDO的逻辑高电平输出电压将使Q1导通，进而Q2导通......
直流电机驱动控制电路设计(2024-09-24)
常用功率MOSFET构成H桥电路的桥臂。H桥电路中的4个功率MOSFET分别采用N沟道型和P沟道型，而P沟道功率MOSFET一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行方案：一种是上下桥臂分别用2个P沟道功率MOSFET......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
电子开关可能采用MOSFET作为开关元件。除了采用MOSFET的纯分立式解决方案外，还可以使用多种半导体IC来轻松实现电子开关。
图1.使用N沟道MOSFET和独立驱动器电路LTC7003来开......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
电子开关可能采用MOSFET作为开关元件。除了采用MOSFET的纯分立式解决方案外，还可以使用多种半导体IC来轻松实现电子开关。
图1.使用N沟道MOSFET和独立驱动器电路来线路
首先，必须......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作原理......
MAX6399数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:51)
电压跌落到所设置的门限以下时，输出电源就绪信号。这个控制器的架构允许按照负载电流的需要选择外部n沟道MOSFET。
当所监视的DC-DC输出电压低于用户设置的过压门限时，MAX6399的栅极驱动输出为高电平，为n沟道......
Linear推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5(2013-10-09)
Linear推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5;Linear推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V 的输入电压工作......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
Linear推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320(2013-06-13)
N 沟道 MOSFET
最大限度地提高了电源效率
消除了热设计问题
最大限度地增加了可用电压
9V 至 72V 工作电压范围
DC 至 600Hz 工作频率范围
1.5mA 静态......
介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器(2023-06-27)
SEPIC和降压应用的电路原理图。
图1示例的动力控制系统原理图是一个基于LT8711的同步SEPIC变换器，其中包含：
● 两个非耦合电感L1和L2
● N沟道调制MOSFET管MN1......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-02 14:13)
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET;东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-02)
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET;东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝......
电工必懂电路图，值得一看！(2024-11-09 18:49:55)
能热水循环系统电路图
11.两家共用一个水泵-各用各家电
12.电葫芦工作原理（原理......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-01)
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET;
【导读】中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求(2023-02-03)
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求;东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
中国......
LTC1871X数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:47)
LTC1871X数据手册和产品信息;LTC®1871X是一款宽输入范围、电流模式、升压、反激式或SEPIC控制器，用于驱动一个N沟道功率MOSFET。LTC1871X的额定结温为175°C，并在......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装;
奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
为敏感电路提供过压及电源反接保护！(2023-10-17)
巧和稳健地保护敏感电路免遭意料之外的高电源电压或负电源电压。 能隔离高达 60V 的正电压和低至 –40V 的负电压。只有处于安全工作电源范围之内的电压被传送至负载。仅需的外部有源组件是一个连接在不可预知的电源与敏感负载之间的双路N沟道......
ABLIC推出面向智能手机、可穿戴设备的1节电池保护IC「S－821A/1B系列」(2024-10-31 10:02)
的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出使用N沟道MOSFET(※1)实现正端保护(※2)的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」。今天......
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗(2023-08-24)
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗;
【导读】东芝电子器件与存储株式会社(“东芝”)推出了三款80 V n沟道功率MOSFET产品，采用......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。
该新系列小型MOSFET包括：
PMX100UN 20 V，N沟道Trench MOSFET
PMX100UNE 20 V，N......
东芝宣布推出面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET(2019-12-26)
东芝宣布推出面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET;2019年12月25日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
高压系统中主要以大功率 IGBT 模块方案为主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的内部结构结合了 MOSFET 的驱动优势及 BJT（双极性晶体管）的导通优势（如图 3 所示）。
图 3......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
，Q3Q5时，只要在合适的时机进行准确换向，就可实现无刷直流电机的连续运转。
2、三相全桥驱动电路
下图为无刷电机的三相全桥驱动电路，使用六个N沟道的MOSFET管（Q1～Q6）做功率输出元件，工作......
远翔FP5139：DC-DC升降压控制器(2023-09-12)
沟道 MOSFET）
⚫ 逻辑电平控制备用模式功能
⚫ 可编程软启动功能（SS）
⚫ 短路保护功能（SCP）
⚫ 包装：TSSOP-8L
应用案例：
1、汽车应急电源：用FP5139给单节锂电池3......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化;—采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区—
中国上海，2023年6月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝......
锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品(2024-09-29 09:35)
-BRUH4040M-B是一款N沟道先进功率 MOSFET，采用了先进SGT（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合用于各种高频、高效电源管理应用，尤其在DC/DC转换器、无线......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET(2022-06-30)
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET;电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET......
LT1161数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:58)
LT1161数据手册和产品信息;LT1161 是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些......
小而薄的MOSFET栅极驱动IC更适合小型化应用(2022-12-21)
功能特性分析
TCK421G 栅极驱动IC与背对背连接的外部N沟道MOSFET相配合，适用于配置具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路或配备反向电流阻断功能的负载开关电路。其内置电荷泵电路，支持......
新一代 P 沟道 JPFET 搭配先进 PDFN 封装成就国际领先性能(2022-07-07)
电路板组装 (PCBA) 的焊点良率，进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。
3、100V P沟道 MOSFET 的驱动电路相比 N 沟道 MOSFET 更加简单，满足了超性能运算 (HPC) 、工业......
LTC1530数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:17)
MOSFET 器件。LTC1530 包含一个精确调整的基准和反馈系统，在温度、负载电流以及电压发生变化时，即使在最坏的情况下可提供 ±2% 的稳压输出。电流限制电路借助顶端N沟道 MOSFET 的导......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;青岛美伦尔环境科技发展有限公司;;人造雾系统工作原理 人造雾系统工作原理：主要是利用造雾机组将水经过耐高压管线有专业喷头产生1-15微米的水滴，由此激发的雾滴能长时间悬浮在空气中，单一
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
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订保养合约。 公司负责人曹立圳于1992年开始从事SMT/AI工作,最初工作于电子厂任设备工程师,1995年至2002年在WKK工作,任YAMAHA设备服务高级工程师，对YAMAHA各型设备的工作原理、性能、生产
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