资讯
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件，成为车载充电机的主流应用。
下面我们以6.6kW车载充电机为例，介绍基本半导体的SiC肖特基二极管......
基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC......
国芯思辰｜基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。
在光......
基于STM32单片机的电源设计(2024-02-03)
值，因为有静电，容值要很小，因为滤除的是高频信号。
2.2 防反接、防倒灌设计
为了电源的更加稳定，本设计加入肖特基二极管用于防反接、防倒灌设计。肖特基二极管具有压降小，开关速度快，还可......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。
优化后的器件实现了2.9mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
Extension, JTE）成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。优化......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调;在动车或地铁中，机车空调需要有稳定的电力供电，保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时，需要通过后备电池给空调供电。而机......
的方案中提到基本半导体的SiC半导体器件，可为车载电源转换系统提供最高的功率密度和耐用性，非常适合车外充电和其他户外应用。
电动车充电
如下图所示，将快速恢复二极管或肖特基二极管作为整流二极管使用。
电动......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单(2024-10-24 15:08)
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单;如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
相互关联;通常，较低电荷值的元件将具有稍高的导通电阻。
碳化硅二极管
碳化硅二极管多为肖特基二极管。经典硅二极管基于 PN 结。在肖特基二极管中，金属被 p 型半导体取代，形成金属-半导......
三代半“上车”！国星光电SiC－SBD通过车规级认证(2023-03-13 14:37)
三代半“上车”！国星光电SiC－SBD通过车规级认证;近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101......
国星光电SiC-SBD通过车规级认证(2023-03-13)
国星光电SiC-SBD通过车规级认证;近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
场效应晶体管，其发展进度落后于肖特基二极管。更低的外延层掺杂浓度和更高的迁移率未来将会有所突破。另外先进的耐压技术例如高K、电荷平衡、异质结构等会带来更为显著的性能提升。此外，还应......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
高频开关器件配合使用，提高开关频率，从而减小系统整体的体积和成本。
3.较低的正向导通电压
相较于1200V的硅基二极管，SiC二极管采用肖特基......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强......
交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路(2024-07-17)
确设置输入共模电平，滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。
采用肖特基二极管的直流恢复
对视频设备的输出进行交流耦合时，直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平，视频......
车载直流DC/DC变换器输出电流采样选型(2023-03-14)
.此时如果选择普通PN二极管，其较大的正向导通压降（~0.7V） 常常使其不能在超出负向耐压限值时及时起到保护作用。通常建议选择正向导通压降更小的肖特基二极管进行负电压的有效钳位， 如BAT54S......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
Termination Extension, JTE）成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化 JTE 区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
除了二极管，防反接电路还能用什么？;串联本文引用地址：以常用的5V/2A为例。常用串联在中，在电源时，承担所有的电压，有效防止电源损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;
【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
民德电子：全资子公司拟累计5.18亿元购买江苏联芯6英寸晶圆生产线设备(2022-07-06)
司2021年向特定对象发行股票项目，即碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目的实施主体。此次购买设备是为了保障募投项目顺利开展。
据此......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联，这会降低潜在的直流输出电压。此外，该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。
肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是，肖特基二极管......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨，2021年11月5日：基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;
【导读】近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装
奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
满足市场对下一代碳化硅器件的需求(2023-10-31)
MOSFET
为支持新型 MOSFET，还发布了 D1 系列 1700 V SiC 肖特基二极管，包括 NDSH25170A 和 NDSH10170A。高额定电压可使设计受益于反向重复峰值电压(VRRM......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
上述公式和图5，用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例：
图6 浪涌电流控制测试用例
图7 测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
电流控制测试用例
图 7.测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低电流直流负载），可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管，如图 8 所示，以在......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管;
提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，现可提供采用CFP3-HP......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC......
抛负载测试，汽车24V系统怎么通过波形5a测试？(2023-09-27)
测试时冲击电流过大而损坏。一般此处电流小选择肖特基二极管，可以选用东沃低压降系列肖特基二极管型号SS56。
3）瞬态抑制TVS二极管，主要用于防护各种过压波形和抛负载冲击，此处选择范围较大，车载24V系统......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管;提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸
奈梅亨，2024年2月26日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
相关企业
barrier)。 法商矽莱克半导体，主要做（1）高压大功率肖特基二极管，大功率的有20A-60A/60-200V TO-220，TO-3P封装，（2）降低成本肖特基二极管有10A/100-150V
~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
、GBU、GBJ、RBV系列；方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列；MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥；全系列贴片二极管；高压肖特基二极管普通肖特基二极管
;金成电子（香港）有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
）优势产品： 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋（Mospec） S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋（Mospec） S16C40C
;深圳骏鹏科技;;一级代理品牌：日本英达NIEC（整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管）、台湾UTC MOS管、美国桑德斯SMC二极管、韩国HTC LDO、台湾GTM等等。 NIEC产品
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特基二极管
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管，开关管，整流二极管，肖特基二极管，瞬变管，桥式整流器，贴片，二三极管
;深圳市嘉美电子有限公司;;主营：TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管等。欢迎前来在线咨询。