资讯
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷，不让电荷积累，实测单独焊接该下拉电阻（R516）还是不足以快速释放g极电......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。
MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。
晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源电压......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
，CE电流和CE电压的关系：
从另外一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念：
开启过程
关断过程
尝试去计算IGBT的开启过程，主要......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地所需的电压较大。
补充说明：因为低端MOS源极接地，想要导通只需要令其栅极电压大于开启电压......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
VCC和电池同时供电时：Q9栅极电压为VCC 对于MOS管 Vgs=Vout-V电池 所以MOS管不导通， Q10 g极 Vg=Vout Vs=Vout-V二极管 Vgs>0 所以......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
先从一个最简单的驱动电路开始。单片机控制 MOS 管栅极为高时，电流从电源经过电机和 MOS 管到地。当栅极为低时，MOS 管断开，此时电机线圈内的电流继续通过续流二极管回流电机的正极。我们通过调节栅极控制端的PWM占空比，就可......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。
对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。
2.1 如何打开MOSFET
下面是一个打开MOSFET的电......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。
......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
隔离势垒的传播延时极短，只有 45ns，动态响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有......
七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
射能力强等优点，适用于做电压放大电路的输入级。
2.2 MOS管开关电路
MOS管也常用来开关电源，其原理是利用MOS管栅极(g......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
完全开启，则设备在传导过程中将具有高电阻，并且会以热量的形式消耗大量功率，10 到 15 伏之间的栅极电压可确保大多数 mos 管完全开启。
九、缓慢......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
使用速度更快的的比较器，但是电路的响应时间还取决于比较器驱动MOS 管的速度，MOS 管栅极电容充放电的过程也会造成延迟。
注：意思就是如果电流曲线非常陡峭，那么到比较器准备关断MOS......
对电源稳压电路原理分析，不光维修好还能设计出更佳产品(2024-11-15 11:28:50)
设计直流放大器（增益600，输入电阻120k，输出反相）
利用MOS管实现缓启动电路
七种MOS管栅极......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。
为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。
当VGS=0V时，源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结，因此不论漏极-源极电压......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为负，P 沟道 MOSFET 或简单的 PMOS 将激活。但是，它需要满足每个 MOSFET 数据表的栅极到源极电压要求。当 MOSFET 激活时，通道将关闭，电流将流向它，而不......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
驱动器应持续提供20V的栅极电压，最好是可以进行配置。
由于存在栅极电荷残留，SiC-MOS结构中必须具有负偏压，同样，最好可以进行配置以实现优化。近乎理想的功率开关和它们周围的封装寄生元件（见图4）的组......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
沟道 MOS 管
MOS管可能需要额外的电路来偏置栅极。
N 沟道MOS管
要求其栅极电压高于其源极端子。这可能需要栅极驱动器IC或者......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
了第三象限操作（不同栅极电压的 IV 特性）。请注意，由于采用 pn 二极管结构，还可以实现一定的脉冲电流处理能力（高于正向模式）。
图 7：45 mOhm CoolSiC? MOSFET 的体......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
符号衬底的箭头指向哪里，简化符号栅极有没有小圆圈，衬底该接高接低，栅极高电平导通还是低电平导通，导通电流方向是什么】的答案，时不时还真有点卡壳。这真的不能怪我们，是真的太绕了，比如P管栅极居然是低电平有效，简化......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
管在负载的低电位一端。如下图所示：Q1、Q3为高端驱动，Q2、Q4为低端驱动。在H桥中也常常被称为上臂和下臂。
此外，如果对MOS管原理有所了解，则可看出，打开高端NMOS所需的栅极电压......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
后，MOS管导通，这样PNP三极管的集电极与基极形成低阻状态，此时三极管也就相继导通，这样相当于IGBT的集电极和发射极导通。当栅极电压取消或负压时，IGBT的集电极和发射极关断。这样IGBT......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝......
电子管功放的检修技巧_电子管功放故障排除(2024-01-26)
，看是否与该机型机器所需要求的电压值相符，过高会过低都不正常。测功率管栅偏压需按如下三步进行，即：测阴极电压或固定负压；测偏压传递情况，测栅极有无漏电正电压。
三、功率......
stm32单片机中使用GPIO口模拟PWM输出解析(2024-09-11)
当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
MP653x系列产品的保护功能及正确的配置方法(2024-07-16)
则在 VREG 上升后自动重启。详情请参阅表 1。
上管栅极驱动电压故障保护 (VBST UVLO)
适用器件：MP6537、MP6538、MP6539
这些器件均提供一个电路监测其 BSTx 引脚上的电压......
使用开关电源的胆石混合功率放大器(2023-06-27)
支电阻兼作高压泄故)，降低了灯丝与阳极，特别是与U2管栅极、阴极间的电位差，能有效降低噪声干扰。4．采用固定栅偏压方式。—48V电源经一个56k电阻和RD2．7稳压管降压得到—2.7V电压，，由一......
如何破解您的 DC/DC 转换器？(2022-04-18)
器的标准产品并不存在。接下来您可以做些什么？
图 1：隔离式 SiC 晶体管栅极驱动器电路的简化示意图
技巧 #1：使用不符合规格的输入电压
在满载时低功率非稳压 DC/DC 转换器的输出/输入电压......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
感Lcs。
传统分立方案引入寄生电感
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
入由于PCB走线造成的栅极环路电感Lg_pcb和由于GaN内部打线造成的共源极电感Lcs。
传统分立方案引入寄生电感
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
内部打线造成的共源极电感Lcs。
传统分立方案引入寄生电感
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且......
半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
现缓启动电路
七种MOS管栅极驱动电路
1.工作原理
不对称脉宽调制半桥 DC/DCZVS变换器的电路如图 4-19所示。当开关 S1和......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
3.5V，不易因栅极电压噪声而发生故障。
新产品采用高度兼容的SOP Advance(N)封装。
未来，东芝......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽驱动电路能提升电流供给能力并能快速完成栅极......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
感Lcs。
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生......
相关企业
粉发光，还有一部分电子撞击到栅极上，被栅极截获，形成栅极电流。VFD图案的显示，主要通过栅极和阳极电压的正负来控制，当栅极加上正电压，该栅网下的阳极笔端也加上正电压，则与
％ 一级代理商：深圳惠新晨电子 庞生 MB：13428780186 QQ：2803907163 LIS8510 SOP-8 内置MOS 全电压1-3W LED驱动电源 LIS8511 SOP-8 内置
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
;深圳市美泰芯科技有限公司;;电源管理IC（LDO/DC-DC升压降压/白灯背光/电压检测/复位/充电/MOS管/AC-DC/LED照明等）/音频放大IC/运放IC/EEPROM/MOS管/霍尔IC
产品： （1）MOS管：IRF740，IRF730（电压：400V） IRF840，IRF830，5N50，9N50，13N50，18N50，24N50，28N50，IRFP450，IRFP460 （电压
转换器,功率MOS管,CMOS逻辑,电压
针对大陆内地客户提供优质服务. 产品总类: VOLTAGE DETECTOR 电压检测系列IC VOLTAGE REGULATOR 电压稳测系列IC DC/DC CONVERTER 电压升压及升压转换 MOS-FET 白光LED
;台湾联益电子有限公司;;台湾联益深圳分公司 - IC生产厂家:升压IC. 稳压IC. 锂电池充电IC. 恒流IC.LED驱动IC. 电压检测IC. MOS管 15012776766
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压
等提供相关电子元器件的销售商之一，主要经营：二、三极管，可控硅，三端稳压，场效应（MOS）管，光耦，74、4000系列，电源IC，单片机等等主打产品：（1）MOS管：IRF740，IRF730（电压：400V）IRF840