资讯
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。
MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。
晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷，不让电荷积累，实测单独焊接该下拉电阻（R516）还是不足以快速释放g极电......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
，CE电流和CE电压的关系：
从另外一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念：
开启过程
关断过程
尝试去计算IGBT的开启过程，主要......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
MOS管是如何控制电流方向的？(2024-12-23 11:24:52)
MOS管是如何控制电流方向的？;
MOS管通过栅极电压控制漏极电流，利用电压比较器（如LM358）实现动态控制。控制电压与参考电压比较，通过循环控制实现电流动态调整及方向控制......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源电压......
对电源稳压电路原理分析，不光维修好还能设计出更佳产品(2024-11-15 11:28:50)
驱动电路
电源芯片要想稳压控制，稳压到多少V，电源芯片它并不知道，只提供一个电压反馈引脚FB，具体稳压到多少，取决于电路的设计，这样电源芯片就很灵活了，可以做成任意电压......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
可以满足绝大部分电机的需要。
★2.栅源阈值电压/开启电压（Vth）：该电压即MOS管打开所需的最小电压，也将决定后续半桥驱动芯片的选择和设计（即芯片栅极控制脚的输出电压）。LR7843的最大栅源阈值电压......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
驱动技术，如图4所示的有源栅极电压控制（Augmented Switching™）。
图4. 实现可靠、高效SiC-MOS驱动的栅极驱动器和封装的主要假设
总结
凭借......
TTL与CMOS，很基础但很多人不知道(2024-04-17)
与流控
是流控电路，是依靠电流起控制作用的。通过控制基极电流来控制晶体管的工作情况（发射极 集电极电流的工作情况）。
CMOS电路是压控电路，依靠电压起控制作用。控制栅极与源极的电压，控制CMOS工作......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制，
所以这次就以 VIN的有无 来控制 VIN输入电压到三极管，三极管导通（基极电压大于发射极），由于三极管下连的是地，所以 PMOS管的栅极电压为0......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
先从一个最简单的驱动电路开始。单片机控制 MOS 管栅极为高时，电流从电源经过电机和 MOS 管到地。当栅极为低时，MOS 管断开，此时电机线圈内的电流继续通过续流二极管回流电机的正极。我们通过调节栅极控制端的PWM占空比，就可以控制......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
真面目！;
硬件设计 | MOS管篇
一般情况下，普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压......
隔离式栅极驱动器设计技巧(2023-08-21)
，用于中低功率应用的高频转换器主要利用栅极电压控制器件，如MOSFET。
对于高功率应用，当今使用的最佳器件是 碳化硅 (SiC) MOSFET ，快速导通/关断这种功率开关需要更高的驱动电流。栅极......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
搭配适当的快恢复二极管。
03 IGBT的优缺点
优点：
1、具有更高的电压和电流处理能力。
2、极高的输入阻抗。
3、可以使用非常低的电压切换非常高的电流。4、电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗。
5、栅极......
中国科大研制出新型隔离电源芯片(2021-02-22)
提高了隔离电源转换效率和功率密度。此外，该研究还提出一种采用了可变电容的功率管栅极电压控制技术，实现了在更宽电源电压范围下，控制栅极峰值电压使其保持在最佳安全电压范围，而无需采用特殊厚栅氧工艺的功率管，实现......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。
......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）(2023-02-27)
)。为了实现两个栅极电压电平之间的转换，栅极驱动器、栅极电阻和功率器件之间的环路中会产生一些功耗。
如今，用于中低功率应用的高频转换器主要利用栅极电压控制器件，如MOSFET。
对于高功率应用，当今......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07 11:02)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
意法半导体GaN驱动器集成电流隔离功能,具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-07)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
可连接高达 1700V的电压轨，栅极驱动电压最高15V。该驱动器能够向所连接的 GaN 晶体管栅极灌入和源出最高3A的电流，即使在高工作频率下也能精准控制功率晶体管的开关操作。
STGAP2GS 跨越......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为负，P 沟道 MOSFET 或简单的 PMOS 将激活。但是，它需要满足每个 MOSFET 数据表的栅极到源极电压要求。当 MOSFET 激活时，通道将关闭，电流将流向它，而不......
意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性(2023-09-06)
响应快速。此外，在整个工作温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流发生不必要的变化。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
完全开启，则设备在传导过程中将具有高电阻，并且会以热量的形式消耗大量功率，10 到 15 伏之间的栅极电压可确保大多数 mos 管完全开启。
九、缓慢......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
使用相对较高的值即可避免在接近最大功耗的情况下工作。
电路的
最小输入电压
受到可靠“导通”MOS管所需的源极栅极电压的影响（必须略高于阈值电压 V GS(th......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
射能力强等优点，适用于做电压放大电路的输入级。
2.2 MOS管开关电路
MOS管也常用来开关电源，其原理是利用MOS管栅极(g......
七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
使用速度更快的的比较器，但是电路的响应时间还取决于比较器驱动MOS 管的速度，MOS 管栅极电容充放电的过程也会造成延迟。
注：意思就是如果电流曲线非常陡峭，那么到比较器准备关断MOS......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
线宽的3倍。在插卡设备，接插件连接的位置，要有许多接地针，提供良好的射频回路。
6、双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流;MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
流；MOS 管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。
7、三极管是靠载流子的运动来工作的，以 NPN 管射极跟随器为例，当基极加不加电压......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
流；MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。
7、三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流；MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
沟道 MOS 管
MOS管可能需要额外的电路来偏置栅极。
N 沟道MOS管
要求其栅极电压高于其源极端子。这可能需要栅极驱动器IC或者......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。本文引用地址： MOSFET 具有独特的栅极驱动要求。一般......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
管在负载的低电位一端。如下图所示：Q1、Q3为高端驱动，Q2、Q4为低端驱动。在H桥中也常常被称为上臂和下臂。
此外，如果对MOS管原理有所了解，则可看出，打开高端NMOS所需的栅极电压......
MP653x系列产品的保护功能及正确的配置方法(2024-07-16)
则在 VREG 上升后自动重启。详情请参阅表 1。
上管栅极驱动电压故障保护 (VBST UVLO)
适用器件：MP6537、MP6538、MP6539
这些器件均提供一个电路监测其 BSTx 引脚上的电压......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
反相器工作基本原理示意
在CMOS逻辑IC中，通过组合p沟道和n沟道MOSFET可以实现各种逻辑功能，从而根据不同的输入得到想要的输出结果。当MOSFET的栅极-源极电压超过某个电压（阈值电压......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案;引言
在许多应用场合，都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。在输出功率60W以内，工程会选用内置MOS的升压芯片，集成......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
后，MOS管导通，这样PNP三极管的集电极与基极形成低阻状态，此时三极管也就相继导通，这样相当于IGBT的集电极和发射极导通。当栅极电压取消或负压时，IGBT的集电极和发射极关断。这样IGBT......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。
5. 源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个......
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粉发光，还有一部分电子撞击到栅极上，被栅极截获，形成栅极电流。VFD图案的显示，主要通过栅极和阳极电压的正负来控制，当栅极加上正电压，该栅网下的阳极笔端也加上正电压，则与
;触摸式电压控制器;;
;西安许继电子商行XYXJ;;Electric meters 西安许继电子公司主要生产经销高压控制系统,低压控制柜,微机保护装置,电动机保护器,开关状态显示器,过压保护器,单相交流电流表， 直流
;北京华兴恒远科技有限公司;;北京华兴恒远科贸有限公司 音频功放 接口系列 复位电路 霍尔电路 降压型高效稳压电源控制器 PFM控制CMOS升压DC/DC控制器 输出可调节高效DC/DC升压控制
;深圳市美泰芯科技有限公司;;电源管理IC（LDO/DC-DC升压降压/白灯背光/电压检测/复位/充电/MOS管/AC-DC/LED照明等）/音频放大IC/运放IC/EEPROM/MOS管/霍尔IC
和陶瓷组成的电阻，除了可变电压控制和散热器。
产品： （1）MOS管：IRF740，IRF730（电压：400V） IRF840，IRF830，5N50，9N50，13N50，18N50，24N50，28N50，IRFP450，IRFP460 （电压
装于自行车型的电动车。镍氢系统有温度控制、电压控制、时间控制等，可用于24V/36V系统。
;与成功同行;;不求利润多少，只求服务最好，买品牌箱包，运动鞋，休闲鞋，正装鞋，品牌服饰，就上我们的时尚快车17skc.cn
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