资讯
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
管关断时间
图3 加速MOS关断
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
，就会导致MOS管关断速度变慢。
......
基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计(2024-07-04)
如下：
(a)MOS管关断时dv/dt
(b)MOS管开通时dv/dt
图11：W相桥臂上管的关断与开通时的dv/dt
(a)MOS管关断时dv/dt
(b)MOS管开通时dv/dt
图12：W相桥臂下管的关断......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
，因为瞬导通时候电压很高，这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅击穿，有时候还会串联一个电感。
使用可控硅三极管MOS管的......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
硅驱动芯片的新功能是“米勒钳位”，随着SiC的开关，桥臂中点有很大dv/dt，下管Cgd电容会产生一个米勒电流，即使下管处于关断状态，也会通过下管关断电阻产生一个压降。考虑到碳化硅器件的导通阈值比较低（2V......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
100-300W大功率的应用要求；50KHz至1MHz的可调频率，同时提供外部时钟同步，EMI设计更为灵活；6μA关断电源电流，720μA静态工作电流；采用EQA-16小封装，整体方案尺寸小，设计......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
，满足100-300W大功率的应用要求；50KHz至1MHz的可调频率，同时提供外部时钟同步，EMI设计更为灵活；6μA关断电源电流，720μA静态工作电流；采用EQA-16小封装，整体......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
MOS管驱动电流估算;例：FDH45N50F如下参数：本文引用地址：
有人可能会这样计算：
开通电流
带入数据得
关断电流
带入数据得
于是乎得出这样的结论，驱动......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
的电压将会高于源极，比较器检测到这种情况，然后输出低电平，使MOS 管关断，从而断开负载。
注：MOS 管具有双向导电性，已经开启的MOS 管上电流可以双向流动，和BJT 三极......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在关断过程
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
第一段是按照MOS管关断的特性的
第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体......
Boost升压电路原理及设计详解(2024-12-11 18:15:28)
管形成回路，电流在电感中转化为磁能贮存；开关管关断时，电感中的磁能转化为电能在电感端左负右正，此电压叠加在电源正端，经由二极管-负载形成回路，完成升压功能。既然如此，提高转换效率就要从三个方面着手：尽可......
直流有刷电机驱动设计与分析(2023-03-21)
高电平时上管开通、下管关断时， VC自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器VB和VS的电源，完成高端N沟道MOS管的驱动。
电机与MOS管搭建驱动板连接见下表所示。
电机与MOS管搭......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
对MOS管的GS电容进行充电，只用GS电压大于阈值电压，MOS管才能导通；反之，MOS管关闭，GS电容放电，当GS电压小于阈值电压时，MOS管才能关闭。所以，在控制波形沿跳变时刻，一个MOS管GS电容......
RS瑞森半导体在PC电源上的应用(2023-02-14)
开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此在该类拓扑应用中推荐瑞森半导体800V、900V的超高压MOS管，以应对电压变化带来的冲击。
双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
改善另外两个理想条件？
半导体器件内的电流必须流经一个称为漂移区的区域（见图2）。此区域的作用是完全阻断关断状态下的额定电压。阻断电压越高，需要的沟道长度越长，从而导致电阻越大。这表......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
入钳位连接到电源电压的正极端子
将所有4个输入钳位连接到电源电压的正极端子时，
上方的PNP晶体管关断，而下方的NPN晶体管导通
，负载两个钳位处的电位几乎等于负电源电压，因此......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
的参考地引脚，作为公共地；
其中，8205是N沟道的双MOS管，就是对应到电路图中的两个MOS管。
在锂电池对外界放电的过程中，DW01芯片OD引脚控制M1 MOS管导通，OC引脚控制M2 MOS管关闭，此时......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
管功耗也越大。
低功耗
低功耗主要反应在ESR（等效电阻）要小，MOS管就能满足要求，因为一般MOS管的Rdson（等效导通电阻）都是毫欧级别。
2.MOS管的......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
件出现过流故障的情况下，驱动芯片将会使用较低的电流关断IGBT，将会减慢IGBT的di/dt，避免出现过高的电压尖峰损坏IGBT。软关断的参数通过 ADJA连接的电阻可调。系列中每一款芯片都有16档关断电......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
仍是感性负载区，按道理MOS实现ZVS没有问题，确实如此。
但是我们不能忽略副边的输出二极管关断。
也就是原边MOS管关断时，谐振电流并没有减小到和励磁电流相等，实现副边整流二极管软关断......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
流经漏感电流线性上升，到t1时刻，Q1断开；
2）t1至t2时刻时，由于变压器原边电感的作用，流经变压器的原边电流基本不变，且此时中的二极管关断，输出电路的二极管D2反向截止。
这一阶段可以认为是变压器的原边电流对Q1的寄......
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路(2024-12-31 09:43:27)
+5V上电，Q2基极被拉低到地，三极管关闭，随后MOS管Q1关闭。
这是因为电源+5V还不稳定，电源无法打开向后级电路输出。
此时电源+5V刚上电，MOS管的G极和S极同......
DG409数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:30)
DG409数据手册和产品信息;Maxim重新设计的DG408和DG409 CMOS模拟多路复用器现在可确保通道间匹配（最大值：8Ω）以及额定信号范围内的平坦度（最大值：9Ω）。这些低导通电阻多......
DG406数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:55)
DG406数据手册和产品信息;Maxim重新设计的DG406和DG407 CMOS模拟多路复用器现在可确保通道间匹配（最大值：8Ω）以及额定信号范围内的平坦度（最大值：9Ω）。这些低导通电阻多......
Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试(2023-03-21)
波器对应通道衰减比设置10X，将输入电阻设置为50Ω；
4.给目标板上电；
▲图2：测试场景1
▲图3：测试场景2
测试结果
1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；
2.上管关断瞬间负冲0.5V......
光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试(2023-03-20)
波器对应通道衰减比设置10X，将输入电阻设置为50Ω；
4.给目标板上电；
▲图2：测试场景1
▲图3：测试场景2
测试结果
1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；
2.上管关断......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断......
基于ARM7内核LPC2119芯片实现双向变换器的设计(2023-03-06)
变压器副边电流（下同）。此过程直到主管关断时才会结束。
阶段2（死区时间1） 此阶段刚开始时，主管S2和整流管S2关断，续流管S3仍未导通但其体二极管已经导通。由于变压器漏感的限制，变压......
基于ARM7内核LPC2119芯片实现双向DC/DC变换器的设计(2023-03-06)
量正向流动时，若输出电流流过管压降较大的M0S管寄生体二极管，则会带来很大的整流损耗和续流损耗。为此，我们应用了同步整流技术，使电流流过导通电阻只有6mΩ的MOS管，大大地减小了损耗、提高了效率。以下......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
换电路
当 SDA1 输出高电平时：MOS 管 Q1 的 Vgs = 0，MOS 管关闭，SDA2 被电阻 R3 上拉到 5V。
当 SDA1 输出低电平时：MOS 管 Q1 的......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
三、加速关断驱动
MOS管一......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
驱动好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
（Voltage<=30V），如果电源直接供给负载，那么负载将不能正常工作或被损坏（图1）。
图1.电源电压与负载电压不匹配
设计一个，当电源电压大于等于30V时，受控开关关断，切断电源对负载的供电，以保......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
后可能更具优势。如果不使用额外的电路，当晶体管关断时，电流和漏-源电压将同时变化，会导致类似于硬开关在开通阶段的损耗。然而，快速关断除了减少关断开关损耗，也会在设备漏-源端引入高关断电压尖峰和振铃。控制关断......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施：
①开通和关断采用不同栅电阻Rg,ON和Rg,off，确保IGBT的有效开通和关断;
②栅源间加电容c，对Miller效应产生的电压进行能量泄放;
③关断......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
仅有望提高效率，而且由于反向恢复电流低，二极管关断期间的转换器振荡和电磁干扰（EMI）问题也减少了。
该二极管的另一个变体是SiC结势垒肖特基二极管（JBS）。大多数商业化的SiC二极......
欠压保护和失压保护的区别 欠压保护电路设计作用(2024-07-22)
压由零伏上升时到达12V左右，Q2导通，D9导通导致Q5导通电源打开了，当电压一直上升，Q2和D9状态不变，然而当D6随着电压上升，导通电流达到Q4饱和电流，Q5的导通偏置电压拉低，MOS管关闭。电源没有输出。
二、当电......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
空管到分立引线晶体管和无源元器件、DIPIC，到现在几乎看不见的表面贴装器件，电子技术的发展对试验板布局技术和平台产生了重大影响。
1. 保险丝 F1 的标称电压选择保险丝的标称电压必须大于或等于关断电......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
三极管和MOS管下拉电阻的作用;关于本文引用地址：简单讲解一下，如果工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。
七、功率MOSFET的开通和关断过程原理
(1)开通和关断......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
反激变换器工作于CCM 模式，还是DCM 模式，我们都可以按照CCM模式进行设计。
如图 4（b）所示，MOS 管关断时，输入电压Vin 与次级反射电压nVo 共同叠加在MOS的DS 两端。最大占空比Dmax 确定......
DC-DC开关电源电路计算(2024-05-06)
DC-DC开关电源电路计算;Buck电路分析本文引用地址：Buck变换器是一种降压式非隔离，当开关管导通时，输入电源通过电感给输出供电，同时电感存储能量；当开关管关断时，电感......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
比例分布也不同。
比如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。想要获得高阻断电压，就必须采用高电阻......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
的设计需要格外优化尽可能减小长换流回路的杂散电感以增加功率模组的电流输出能力。图15所示为FF1800R12IE5在I-NPC电路里的双脉冲实测波形，在室温及额定电流条件下，为了降低长换流回路IGBT的关断电压尖峰，使用了更大的门级关断电阻......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
构示意图：
解释1：沟道
上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必......
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;广州富航特电器设备厂;;本厂位于广州市新广花公路旁边的唐阁工业区内,1990年开厂来,专业生产各种水泥电阻,线绕电阻器.及与台湾致翔公司配套经营CF、MF、MOF等系列电阻多年.
;厦门中星海科技开发有限公司;;厦门中星海科技开发有限公司 经营范围：开发、制造、销售的产品有:PPTC热敏电阻、NTC热敏电阻、保险电阻（熔断电阻）及相应的配套产品。 。代理
;华联盛;;IR.FSC.AO.CET.TI.ON等品牌IC，MOS管 电容，电阻，二三级管
;深圳建荣电子有限公司;;Vishay 二极管，电阻，电容，TVS,MOS 等
;枫港电子有限公司;;杭州分公司，主营mos管 ic 电阻电容
;吴经理;;客我共赢：MOS场效应管、二、三极管、可控硅、电感、电容、电阻、IC等
;洛阳星利达A;;液压关断门安装在渣井下部，其主要功能是在炉底除渣设备出现故障时，关闭关断门，通过渣井的有效储渣容积来临时储存炉底渣，避免因炉底设备故障出现不得不停机的事故。在有限时间内，对除渣设备进行临时抢修。
内置功率MOSFET降压稳压器 特点： 2A输出电流 最高95％效率 4.75～20V输入范围 1.3～18V可调输出 8μA关断电流 410KHz固定频率 具有过流,短路,静电,及过热保护特性 SOP
;金贤科达电子;;主营产品：集成电路,可控硅,场效应管,MOS管,二三极管,光耦,热敏电阻,保险管,电阻电容，钽电容等 。欢迎新老客户来电定货
;杨盛电子;;长期需求多种IC MOS管 二三极管 电容电阻 电感 变压器材 胶料等等