资讯
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
PMOS做信号开关NMOS做电平转换;
1 PMOS与NMOS
硬件工程师在设计原理图时，偶尔会遇到一些情况，需要一个开关来隔断信号，或者需要一个电平转换电路来匹配不同的IO电平......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
使用中，无论是NMOS还是PMOS，通常把S极和衬底B接在一起用，叫做共源接法。所以经常看到如下图的符号。你要问为什么衬底要和源极接在一起，我暂时还不知道，但从MOS管结构图可知，源极......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
围绕矽鳍的较大晶格常数，因而在PMOS晶体管上产生压缩应变，从而提高其驱动电流。大量掺杂的SiGe与NMOS eSi源极/汲极也包覆在鳍片两侧，为钨填充的触点提供较大的接触贴片，从而......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径，瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电的损坏(这就是为什么以前修电脑都必须要配戴静电环托在工作桌上，防止人体的静电损伤芯片)，如同......
瞬态事件如何影响LDO的动态性能？(2022-12-16)
元件也会相应地以导通和关闭做出响应。
您可以将类似的原则应用于含NMOS传递元件的LDO。含PMOS传递元件的LDO有一个针对输入电压VIN的栅源电压VGS，而含NMOS传递元件的LDO有一个针对输出电压VOUT的栅源电压VGS......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
与PowerVia和背面触点三种技术结合在了一起，证明了这项技术最终可能在晶体管密度微缩发挥作用。为什么是背面供电背面供电（BSP/BS-PDN），就是......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
与PowerVia和背面触点三种技术结合在了一起，证明了这项技术最终可能在晶体管密度微缩发挥作用。
为什么是背面供电
背面供电（BSP/BS-PDN），就是......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）;
一、原理介绍
如上图MOS管符号，要注......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
NMOS防反
3、采用PMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.7V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs-0......
一文详解电池充电器的反向电压保护(2024-04-26)
方法比使用二极管更好，因为电源
(电池) 电压增强了 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式
NMOS 晶体管导电率更高、成本......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
MOS管在电路中两大作用？;
MOS管在电路中作为开关，NMOS和PMOS开关连接方式不同，开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端，正极......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
、测试、存放、搬运等过程中都有可能使得静电累积在人体、仪器或设备中，甚至元器件本身也会累积静电，当人们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径，瞬间使得电子元件或系统遭到的损坏(这就是为什么......
STM32单片机I/O的工作模式(2024-03-07)
管或者NMOS、PMOS管以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周波形放大的任务。两只对称管每次只有一个导通，损耗小效率高，既可以提高电路的带负载能力，又可以提高开关速度。电路如下图所示，大家可以到IO......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、D型锁存器(2023-06-09)
使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
MOS管选型问题，有那么纠结吗？(2024-11-19 11:29:47)
MOS管选型问题，有那么纠结吗？;
MOS管选型需考虑沟道类型（NMOS或PMOS）、电压、电流、热要求、开关性能及封装，同时需结合电路设计、工作环境及成本，避免混淆NMOS和PMOS......
一款无刷电机控制器DIY设计方案(2023-01-11)
上面很难做大。
这也就是为什么基本所有的商业控制器全是nmos的原因。
但是上臂用nmos存在一个问题vgs控制电压大与vcc 4v以上才能完全导通。为了简化电路采用了ir公司出的驱动ic......
汽车电源线上的脉冲干扰，PMOS防反保护电路的缺点(2023-09-12)
体二极管实现防反保护功能。
在低边串联NMOS
这种电路需要在低边放置一个 NMOS。简化的栅极驱动电路通常会采用高性价比的 NMOS。该电路的功能类似于放置在高边的PMOS。但是，这种......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2022-12-06)
部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对共用一个栅极（引脚6、3......
自制无刷电机控制器，牛啊(2024-11-01 12:19:17)
上面很难做大。
这也就是为什么基本所有的商业控制器全是nmos的原因。
但是上臂用nmos......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2023-05-15)
模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
比较多的一种）
PMOS：
在 PMOS 管防反接电路中，栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择，一般需要根据 PMOS 管的......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路;
用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制：
1、不用......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
欢使用比“nmos”或“pmos”更具体的东西，所以我将模型名称（图3）更改为nmos_90nm和pmos_90nm。
NMOS和PMOS型号名称。
图3。NMOS和PMOS型号名称。图片......
PMOS开关典型电路工作原理及分析(2024-09-25 17:14:11)
PMOS开关典型电路工作原理及分析;
PMOS管经典开关电路
以下为两款经典PMOS管开关电路应用范例：首先，第一款为NMOS管，其在高电平时导通，低电......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用;
今天分享一个PMOS的电路设计，详细了解下各个元器件在电路中起到的作用。
这里的Q1为NPN三极......
使用IIC去驱动MPU6050时为什么总读取失败(2024-07-03)
使用IIC去驱动MPU6050时为什么总读取失败;01概述
在之前的文章中《I2C基础原理及协议》中详细讲解了IIC协议，并且使用是NXP的官方手册，demo示例使用IIC读取RTC芯片，运行......
两电池供电时的电源切换设计(2024-03-05)
电池电压是3.9V，拔掉电池后，电压经过Q3会变成2.9V。为什么呢？
希望读者可以去思考下原因。
设计电路3：
（1）如下图还是使用PMOS管Q4，但用两个三极管Q5和Q6来控制Q4的G极，当没......
LDO 基础知识(2024-10-11 17:47:03)
压过程如下图所示，当负载电压升高/降低时，采样电路所采到的电压就跟着升高/降低，传递给误差放大器后通过调节导通器件的导通程度来调节输出电压。
导通器件
导通器件常见的有 PMOS、NMOS、BJT......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
的通道宽度选择。
MBCFET 的这一特性为 SRAM 单元设计提供了更大的灵活性，可以在 PMOS 和 NMOS 之间形成最佳平衡。
封面图片来源：拍信网......
STM32 GPIO的工作模式(2024-07-17)
口推挽输出就是，对输出数据寄存器进行置0或置1操作，然后通过输出控制缓冲器对双MOS电路进行控制。 IO电平输出的双MOS电路通路同时由PMOS和NMOS组成，当输出控制端输出为1时，上方PMOS导通......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-04 11:13)
况下，输出电容放电，输出电压降低，LED电流的建立有一定的延时，如竞品波形，当调光比高到一定数值时，LED电流无法快速响应PWM输入。2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-04 11:13)
况下，输出电容放电，输出电压降低，LED电流的建立有一定的延时，如竞品波形，当调光比高到一定数值时，LED电流无法快速响应PWM输入。2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
知道你有没有搞明白，反正我大学里是完全没有搞明白，学了一个学期就学了个寂寞。
那为什么这些教材要这么的反人类，他们难道就不能好好写说人话吗？
我大概分析了一下，因为同一本教材他需要面对不同专业的学生，所以......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-07)
。
2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动允许单根线束连接到LED灯串，灯串阴极接地，通过......
思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-23)
。
更好的冷启动性能
在汽车冷启动期间，电池电压会降低到4V左右，在这种情况下，使用PMOS（P型金......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
ADALM2000实验：数模转换(2023-04-13)
M1和一个NMOS器件M2组成。通常，CMOS制造工艺经过特别设计，使得NMOS和PMOS器件的阈值电压VTH大致相等——即互补。然后，反相器的设计人员调整NMOS和PMOS器件的宽长比W/L，使其......
共模半导体推出基于Turbo Switch技术的小体积、高效、低 EMI、同步 6A 降压变换器GM2500(2024-10-18 10:15)
足快速增长的计算能力的需求。产品特性• 输入电压：2.5V 至 5.5V• 输出电压：0.5V 至 VIN• 输出电流：6A/4A• ±1%全温度范围输出电压精度• 8 mΩ NMOS, 31 mΩ PMOS• 可编......
液压伺服控制系统的优缺点有哪些(2024-02-28)
-质量比）大，可以组成结构紧凑、体积小、重量轻、加速性好的伺服系统。对于中、大功率的伺服系统，这一优点尤为突出。
为了说明这一点，现将液压元件与电气元件作一比较。电气元件的最小尺寸......
LTC695数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:19)
也不例外。
LTC690 系列利用一个充电泵 NMOS 电源开关来给有源 CMOS RAM 供电，旨在实现低压差和低电源电流。当失去主电源时，将由辅助电源 (连接至电池输入引脚) 通过......
苹果、英伟达接受晶圆涨价(2024-06-19)
Pro的A17 Pro芯片运行。大摩预期，iPhone 16基本款将采A18处理器，制程改为N3E；高阶iPhone 16 Pro 可能采A18 Pro处理器，尺寸比A18大15-20%，以塞......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
作区域）。
表1.寄生电容值。
身体效应
我们之前讨论过晶体管的体端和源端通常如何连接到相同的电势，但没有解释为什么是这样。为了理解原因，让我们更深入地研究物理晶体管，当VGS的值从0增加到大于阈值电压（Vth......
共模半导体推出基于Turbo Switch技术的小体积、高效、低 EMI、同步 6A 降压变换器(2024-12-03 11:00)
mΩ NMOS, 31 mΩ PMOS可编程开关频率：1MHz 至 3MHz 或 3MHz 至 9MHz 峰值电流模式控制： 28ns 最小导通时间 宽带宽、快速动态响应精确 400mV......
升降压原理浅析(2023-03-20)
分压差和电流会产生一定的功耗：
这部分功耗都会体现在LDO发热上，故LDO效率都比较低，过电流能力也相对较小。
当然也有NMOS管架构的LDO，以适用较大电流低压差的应用场景。下面着重对PMOS......
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